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1. WO2020104251 - KANTENEMITTIERENDER HALBLEITERLASER

Veröffentlichungsnummer WO/2020/104251
Veröffentlichungsdatum 28.05.2020
Internationales Aktenzeichen PCT/EP2019/081009
Internationales Anmeldedatum 12.11.2019
IPC
H01S 5/323 2006.01
HElektrotechnik
01Grundlegende elektrische Bauteile
SVorrichtungen, die den Prozess der Lichtverstärkung durch stimulierte Emission von Strahlung verwenden, um Licht zu verstärken oder zu erzeugen; Vorrichtungen, die stimulierte Emission von elektromagnetischer Strahlung in anderen als optischen Wellenlängenbereichen verwenden
5Halbleiterlaser
30Aufbau oder Form des aktiven Gebiets; Materialien für das aktive Gebiet
32mit PN-Übergängen, z.B. Hetero- oder Doppelheterostrukturen
323in AIIIBV-Verbindungen, z.B. AlGaAs-Laser
H01S 5/02 2006.01
HElektrotechnik
01Grundlegende elektrische Bauteile
SVorrichtungen, die den Prozess der Lichtverstärkung durch stimulierte Emission von Strahlung verwenden, um Licht zu verstärken oder zu erzeugen; Vorrichtungen, die stimulierte Emission von elektromagnetischer Strahlung in anderen als optischen Wellenlängenbereichen verwenden
5Halbleiterlaser
02Bauliche Einzelheiten oder Bauteile, die nicht für die Laseraktion maßgeblich sind
H01S 5/32 2006.01
HElektrotechnik
01Grundlegende elektrische Bauteile
SVorrichtungen, die den Prozess der Lichtverstärkung durch stimulierte Emission von Strahlung verwenden, um Licht zu verstärken oder zu erzeugen; Vorrichtungen, die stimulierte Emission von elektromagnetischer Strahlung in anderen als optischen Wellenlängenbereichen verwenden
5Halbleiterlaser
30Aufbau oder Form des aktiven Gebiets; Materialien für das aktive Gebiet
32mit PN-Übergängen, z.B. Hetero- oder Doppelheterostrukturen
H01S 5/40 2006.01
HElektrotechnik
01Grundlegende elektrische Bauteile
SVorrichtungen, die den Prozess der Lichtverstärkung durch stimulierte Emission von Strahlung verwenden, um Licht zu verstärken oder zu erzeugen; Vorrichtungen, die stimulierte Emission von elektromagnetischer Strahlung in anderen als optischen Wellenlängenbereichen verwenden
5Halbleiterlaser
40Anordnungen von zwei oder mehr Halbleiterlasern, soweit nicht von Gruppen H01S5/02-H01S5/30125
H01S 5/20 2006.01
HElektrotechnik
01Grundlegende elektrische Bauteile
SVorrichtungen, die den Prozess der Lichtverstärkung durch stimulierte Emission von Strahlung verwenden, um Licht zu verstärken oder zu erzeugen; Vorrichtungen, die stimulierte Emission von elektromagnetischer Strahlung in anderen als optischen Wellenlängenbereichen verwenden
5Halbleiterlaser
20Aufbau oder Form des Halbleiterkörpers, der die optischen Wellen führt
CPC
H01S 2301/173
HELECTRICITY
01BASIC ELECTRIC ELEMENTS
SDEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
2301Functional characteristics
17Semiconductor lasers comprising special layers
173The laser chip comprising special buffer layers, e.g. dislocation prevention or reduction
H01S 5/02
HELECTRICITY
01BASIC ELECTRIC ELEMENTS
SDEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
5Semiconductor lasers
02Structural details or components not essential to laser action
H01S 5/0202
HELECTRICITY
01BASIC ELECTRIC ELEMENTS
SDEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
5Semiconductor lasers
02Structural details or components not essential to laser action
0201Separation of the wafer into individual elements, e.g. by dicing, cleaving, etching or directly during growth
0202Cleaving
H01S 5/20
HELECTRICITY
01BASIC ELECTRIC ELEMENTS
SDEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
5Semiconductor lasers
20Structure or shape of the semiconductor body to guide the optical wave ; ; Confining structures perpendicular to the optical axis, e.g. index or gain guiding, stripe geometry, broad area lasers, gain tailoring, transverse or lateral reflectors, special cladding structures, MQW barrier reflection layers
H01S 5/2009
HELECTRICITY
01BASIC ELECTRIC ELEMENTS
SDEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
5Semiconductor lasers
20Structure or shape of the semiconductor body to guide the optical wave ; ; Confining structures perpendicular to the optical axis, e.g. index or gain guiding, stripe geometry, broad area lasers, gain tailoring, transverse or lateral reflectors, special cladding structures, MQW barrier reflection layers
2004Confining in the direction perpendicular to the layer structure
2009by using electron barrier layers
H01S 5/32
HELECTRICITY
01BASIC ELECTRIC ELEMENTS
SDEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
5Semiconductor lasers
30Structure or shape of the active region; Materials used for the active region
32comprising PN junctions, e.g. hetero- or double- heterostructures
Anmelder
  • OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH [DE]/[DE]
Erfinder
  • WAGNER, Jan
  • BERGBAUER, Werner
  • EICHLER, Christoph
  • LELL, Alfred
  • BRUEDERL, Georg
  • PETER, Matthias
Vertreter
  • EPPING HERMANN FISCHER PATENTANWALTSGESELLSCHAFT MBH
Prioritätsdaten
10 2018 129 051.919.11.2018DE
Veröffentlichungssprache Deutsch (DE)
Anmeldesprache Deutsch (DE)
Designierte Staaten
Titel
(DE) KANTENEMITTIERENDER HALBLEITERLASER
(EN) EDGE-EMITTING SEMICONDUCTOR LASER
(FR) LASER À SEMI-CONDUCTEUR À ÉMISSION PAR LES BORDS
Zusammenfassung
(DE)
Es wird ein kantenemittierender Halbleiterlaser (100) angegeben, mit einer Halbleiterschichtenfolge (10), die auf einem Nitridverbindungshalbleitermaterial basiert, umfassend einen Wellenleiterbereich (3), der eine zwischen einer ersten Wellenleiterschicht (3A) und einer zweiten Wellenleiterschicht (3B) angeordnete aktive Schicht (4) aufweist, wobei - die Halbleiterschichtenfolge (10) ein außerhalb des Wellenleiterbereichs (3) angeordnetes Schichtsystem (20) zur Verminderung von Facettenstörungen in dem Wellenleiterbereich (3) aufweist, - das Schichtsystem (20) eine oder mehrere Schichten (21, 22) mit der Materialzusammensetzung A1xInyGa1-x-yN mit 0 ≤ x ≤ 1, 0 ≤ y < 1 und x + y ≤ 1 aufweist, - zumindest eine Schicht (21, 22) des Schichtsystems (22) einen Aluminiumanteil x > 0,05 oder einen Indiumanteil y ≥ 0,02 aufweist, und - eine Schichtspannung in dem Schichtsystem (20) zumindest bereichsweise mindestens 2 GPa beträgt.
(EN)
The invention relates to an edge-emitting semiconductor laser (100), comprising a semiconductor layer sequence (10) which is based on a nitride compound semiconductor material, comprising a waveguide region, which has an active layer (4) arranged between a first waveguide layer (3A) and a second waveguide layer (3B), wherein: the semiconductor layer sequence (10) comprises a layer system (20), which is arranged outside the waveguide region (3), for reducing facet interferences in the waveguide region (3), the layer system (20) comprises one or more layers (21, 22) having the material composition A1xInyGa1-x-yN, with 0 ≤ x ≤ 1, 0 ≤ y < 1 and x + y ≤ 1, at least one layer (21, 22) of the layer system (22) comprises an aluminium proportion x > 0.05 or an indium proportion y ≥ 0,02, and a layer tension in the layer system (20) is at least 2 GPa, at least in regions.
(FR)
La présente invention concerne un laser à semi-conducteur à émission par les bords (100) comprenant une séquence de couches semi-conductrices (10), qui est basée sur une matière semi-conductrice de composé de nitrure, comprenant une zone de guide d'ondes (3), qui comporte une couche active (4) disposée entre une première couche de guide d'ondes (3A) et une seconde couche de guide d'ondes (3B), la séquence de couches semi-conductrices (10) comportant un système de couches (20) disposé à l'extérieur de la zone de guide d'ondes (3) pour réduire les interférences de facette dans la zone de guide d'ondes (3), le système de couches (20) comportant au moins une couche (21, 22) avec la composition de matière A1xInyGa1-xy N avec 0 ≤ x ≤ 1 , 0 ≤ y <1 et x + y ≤ 1, au moins une couche (21, 22) du système de couches (22) comportant une fraction d'aluminium x > 0,05 ou une fraction d'indium y ≥ 0,02, et une tension de couche dans le système de couches (20) étant, au moins par zones, au moins 2 GPa.
Auch veröffentlicht als
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