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1. WO2020109051 - OPTOELEKTRONISCHES HALBLEITERLASERBAUELEMENT UND VERFAHREN ZUR HERSTELLUNG EINES OPTOELEKTRONISCHEN HALBLEITERLASERBAUELEMENTS

Veröffentlichungsnummer WO/2020/109051
Veröffentlichungsdatum 04.06.2020
Internationales Aktenzeichen PCT/EP2019/081631
Internationales Anmeldedatum 18.11.2019
IPC
H01S 5/024 2006.01
HElektrotechnik
01Grundlegende elektrische Bauteile
SVorrichtungen, die den Prozess der Lichtverstärkung durch stimulierte Emission von Strahlung verwenden, um Licht zu verstärken oder zu erzeugen; Vorrichtungen, die stimulierte Emission von elektromagnetischer Strahlung in anderen als optischen Wellenlängenbereichen verwenden
5Halbleiterlaser
02Bauliche Einzelheiten oder Bauteile, die nicht für die Laseraktion maßgeblich sind
024Kühlanordnungen
H01S 5/323 2006.01
HElektrotechnik
01Grundlegende elektrische Bauteile
SVorrichtungen, die den Prozess der Lichtverstärkung durch stimulierte Emission von Strahlung verwenden, um Licht zu verstärken oder zu erzeugen; Vorrichtungen, die stimulierte Emission von elektromagnetischer Strahlung in anderen als optischen Wellenlängenbereichen verwenden
5Halbleiterlaser
30Aufbau oder Form des aktiven Gebiets; Materialien für das aktive Gebiet
32mit PN-Übergängen, z.B. Hetero- oder Doppelheterostrukturen
323in AIIIBV-Verbindungen, z.B. AlGaAs-Laser
H01S 5/343 2006.01
HElektrotechnik
01Grundlegende elektrische Bauteile
SVorrichtungen, die den Prozess der Lichtverstärkung durch stimulierte Emission von Strahlung verwenden, um Licht zu verstärken oder zu erzeugen; Vorrichtungen, die stimulierte Emission von elektromagnetischer Strahlung in anderen als optischen Wellenlängenbereichen verwenden
5Halbleiterlaser
30Aufbau oder Form des aktiven Gebiets; Materialien für das aktive Gebiet
34mit Quantum-Well- oder Übergitterstrukturen, z.B. Single-Quantum-Well-Laser , Multiple-Quantum-Well-Laser , Graded-Index-Separate-Confinement-Heterostruktur-Laser
343in AIIIBV-Verbindungen, z.B. AlGaAs-Laser
H01S 5/022 2006.01
HElektrotechnik
01Grundlegende elektrische Bauteile
SVorrichtungen, die den Prozess der Lichtverstärkung durch stimulierte Emission von Strahlung verwenden, um Licht zu verstärken oder zu erzeugen; Vorrichtungen, die stimulierte Emission von elektromagnetischer Strahlung in anderen als optischen Wellenlängenbereichen verwenden
5Halbleiterlaser
02Bauliche Einzelheiten oder Bauteile, die nicht für die Laseraktion maßgeblich sind
022Montagesockel oder Halterungen; Gehäuse
H01S 5/028 2006.01
HElektrotechnik
01Grundlegende elektrische Bauteile
SVorrichtungen, die den Prozess der Lichtverstärkung durch stimulierte Emission von Strahlung verwenden, um Licht zu verstärken oder zu erzeugen; Vorrichtungen, die stimulierte Emission von elektromagnetischer Strahlung in anderen als optischen Wellenlängenbereichen verwenden
5Halbleiterlaser
02Bauliche Einzelheiten oder Bauteile, die nicht für die Laseraktion maßgeblich sind
028Beschichtungen, Überzüge
CPC
H01S 5/02288
HELECTRICITY
01BASIC ELECTRIC ELEMENTS
SDEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
5Semiconductor lasers
02Structural details or components not essential to laser action
022Mountings; Housings
0228Out-coupling light
02288with a lens
H01S 5/02469
HELECTRICITY
01BASIC ELECTRIC ELEMENTS
SDEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
5Semiconductor lasers
02Structural details or components not essential to laser action
024Cooling arrangements
02469Passive cooling, e.g. where heat is removed by the housing as a whole or by a heat pipe without any active cooling element like a TEC
H01S 5/028
HELECTRICITY
01BASIC ELECTRIC ELEMENTS
SDEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
5Semiconductor lasers
02Structural details or components not essential to laser action
028Coatings ; ; Treatment of the laser facets, e.g. etching, passivation layers or reflecting layers
H01S 5/34333
HELECTRICITY
01BASIC ELECTRIC ELEMENTS
SDEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
5Semiconductor lasers
30Structure or shape of the active region; Materials used for the active region
34comprising quantum well or superlattice structures, e.g. single quantum well lasers [SQW-lasers], multiple quantum well lasers [MQW-lasers] or graded index separate confinement heterostructure lasers [GRINSCH-lasers]
343in AIIIBV compounds, e.g. AlGaAs-laser ; , InP-based laser
34333with a well layer based on Ga(In)N or Ga(In)P, e.g. blue laser
Anmelder
  • OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH [DE]/[DE]
Erfinder
  • KÖNIG, Harald
  • LELL, Alfred
Vertreter
  • EPPING HERMANN FISCHER PATENTANWALTSGESELLSCHAFT MBH
Prioritätsdaten
10 2018 130 540.030.11.2018DE
Veröffentlichungssprache Deutsch (DE)
Anmeldesprache Deutsch (DE)
Designierte Staaten
Titel
(DE) OPTOELEKTRONISCHES HALBLEITERLASERBAUELEMENT UND VERFAHREN ZUR HERSTELLUNG EINES OPTOELEKTRONISCHEN HALBLEITERLASERBAUELEMENTS
(EN) OPTOELECTRONIC SEMICONDUCTOR LASER COMPONENT AND METHOD FOR PRODUCING AN OPTOELECTRONIC SEMICONDUCTOR LASER COMPONENT
(FR) COMPOSANT LASER SEMICONDUCTEUR OPTOÉLECTRONIQUE ET PROCÉDÉ DE FABRICATION D'UN COMPOSANT LASER SEMICONDUCTEUR OPTOÉLECTRONIQUE
Zusammenfassung
(DE)
Es wird ein optoelektronisches Halbleiterlaserbauelement angegeben. Das optoelektronische Halbleiterlaserbauelement umfasst, einen Halbleiterkörper mit einer ersten Hauptfläche, einer zweiten Hauptfläche, zumindest einem zwischen der ersten Hauptfläche und der zweiten Hauptfläche ausgebildeten aktiven Bereich, eine sich von der ersten Hauptfläche zur zweiten Hauptfläche erstreckenden Auskoppelfläche, durch die zumindest ein Teil der elektromagnetischen Strahlung ausgekoppelt wird, eine auf der ersten Hauptfläche angeordnete erste Wärmesenke und eine auf der zweiten Hauptfläche angeordnete zweite Wärmesenke, und ein der Auskoppelfläche nachgeordnetes optisches Schutzelement, für das die erste Wärmesenke und/oder die zweite Wärmesenke einen Träger bilden. Die Auskopplung erfolgt in einer Hauptabstrahlrichtung. Eine elektrische Kontaktierung des Halbleiterkörpers erfolgt mittels der ersten Wärmesenke und der zweiten Wärmesenke. Die erste Wärmesenke und/oder die zweite Wärmesenke weisen auf einer der Auskoppelfläche gegenüberliegenden Seite, auf einer der ersten Hauptfläche gegenüberliegenden Seite und/oder einer der zweiten Hauptfläche gegenüberliegenden Seite Montageflächen auf. Es wird ferner ein Verfahren zur Herstellung eines optoelektronischen Halbleiterlaserbauelements angegeben.
(EN)
The invention relates to an optoelectronic semiconductor laser component. The optoelectronic semiconductor laser component comprises a semiconductor body having a first main surface, a second main surface, at least one active region formed between the first main surface and the second main surface, a decoupling surface extending from the first main surface to the second main surface, via which at least one part of the electromagnetic radiation is decoupled, a first heat sink arranged on the first main surface and a second heat sink arranged on the second main surface, and an optical protective element arranged downstream of the decoupling surface, for which the first heat sink and/or the second heat sink form a carrier. The decoupling occurs in a main radiation direction. An electrical contacting of the semiconductor body occurs by means of the first heat sink and the second heat sink. The first heat sink and/or the second heat sink have mounting surfaces on a side opposite the decoupling surface, on a side opposite the first main surface and/or a side opposite the second main surface. The invention also relates to a method for producing an optoelectronic semiconductor laser component.
(FR)
L'invention concerne un composant laser semiconducteur optoélectronique. Le composant laser semiconducteur optoélectronique comprend un corps en semiconducteur ayant une première surface principale, une deuxième surface principale, au moins une région active formée entre la première surface principale et la deuxième surface principale, une surface de découplage qui s'étend de la première surface principale à la deuxième surface principale, par laquelle au moins une partie du rayonnement électromagnétique est découplée, un premier dissipateur thermique disposé sur la première surface principale et un deuxième dissipateur thermique disposé sur la deuxième surface principale, et un élément de protection optique disposé en aval de la surface de découplage, pour lequel le premier dissipateur thermique et/ou le deuxième dissipateur thermique forment un support. Le découplage s'effectue dans une direction principale de rayonnement. Une mise en contact électrique du corps en semiconducteur est réalisée au moyen du premier dissipateur thermique et du deuxième dissipateur thermique. Le premier dissipateur thermique et/ou le deuxième dissipateur thermique possèdent des surfaces de montage sur un côté opposé à la surface de découplage, sur un côté opposé à la première surface principale et/ou sur un côté opposé à la deuxième surface principale. L'invention concerne en outre un procédé de fabrication d'un composant laser semiconducteur optoélectronique.
Auch veröffentlicht als
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