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1. WO2020104207 - OPTOELEKTRONISCHES HALBLEITERBAUELEMENT UND ANORDNUNG

Veröffentlichungsnummer WO/2020/104207
Veröffentlichungsdatum 28.05.2020
Internationales Aktenzeichen PCT/EP2019/080579
Internationales Anmeldedatum 07.11.2019
IPC
H01L 33/62 2010.01
HElektrotechnik
01Grundlegende elektrische Bauteile
LHalbleiterbauelemente; elektrische Festkörperbauelemente, soweit nicht anderweitig vorgesehen
33Halbleiterbauelemente mit wenigstens einer Potenzialsprung-Sperrschicht oder Oberflächensperrschicht, besonders ausgebildet zur Lichtemission; Verfahren oder Vorrichtungen, besonders ausgebildet für die Herstellung oder Behandlung dieser Bauelemente oder Teilen davon; Einzelheiten dieser Bauelemente
48charakterisiert durch das Gehäuse
62Anordnungen für die Zu- oder Ableitung von elektrischem Strom zu bzw. von den Halbleiterkörpern, z.B. Leiterrahmen, Bonddrähte oder Lotkugeln
H01L 25/16 2006.01
HElektrotechnik
01Grundlegende elektrische Bauteile
LHalbleiterbauelemente; elektrische Festkörperbauelemente, soweit nicht anderweitig vorgesehen
25Baugruppen, die aus einer Mehrzahl von einzelnen Halbleiter- oder anderen Festkörperbauelementen bestehen
16wobei die Bauelemente aus Arten bestehen, wie sie in zwei oder mehr der Hauptgruppen H01L27/-H01L51/136
H01L 23/522 2006.01
HElektrotechnik
01Grundlegende elektrische Bauteile
LHalbleiterbauelemente; elektrische Festkörperbauelemente, soweit nicht anderweitig vorgesehen
23Einzelheiten von Halbleiter- oder anderen Festkörperbauelementen
52Anordnungen zur Stromleitung innerhalb des im Betrieb befindlichen Bauelements von einem Schaltungselement zum anderen
522einschließlich externer Verbindungsleitungen, die aus einer mehrschichtigen Anordnung aus leitenden und isolierenden Schichten aufgebaut und untrennbar an dem Halbleiterkörper angebracht sind
CPC
H01L 23/5227
HELECTRICITY
01BASIC ELECTRIC ELEMENTS
LSEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
23Details of semiconductor or other solid state devices
52Arrangements for conducting electric current within the device in operation from one component to another ; , i.e. interconnections, e.g. wires, lead frames
522including external interconnections consisting of a multilayer structure of conductive and insulating layers inseparably formed on the semiconductor body
5227Inductive arrangements or effects of, or between, wiring layers
H01L 25/167
HELECTRICITY
01BASIC ELECTRIC ELEMENTS
LSEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
25Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; ; Multistep manufacturing processes thereof
16the devices being of types provided for in two or more different main groups of H01L27/00 - H01L49/00 ; and H01L51/00; , e.g. forming hybrid circuits
167comprising optoelectronic devices, e.g. LED, photodiodes
H01L 33/62
HELECTRICITY
01BASIC ELECTRIC ELEMENTS
LSEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
33Semiconductor devices with at least one potential-jump barrier or surface barrier specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
48characterised by the semiconductor body packages
62Arrangements for conducting electric current to or from the semiconductor body, e.g. lead-frames, wire-bonds or solder balls
Anmelder
  • OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH [DE]/[DE]
Erfinder
  • HIEN, Matthias
  • GOLDBACH, Matthias
Vertreter
  • EPPING HERMANN FISCHER PATENTANWALTSGESELLSCHAFT MBH
Prioritätsdaten
10 2018 129 003.919.11.2018DE
Veröffentlichungssprache Deutsch (DE)
Anmeldesprache Deutsch (DE)
Designierte Staaten
Titel
(DE) OPTOELEKTRONISCHES HALBLEITERBAUELEMENT UND ANORDNUNG
(EN) OPTOELECTRONIC SEMICONDUCTOR COMPONENT AND ARRANGEMENT
(FR) COMPOSANT SEMI-CONDUCTEUR OPTOÉLECTRONIQUE ET DISPOSITIF
Zusammenfassung
(DE)
Es wird ein optoelektronisches Halbleiterbauelement (1) umfassend, einen Halbleiterkörper (10) mit einer Hauptabstrahlfläche (A) und einem zur Emission von elektromagnetischer Strahlung eingerichteten aktiven Bereich (100), und ein Empfangselement (20), das auf der der Hauptabstrahlfläche (A) abgewandten Seite des Halbleiterkörpers (10) angeordnet ist angegeben. Dem Empfangselement (20) ist eine Empfängerfrequenz zugeordnet, und es ist dazu eingerichtet, Energie zum Betreiben des aktiven Bereichs (100) aus einem elektromagnetischen Wechselfeld zu entnehmen. Es wird ferner eine Anordnung (2), umfassend zumindest zwei optoelektronische Halbleiterbauelemente (1) angegeben.
(EN)
An optoelectronic semiconductor component (1) is specified, comprising a semiconductor body (10) having a main emission surface (A) and an active region (100) configured for emitting electromagnetic radiation, and a receiving element (20) arranged on the side of the semiconductor body (10) facing away from the main emission surface (A). A receiver frequency is assigned to the receiving element (20), and the latter is configured to draw energy for operating the active region (100) from an alternating electromagnetic field. Furthermore, an arrangement (2) comprising at least two optoelectronic semiconductor components (1) is specified.
(FR)
L’invention concerne un composant semi-conducteur optoélectronique (1), un corps semi-conducteur (10) présentant une surface de rayonnement principal (A) et une zone active (100) conçue pour émettre un rayonnement électromagnétique, ainsi qu’un élément récepteur (20) disposé sur le côté du corps semi-conducteur (10) opposé à la surface de rayonnement principal (A). Une fréquence de réception est associée à l’élément récepteur (20) et il est prévu de prélever de l’énergie pour faire fonctionner la zone active (100) à partir d’un champ alternatif électromagnétique. L’invention concerne également un dispositif (2) comprenant au moins deux composants semi-conducteur optoélectroniques (1).
Auch veröffentlicht als
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