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1. WO2020104232 - VERFAHREN ZUR HERSTELLUNG VON HALBLEITERLASERN UND HALBLEITERLASER

Veröffentlichungsnummer WO/2020/104232
Veröffentlichungsdatum 28.05.2020
Internationales Aktenzeichen PCT/EP2019/080861
Internationales Anmeldedatum 11.11.2019
IPC
H01S 5/022 2006.01
HElektrotechnik
01Grundlegende elektrische Bauteile
SVorrichtungen, die den Prozess der Lichtverstärkung durch stimulierte Emission von Strahlung verwenden, um Licht zu verstärken oder zu erzeugen; Vorrichtungen, die stimulierte Emission von elektromagnetischer Strahlung in anderen als optischen Wellenlängenbereichen verwenden
5Halbleiterlaser
02Bauliche Einzelheiten oder Bauteile, die nicht für die Laseraktion maßgeblich sind
022Montagesockel oder Halterungen; Gehäuse
CPC
H01S 5/02208
HELECTRICITY
01BASIC ELECTRIC ELEMENTS
SDEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
5Semiconductor lasers
02Structural details or components not essential to laser action
022Mountings; Housings
02208Shape of the housing
H01S 5/0222
HELECTRICITY
01BASIC ELECTRIC ELEMENTS
SDEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
5Semiconductor lasers
02Structural details or components not essential to laser action
022Mountings; Housings
0222filled with special gases
H01S 5/02228
HELECTRICITY
01BASIC ELECTRIC ELEMENTS
SDEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
5Semiconductor lasers
02Structural details or components not essential to laser action
022Mountings; Housings
02228filled with a resin, or the complete housing being made of resin
H01S 5/02252
HELECTRICITY
01BASIC ELECTRIC ELEMENTS
SDEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
5Semiconductor lasers
02Structural details or components not essential to laser action
022Mountings; Housings
02236Mounts or sub-mounts
02248Mechanically integrated components on a mount or an optical microbench, e.g. optical components, detectors, etc.
02252Relative positioning of laser diode and optical components, e.g. grooves in the mount to fix an optical fibre or a lens
H01S 5/02276
HELECTRICITY
01BASIC ELECTRIC ELEMENTS
SDEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
5Semiconductor lasers
02Structural details or components not essential to laser action
022Mountings; Housings
02236Mounts or sub-mounts
02276Wire-bonding details
H01S 5/02292
HELECTRICITY
01BASIC ELECTRIC ELEMENTS
SDEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
5Semiconductor lasers
02Structural details or components not essential to laser action
022Mountings; Housings
0228Out-coupling light
02292with a beam deflecting element
Anmelder
  • OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH [DE]/[DE]
Erfinder
  • SCHWARZ, Thomas
  • PLÖSSL, Andreas
  • SORG, Jörg Erich
  • SINGER, Frank
Vertreter
  • EPPING HERMANN FISCHER PATENTANWALTSGESELLSCHAFT MBH
Prioritätsdaten
10 2018 129 343.721.11.2018DE
Veröffentlichungssprache Deutsch (DE)
Anmeldesprache Deutsch (DE)
Designierte Staaten
Titel
(DE) VERFAHREN ZUR HERSTELLUNG VON HALBLEITERLASERN UND HALBLEITERLASER
(EN) METHOD FOR PRODUCING SEMICONDUCTOR LASERS, AND SEMICONDUCTOR LASERS
(FR) PROCÉDÉ DE FABRICATION DE LASERS À SEMI-CONDUCTEURS ET LASER À SEMI-CONDUCTEURS
Zusammenfassung
(DE)
In einer Ausführungsform dient das Verfahren zur Herstellung von Halbleiterlasern (1) und beinhaltet die folgenden Schrittein der angegebenen Reihenfolge: A) Anbringen einer Vielzahl von kantenemittierenden Laserdioden (2) auf einem Montagesubstrat (3), B) Anbringen eines Verkapselungselements (4), sodass die Laserdioden (2) jeweils in einer Kavität (42) zwischen dem Montagesubstrat (3) und dem zugehörigen Verkapselungselement (4) angebracht werden, C) Betreiben der Laserdioden (2) und Bestimmen von Abstrahlrichtungen (22) der Laserdioden (2),D) Erzeugen von Materialschäden (45) in Teilgebieten (44) des Verkapselungselements (4), wobei die Teilgebiete (44) den Laserdioden (2) eindeutig zugeordnet sind, E) kollektives Entfernen von Material des Verkapselungselements (4), wobei dieses Material von den Materialschäden (45) betroffen ist, sodass für die Laserdioden (2) in den Teilgebieten (44) individuelle Optikflächen (5) zur Strahlformung entstehen, und F) Vereinzeln zu den Halbleiterlasern (1).
(EN)
In one embodiment, the method serves for producing semiconductor lasers (1) and includes the following steps in the order indicated: A) applying a multiplicity of edge emitting laser diodes (2) on a mounting substrate (3), B) applying an encapsulation element (4), such that the laser diodes (2) are applied in each case in a cavity (42) between the mounting substrate (3) and the associated encapsulation element (4), C) operating the laser diodes (2) and determining emission directions (22) of the laser diodes (2), D) producing material damage (45) in partial regions (44) of the encapsulation element (4), wherein the partial regions (44) are uniquely assigned to the laser diodes (2), E) collectively removing material of the encapsulation element (4), said material being affected by the material damage (45), with the result that individual optical surfaces (5) for beam shaping arise for the laser diodes (2) in the partial regions (44), and F) singulating to form the semiconductor lasers (1).
(FR)
Un mode de réalisation concerne un procédé de fabrication de lasers à semi-conducteurs (1) qui comprend les étapes suivantes dans l’ordre indiqué : A) le dépôt d’une pluralité de diodes laser (2) électroluminescentes par le bord sur un substrat de montage (3) ; B) le dépôt d’un élément d’encapsulage (4) de sorte que les diodes laser (2) sont installées chacune dans une cavité (42) entre le substrat de montage (3) et l’élément d’encapsulage (4) associé ; C) la mise en service des diodes laser (2) et la détermination de directions de rayonnement (22) des diodes laser (2) ; D) la formation de dégâts matériels (45) dans des zones partielles (44) de l’élément d’encapsulage (4), les zones partielles (44) étant attribuées de manière univoque aux diodes laser (2) ; E) la suppression collective de matériau de l’élément d’encapsulage (4), ce matériau étant concerné par les dégâts matériels (45) de sorte que les diodes laser (2) constituent dans les zones partielles (44) des surfaces optiques individuelles (5) pour former des faisceaux ; et F) la séparation en des lasers à semi-conducteurs (1).
Auch veröffentlicht als
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