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1. WO2020104514 - LICHTEMITTEREINHEIT MIT WENIGSTENS EINEM VCSEL-CHIP

Veröffentlichungsnummer WO/2020/104514
Veröffentlichungsdatum 28.05.2020
Internationales Aktenzeichen PCT/EP2019/081905
Internationales Anmeldedatum 20.11.2019
IPC
H01S 5/022 2006.01
HElektrotechnik
01Grundlegende elektrische Bauteile
SVorrichtungen, die den Prozess der Lichtverstärkung durch stimulierte Emission von Strahlung verwenden, um Licht zu verstärken oder zu erzeugen; Vorrichtungen, die stimulierte Emission von elektromagnetischer Strahlung in anderen als optischen Wellenlängenbereichen verwenden
5Halbleiterlaser
02Bauliche Einzelheiten oder Bauteile, die nicht für die Laseraktion maßgeblich sind
022Montagesockel oder Halterungen; Gehäuse
H01S 5/183 2006.01
HElektrotechnik
01Grundlegende elektrische Bauteile
SVorrichtungen, die den Prozess der Lichtverstärkung durch stimulierte Emission von Strahlung verwenden, um Licht zu verstärken oder zu erzeugen; Vorrichtungen, die stimulierte Emission von elektromagnetischer Strahlung in anderen als optischen Wellenlängenbereichen verwenden
5Halbleiterlaser
10Aufbau oder Form des optischen Resonators
18Oberflächenemittierende Laser
183mit vertikalem Resonator
H01S 5/026 2006.01
HElektrotechnik
01Grundlegende elektrische Bauteile
SVorrichtungen, die den Prozess der Lichtverstärkung durch stimulierte Emission von Strahlung verwenden, um Licht zu verstärken oder zu erzeugen; Vorrichtungen, die stimulierte Emission von elektromagnetischer Strahlung in anderen als optischen Wellenlängenbereichen verwenden
5Halbleiterlaser
02Bauliche Einzelheiten oder Bauteile, die nicht für die Laseraktion maßgeblich sind
026Monolithisch integrierte Komponenten, z.B. Wellenleiter, Monitor-Fotodetektoren oder Treiber
H01S 5/42 2006.01
HElektrotechnik
01Grundlegende elektrische Bauteile
SVorrichtungen, die den Prozess der Lichtverstärkung durch stimulierte Emission von Strahlung verwenden, um Licht zu verstärken oder zu erzeugen; Vorrichtungen, die stimulierte Emission von elektromagnetischer Strahlung in anderen als optischen Wellenlängenbereichen verwenden
5Halbleiterlaser
40Anordnungen von zwei oder mehr Halbleiterlasern, soweit nicht von Gruppen H01S5/02-H01S5/30125
42Array-Anordnungen von oberflächenemittierenden Lasern
CPC
H01S 2301/176
HELECTRICITY
01BASIC ELECTRIC ELEMENTS
SDEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
2301Functional characteristics
17Semiconductor lasers comprising special layers
176Specific passivation layers on surfaces other than the emission facet
H01S 5/02
HELECTRICITY
01BASIC ELECTRIC ELEMENTS
SDEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
5Semiconductor lasers
02Structural details or components not essential to laser action
H01S 5/022
HELECTRICITY
01BASIC ELECTRIC ELEMENTS
SDEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
5Semiconductor lasers
02Structural details or components not essential to laser action
022Mountings; Housings
H01S 5/02208
HELECTRICITY
01BASIC ELECTRIC ELEMENTS
SDEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
5Semiconductor lasers
02Structural details or components not essential to laser action
022Mountings; Housings
02208Shape of the housing
H01S 5/02228
HELECTRICITY
01BASIC ELECTRIC ELEMENTS
SDEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
5Semiconductor lasers
02Structural details or components not essential to laser action
022Mountings; Housings
02228filled with a resin, or the complete housing being made of resin
H01S 5/0224
HELECTRICITY
01BASIC ELECTRIC ELEMENTS
SDEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
5Semiconductor lasers
02Structural details or components not essential to laser action
022Mountings; Housings
02236Mounts or sub-mounts
0224Up-side down mounting, e.g. flip-chip or epi-side down mounted laser
Anmelder
  • OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH [DE]/[DE]
Erfinder
  • PAJKIC, Zeljko
  • NUETZEL, Florian
  • KNORR, Fabian
  • MUELLER, Michael
Vertreter
  • ZACCO PATENT- & RECHTSANWÄLTE
Prioritätsdaten
10 2018 129 575.823.11.2018DE
Veröffentlichungssprache Deutsch (DE)
Anmeldesprache Deutsch (DE)
Designierte Staaten
Titel
(DE) LICHTEMITTEREINHEIT MIT WENIGSTENS EINEM VCSEL-CHIP
(EN) LIGHT EMITTER UNIT HAVING AT LEAST ONE VCSEL CHIP
(FR) UNITÉ ÉMETTRICE DE LUMIÈRE DOTÉE D’AU MOINS UNE PUCE VCSEL
Zusammenfassung
(DE)
Beschrieben wird eine Lichtemittereinheit (10) mit wenigstens einem VCSEL-Chip (11), die eine Lichtaustrittsfläche (15), über die vom VCSEL-Chip (11) erzeugtes und senkrecht zur Chipebene abgestrahltes Licht in eine Umgebung (16) emittiert wird, und die Kontakte (17) zur Zuführung der für die Erzeugung des Lichts durch den VCSEL-Chip (11) benötigten elektrischen Energie aufweist. Die beschriebene technische Lösung zeichnet sich dadurch aus, dass zumindest eine senkrecht zur Chipebene angeordnete Seitenfläche (18) des VCSEL-Chips (11) wenigstens abschnittsweise von einem Abdeckelement (12) berührt und überdeckt wird.
(EN)
The invention relates to a light emitter unit (10) having at least one VCSEL chip (11), which light emitter unit comprises: a light exit surface (15), via which light produced by the VCSEL chip (11) and radiated perpendicularly to the chip plane is emitted into the surroundings (16); and contacts (17) for supplying the electrical energy required for the production of the light by the VCSEL chip (11). The described technical solution is characterized in that at least one lateral surface (18) of the VCSEL chip (11) arranged perpendicularly to the chip plane is touched and covered, at least in parts, by a cover element (12).
(FR)
L’invention concerne une unité émettrice de lumière (10) dotée d’au moins une puce VCSEL (11), laquelle unité émettrice de lumière présente une surface de sortie de lumière (15) sur laquelle la lumière générée par la puce VCSEL (11) et irradiée perpendiculairement au plan de la puce est émise dans un environnement (16), et des contacts (17) destinés à fournir l’énergie électrique nécessaire pour la génération de la lumière par la puce VCSEL (11). La solution technique décrite se caractérise en ce qu’au moins une surface latérale (18) de la puce VCSEL (11), disposée perpendiculairement au plan de la puce, entre en contact au moins par endroits avec un élément de recouvrement (12) et est recouverte par celui-ci.
Auch veröffentlicht als
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