In Bearbeitung

Bitte warten ...

Einstellungen

Einstellungen

Gehe zu Anmeldung

1. WO2020104233 - HALBLEITERLASER UND HERSTELLUNGSVERFAHREN FÜR EINEN HALBLEITERLASER

Veröffentlichungsnummer WO/2020/104233
Veröffentlichungsdatum 28.05.2020
Internationales Aktenzeichen PCT/EP2019/080864
Internationales Anmeldedatum 11.11.2019
IPC
H01S 5/022 2006.01
HElektrotechnik
01Grundlegende elektrische Bauteile
SVorrichtungen, die den Prozess der Lichtverstärkung durch stimulierte Emission von Strahlung verwenden, um Licht zu verstärken oder zu erzeugen; Vorrichtungen, die stimulierte Emission von elektromagnetischer Strahlung in anderen als optischen Wellenlängenbereichen verwenden
5Halbleiterlaser
02Bauliche Einzelheiten oder Bauteile, die nicht für die Laseraktion maßgeblich sind
022Montagesockel oder Halterungen; Gehäuse
CPC
G02B 27/01
GPHYSICS
02OPTICS
BOPTICAL ELEMENTS, SYSTEMS, OR APPARATUS
27Optical systems or apparatus not provided for by any of the groups G02B1/00 - G02B26/00, G02B30/00
01Head-up displays
H01S 5/022
HELECTRICITY
01BASIC ELECTRIC ELEMENTS
SDEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
5Semiconductor lasers
02Structural details or components not essential to laser action
022Mountings; Housings
H01S 5/0228
HELECTRICITY
01BASIC ELECTRIC ELEMENTS
SDEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
5Semiconductor lasers
02Structural details or components not essential to laser action
022Mountings; Housings
0228Out-coupling light
H01S 5/02296
HELECTRICITY
01BASIC ELECTRIC ELEMENTS
SDEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
5Semiconductor lasers
02Structural details or components not essential to laser action
022Mountings; Housings
0228Out-coupling light
02296Details of a window, e.g. special materials or special orientation for back-reflecting light to a detector inside the housing
Anmelder
  • OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH [DE]/[DE]
Erfinder
  • JANDER, Peter
Vertreter
  • EPPING HERMANN FISCHER PATENTANWALTSGESELLSCHAFT MBH
Prioritätsdaten
10 2018 129 346.121.11.2018DE
Veröffentlichungssprache Deutsch (DE)
Anmeldesprache Deutsch (DE)
Designierte Staaten
Titel
(DE) HALBLEITERLASER UND HERSTELLUNGSVERFAHREN FÜR EINEN HALBLEITERLASER
(EN) SEMICONDUCTOR LASER AND METHOD FOR PRODUCING A SEMICONDUCTOR LASER
(FR) LASER À SEMI-CONDUCTEURS ET PROCÉDÉ DE FABRICATION POUR UN LASER À SEMI-CONDUCTEURS
Zusammenfassung
(DE)
In einer Ausführungsform umfasst der Halbleiterlaser (1) ein Gehäuse (2), in dem mehrere Laserdiodenchips (31, 32, 33) eingekapselt sind. Das Gehäuse (2) umfasst eine Deckplatte (23) und/oder eine Seitenwand (20), die für die erzeugte Laserstrahlung (41, 42, 43) durchlässig ist. Die Deckplatte (23) und/oder die Seitenwand (20)weist eine Lichtaustrittsfläche (24) mit nebeneinanderliegenden Austrittsbereichen (61, 62, 63) auf. Jedem der Austrittsbereiche (61, 62, 63) ist genau eine der Laserdiodenchips (31, 32, 33) zugeordnet. Der Lichtaustrittsfläche (24) ist eine Lichtaustrittsebene (26) nachgeordnet. Die Deckplatte (23) und/oder die Seitenwand (20) weist in den Austrittsbereichen (61, 62, 63) unterschiedliche mittlere Dicken auf, sodass eine optische Weglänge für die Laserstrahlung aller Laserdiodenchips (31, 32, 33) bis zur Lichtaustrittsebene (26) mit einer Toleranz von höchstens 1,5 µm gleich ist.
(EN)
In one embodiment, the semiconductor laser (1) comprises a housing (2) in which multiple laser diode chips (31, 32, 33) are encapsulated. The housing (2) comprises a cover panel (23) and/or a lateral wall (20) which is permeable to the generated laser radiation (41, 42, 43). The cover panel (23) and/or the lateral wall (20) has a light outlet surface (24) with adjacent outlet regions (61, 62, 63). Each of the outlet regions (61, 62, 63) is paired with precisely one of the laser diode chips (31, 32, 33). The light outlet surface (24) is arranged downstream of a light outlet plane (26). The cover panel (23) and/or the lateral wall (20) has a different average thickness in the outlet regions (61, 62, 63) such that the optical wavelength for the laser radiation of all of the laser diode chips (31, 32, 33) is the same up to the light outlet plane (26) with a tolerance of maximally 1.5 µm.
(FR)
Dans un mode de réalisation, le laser à semi-conducteurs (1) comporte un boîtier (2) dans lequel sont encapsulées plusieurs puces de diode laser (31, 32, 33). Le boîtier (2) comporte un couvercle plat (23) et/ou une paroi latérale (20) qui laisse passer le rayonnement laser généré (41, 42, 43). Le couvercle plat (23) et/ou la paroi latérale (20) comprennent une surface de sortie de lumière (24) ayant des zones de sortie (61, 62, 63) situées à côté les unes des autres. Une des puces de diode laser (31, 32, 33) est associée à chacune des zones de sortie (61, 62, 63). Un plan de sortie de lumière (26) est placé en aval de la surface de sortie de lumière (24). Le couvercle plat (23) et/ou la paroi latérale (20) présentent des épaisseurs moyennes différentes dans les zones de sortie (61, 62, 63) de sorte qu’une longueur de trajet optique est identique pour le rayonnement laser de toutes les puces de diode laser (31, 32, 33) jusqu’au plan de sortie de lumière (26) avec une tolérance d’au plus 1,5 µm.
Auch veröffentlicht als
Aktuellste beim Internationalen Büro vorliegende bibliographische Daten