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1. WO2020108975 - INTERFEROMETEREINRICHTUNG UND VERFAHREN ZUR HERSTELLUNG EINER INTERFEROMETEREINRICHTUNG

Veröffentlichungsnummer WO/2020/108975
Veröffentlichungsdatum 04.06.2020
Internationales Aktenzeichen PCT/EP2019/080930
Internationales Anmeldedatum 12.11.2019
IPC
G01J 3/26 2006.01
GPhysik
01Messen; Prüfen
JMessen der Intensität, der Geschwindigkeit, der spektralen Zusammensetzung, der Polarisation, der Phase oder der Pulscharakteristik von infrarotem, sichtbarem oder ultraviolettem Licht; Farbmessung; Strahlungspyrometrie
3Spektrometrie; Spektrofotometrie; Monochromatoren; Farbmessung
12Erzeugen des Spektrums; Monochromatoren
26durch Mehrfachreflexion, z.B. Fabry-Perot-Interferometer, veränderliches Interferenzfilter
G01J 3/02 2006.01
GPhysik
01Messen; Prüfen
JMessen der Intensität, der Geschwindigkeit, der spektralen Zusammensetzung, der Polarisation, der Phase oder der Pulscharakteristik von infrarotem, sichtbarem oder ultraviolettem Licht; Farbmessung; Strahlungspyrometrie
3Spektrometrie; Spektrofotometrie; Monochromatoren; Farbmessung
02Einzelheiten
G01J 3/32 2006.01
GPhysik
01Messen; Prüfen
JMessen der Intensität, der Geschwindigkeit, der spektralen Zusammensetzung, der Polarisation, der Phase oder der Pulscharakteristik von infrarotem, sichtbarem oder ultraviolettem Licht; Farbmessung; Strahlungspyrometrie
3Spektrometrie; Spektrofotometrie; Monochromatoren; Farbmessung
28Untersuchen des Spektrums
30Messen der Intensität von Spektrallinien unmittelbar am Spektrum selbst
32Untersuchen von Bändern eines Spektrums nacheinander durch einen einzigen Detektor
G01J 3/453 2006.01
GPhysik
01Messen; Prüfen
JMessen der Intensität, der Geschwindigkeit, der spektralen Zusammensetzung, der Polarisation, der Phase oder der Pulscharakteristik von infrarotem, sichtbarem oder ultraviolettem Licht; Farbmessung; Strahlungspyrometrie
3Spektrometrie; Spektrofotometrie; Monochromatoren; Farbmessung
28Untersuchen des Spektrums
45Interferenz-Spektrometrie
453durch Korrelation der Amplituden
CPC
B81B 3/00
BPERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
81MICROSTRUCTURAL TECHNOLOGY
BMICROSTRUCTURAL DEVICES OR SYSTEMS, e.g. MICROMECHANICAL DEVICES
3Devices comprising flexible or deformable elements, e.g. comprising elastic tongues or membranes
B81B 7/02
BPERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
81MICROSTRUCTURAL TECHNOLOGY
BMICROSTRUCTURAL DEVICES OR SYSTEMS, e.g. MICROMECHANICAL DEVICES
7Microstructural systems; ; Auxiliary parts of microstructural devices or systems
02containing distinct electrical or optical devices of particular relevance for their function, e.g. microelectro-mechanical systems [MEMS]
B81C 1/00
BPERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
81MICROSTRUCTURAL TECHNOLOGY
CPROCESSES OR APPARATUS SPECIALLY ADAPTED FOR THE MANUFACTURE OR TREATMENT OF MICROSTRUCTURAL DEVICES OR SYSTEMS
1Manufacture or treatment of devices or systems in or on a substrate
G01B 9/02
GPHYSICS
01MEASURING; TESTING
BMEASURING LENGTH, THICKNESS OR SIMILAR LINEAR DIMENSIONS; MEASURING ANGLES; MEASURING AREAS; MEASURING IRREGULARITIES OF SURFACES OR CONTOURS
9Instruments as specified in the subgroups and characterised by the use of optical measuring means
02Interferometers ; for determining dimensional properties of, or relations between, measurement objects
G01J 3/02
GPHYSICS
01MEASURING; TESTING
JMEASUREMENT OF INTENSITY, VELOCITY, SPECTRAL CONTENT, POLARISATION, PHASE OR PULSE CHARACTERISTICS OF INFRA-RED, VISIBLE OR ULTRA-VIOLET LIGHT; COLORIMETRY; RADIATION PYROMETRY
3Spectrometry; Spectrophotometry; Monochromators; Measuring colours
02Details
G01J 3/0256
GPHYSICS
01MEASURING; TESTING
JMEASUREMENT OF INTENSITY, VELOCITY, SPECTRAL CONTENT, POLARISATION, PHASE OR PULSE CHARACTERISTICS OF INFRA-RED, VISIBLE OR ULTRA-VIOLET LIGHT; COLORIMETRY; RADIATION PYROMETRY
3Spectrometry; Spectrophotometry; Monochromators; Measuring colours
02Details
0256Compact construction
Anmelder
  • ROBERT BOSCH GMBH [DE]/[DE]
Erfinder
  • STEIN, Benedikt
  • HUSNIK, Martin
  • SCHELLING, Christoph
  • BUCK, Thomas
  • KRAEMMER, Christoph Daniel
  • ROEDEL, Reinhold
Prioritätsdaten
10 2018 220 272.926.11.2018DE
Veröffentlichungssprache Deutsch (DE)
Anmeldesprache Deutsch (DE)
Designierte Staaten
Titel
(DE) INTERFEROMETEREINRICHTUNG UND VERFAHREN ZUR HERSTELLUNG EINER INTERFEROMETEREINRICHTUNG
(EN) INTERFEROMETER DEVICE AND METHOD FOR PRODUCING AN INTERFEROMETER DEVICE
(FR) DISPOSITIF D’INTERFÉROMÉTRIE ET PROCÉDÉ DE FABRICATION D’UN DISPOSITIF D’INTERFÉROMÉTRIE
Zusammenfassung
(DE)
Die vorliegende Erfindung schafft eine Interferometereinrichtung (1) umfassend, ein Substrat (2); einen Zwischenschichtbereich (3), welche auf dem Substrat (2) aufgebracht ist; eine erste Spiegeleinrichtung (SP1) und eine zweite Spiegeleinrichtung (SP2), welche zueinander planparallel ausgerichtet sind und um einen ersten Abstand (d12) voneinander beabstandet sind und in dem Zwischenschichtbereich (3) eingefasst oder darauf angeordnet sind, wobei der Zwischenschichtbereich (3) in einem Innenbereich (IB) unterhalb der ersten Spiegeleinrichtung (SP1) und/oder unterhalb der zweiten Spiegeleinrichtung (SP2) entfernt ist; und eine lateral strukturierte Elektrode (E), welche einen ersten Teilbereich (E1) und zumindest einen lateral davon getrennten und elektrisch isolierten zweiten Teilbereich (E2) umfasst, welche an unterschiedliche elektrische Potentiale anschließbar sind, wobei die Elektrode (E) von der ersten oder der zweiten Spiegeleinrichtung (SP1; SP2) um einen zweiten Abstand (d2) entfernt angeordnet ist, wobei sich der erste Teilbereich (E1) im Innenbereich (IB) erstreckt und auf dem Zwischenschichtbereich (3) angeordnet ist und sich der zweite Teilbereich (E2) in einem Außenbereich (AB) des Zwischenschichtbereichs (3) erstreckt, so dass die erste Spiegeleinrichtung (SP1) und/oder die zweite Spiegeleinrichtung (SP2) durch den ersten Teilbereich (E1) im Innenbereich (IB) elektrostatisch und parallel zum Substrat (2) bewegbar ist und der erste Abstand (d12) variierbar ist.
(EN)
The invention relates to an interferometer device (1), comprising: a substrate (2); an intermediate layer region (3), which is applied to the substrate (2); a first mirror device (SP1) and a second mirror device (SP2), which are oriented plane-parallel to one another, are spaced apart from one another by a first distance (d12) and are enclosed in or arranged on the intermediate layer region (3), the intermediate layer region (3) being removed below the first mirror device (SP1) and/or below the second mirror device (SP2) in an inner region (IB); and a laterally structured electrode (E), which comprises a first subregion (E1) and at least one second subregion (E2), which is laterally separated from and electrically insulated from the first subregion, which subregions can be connected to different electric potentials, wherein: the electrode (E) is spaced apart from the first or the second mirror device (SP1; SP2) by a second distance (d2); the first subregion (E1) runs in the inner region (IB) and is arranged on the intermediate layer region (3) and the second subregion (E2) runs in an outer region (AB) of the intermediate layer region (3), such that the first mirror device (SP1) and/or the second mirror device (SP2) can be moved electrostatically in the inner region (IB) by means of the first subregion (E1), parallel to the substrate (2), and the first distance (d12) can be varied.
(FR)
La présente invention concerne un dispositif d’interférométrie (1) comprenant un substrat (2); une zone de couche intermédiaire (3) qui est appliquée sur le substrat (2); un premier ensemble miroir (SP1) et un second ensemble miroir (SP2) qui sont orientés de manière coplanaire et sont agencés à une première distance (d12) l’un de l’autre et sont compris dans la zone de couche intermédiaire (3) ou agencés dessus, la zone de couche intermédiaire (3) étant éloignée dans une zone intérieure (IB) en dessous du premier ensemble miroir (SP1) et/ou en dessous du second ensemble miroir (SP2); et une électrode (E) structurée latéralement, qui comprend une première zone partielle (E1) et au moins une deuxième zone partielle (E2), isolée électriquement et séparée latéralement de la première zone partielle, l’électrode (E) étant agencée éloignée d’une seconde distance (d2) par rapport au premier ou au second ensemble miroir (SP1; SP2), la première zone partielle (E1) s’étendant dans la zone intérieure (IB) et étant agencée sur la zone de couche intermédiaire (3) et la seconde zone partielle (E2) s’étendant dans une zone extérieure (AB) de la zone de couche intermédiaire (3), de sorte que le premier ensemble miroir (SP1) et/ou le second ensemble miroir (SP2) peuvent être déplacés par la première zone partielle (E1) dans la zone intérieure (IB) de manière électrostatique et parallèlement au substrat (2) et que la première distance (d12) peut être modulée.
Auch veröffentlicht als
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