In Bearbeitung

Bitte warten ...

Einstellungen

Einstellungen

Goto Application

1. WO2020083917 - SCHIRMPLATTE FÜR EINEN CVD-REAKTOR

Veröffentlichungsnummer WO/2020/083917
Veröffentlichungsdatum 30.04.2020
Internationales Aktenzeichen PCT/EP2019/078738
Internationales Anmeldedatum 22.10.2019
IPC
H01J 37/32 2006.01
HElektrotechnik
01Grundlegende elektrische Bauteile
JElektrische Entladungsröhren oder Entladungslampen
37Entladungsröhren mit Vorkehrung zum Einführen von Gegenständen oder Werkstoffen, die der Entladung ausgesetzt werden sollen, z.B. zur Prüfung oder Bearbeitung derselben
32Gasgefüllte Entladungsröhren
C23C 16/455 2006.01
CChemie; Hüttenwesen
23Beschichten metallischer Werkstoffe; Beschichten von Werkstoffen mit metallischen Stoffen; Chemische Oberflächenbehandlung; Diffusionsbehandlung von metallischen Werkstoffen; Beschichten allgemein durch Vakuumbedampfen, Aufstäuben, Ionenimplantation oder chemisches Abscheiden aus der Dampfphase; Inhibieren von Korrosion metallischer Werkstoffe oder von Verkrustung allgemein
CBeschichten metallischer Werkstoffe; Beschichten von Werkstoffen mit metallischen Stoffen; Oberflächenbehandlung metallischer Werkstoffe durch Diffusion in die Oberfläche, durch chemische Umwandlung oder Substitution; Beschichten allgemein durch Vakuumbedampfen, durch Aufstäuben, durch Ionenimplantation oder durch chemisches Abscheiden aus der Dampfphase
16Chemisches Beschichten durch Zersetzen gasförmiger Verbindungen ohne Verbleiben von Reaktionsprodukten des Oberflächenmaterials im Überzug, d.h. Verfahren zur chemischen Abscheidung aus der Dampfphase
44gekennzeichnet durch das Beschichtungsverfahren
455gekennzeichnet durch das Verfahren zum Einführen von Gasen in den Reaktionsraum oder zum Modifizieren von Gasströmungen im Reaktionsraum
CPC
C23C 16/455
CCHEMISTRY; METALLURGY
23COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
CCOATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
16Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes
44characterised by the method of coating
455characterised by the method used for introducing gases into reaction chamber or for modifying gas flows in reaction chamber
H01J 37/32091
HELECTRICITY
01BASIC ELECTRIC ELEMENTS
JELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
37Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
32Gas-filled discharge tubes, ; e.g. for surface treatment of objects such as coating, plating, etching, sterilising or bringing about chemical reactions
32009Arrangements for generation of plasma specially adapted for examination or treatment of objects, e.g. plasma sources
32082Radio frequency generated discharge
32091the radio frequency energy being capacitively coupled to the plasma
H01J 37/3244
HELECTRICITY
01BASIC ELECTRIC ELEMENTS
JELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
37Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
32Gas-filled discharge tubes, ; e.g. for surface treatment of objects such as coating, plating, etching, sterilising or bringing about chemical reactions
32431Constructional details of the reactor
3244Gas supply means
H01J 37/32449
HELECTRICITY
01BASIC ELECTRIC ELEMENTS
JELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
37Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
32Gas-filled discharge tubes, ; e.g. for surface treatment of objects such as coating, plating, etching, sterilising or bringing about chemical reactions
32431Constructional details of the reactor
3244Gas supply means
32449Gas control, e.g. control of the gas flow
Anmelder
  • AIXTRON SE [DE]/[DE]
Erfinder
  • BOYD, Adam
  • KRÜCKEN, Wilhelm Josef Thomas
  • JIANG, Honggen
  • CRAWLEY, Fred Michael Andrew
Vertreter
  • GRUNDMANN, Dirk
  • MÜLLER, Enno
  • BRÖTZ, Helmut
  • BOURREE, Hendrik
Prioritätsdaten
10 2018 126 617.025.10.2018DE
Veröffentlichungssprache Deutsch (DE)
Anmeldesprache Deutsch (DE)
Designierte Staaten
Titel
(DE) SCHIRMPLATTE FÜR EINEN CVD-REAKTOR
(EN) SHIELD PLATE FOR A CVD REACTOR
(FR) PLAQUE FORMANT ÉCRAN POUR UN RÉACTEUR DE CVD
Zusammenfassung
(DE)
Die Erfindung betrifft einen CVD-Reaktor mit einem einen kreisförmigen Grundriss aufweisenden Gaseinlassorgan, welches eine zu einer Prozesskammer (11) weisende, gekühlte Deckenplatte (8) und einen von einer Heizeinrichtung (4) beheizbaren Suszeptor (3) aufweist, wobei die Deckenplatte (8) Austrittsöffnungen (12') aufweist, und mit einer an die Deckenplatte (8) angrenzenden, einen kreisförmigen Grundriss aufweisenden Schirmplatte (10), die eine Zentralzone, eine die Zentralzone umgebende Ringzone (18), eine zur Deckenplatte (8) weisenden Rückseite (16) und eine erste, ebene, zur Prozesskammer (11) weisende Gasaustrittsfläche (14), in die Gasaustrittsöffnungen (15) münden, aufweist, wobei die Rückseite (16) in der Zentralzone eine parallel zur Gasaustrittsfläche (14) verlaufende Rückseitenebene definiert und wobei die Rückseite (16) Strukturen (18, 19, 20) aufweist zur Beeinflussung der thermischen Ankopplung der Schirmplatte (10) an die Deckenplatte (8) und/oder zur Beeinflussung des Wärmeflusses durch die Schirmplatte (10), welche Strukturen (18, 19, 20) zumindest eine Erhebung und/oder eine Vertiefung gegenüber der Rückseitenebene ausbilden. Um Mittel anzugeben, mit denen sich das Temperaturprofil einer Prozesskammerdecke lokal beeinflussen lässt, schlägt die Erfindung vor, dass die Schirmplatte (10) eine von einem Abstand zwischen Gasaustrittsfläche (14) und Rückseitenebene definierte Materialstärke (d) im Bereich von 3 bis 12mm aufweist und dass die Schirmplatte (10) von einer von der Deckenplatte (8) ausgebildeten zweiten Gasaustrittsfläche (8') durch einen von einem Abstand zwischen der zweiten Gasaustrittsfläche (8') und der Rückseitenebene definierten Spalt (17) mit einer Spalthöhe (s) in einem Bereich von 0,3 bis 1mm beabstandet ist.
(EN)
The invention relates to a CVD reactor, comprising a gas inlet member having a circular outline, which gas inlet member has a cooled ceiling panel (8) pointing toward a process chamber (11), and a susceptor (3) that can be heated by a heating device (4), wherein the ceiling panel (8) has outlet openings (12'). Said CVD reactor further comprises a shield plate (10), which adjoins the ceiling panel (8) and has a circular outline, which shield plate has a central zone, an annular zone (18) surrounding the central zone, having a rear side (16) that points toward the ceiling panel (8), and a first, flat gas outlet surface (14) pointing toward the process chamber (11), in which gas outlet openings (15) terminate. The rear side (16) in the central zone defines a rear side plane running parallel to the gas outlet surface (14), wherein the rear side (16) has structures (18, 19, 20) for influencing the thermal coupling of the shield plate (10) to the ceiling panel (8) and/or for influencing the heat flow through the shield plate (10), said structures (18, 19, 20) forming at least one elevation and/or one depression with respect to the rear side plane. The aim of the invention is to provide means, by means of which the temperature profile of a process chamber ceiling can be locally influenced. This aim is achieved, according to the invention, in that the shield plate (10) has a material thickness (d) in the range from 3 to 12 mm defined by a distance between the gas outlet surface (14) and the rear side plane, and that the shield plate (10) is spaced apart from a second gas outlet surface (8′) formed by the ceiling plate by a gap (17) defined by a distance between the second gas outlet surface (8′) and the rear side plane having a gap height (s) in a range of 0.3 to 1 mm.
(FR)
L'invention concerne un réacteur de CVD comprenant un organe d'admission de gaz ayant un plan horizontal circulaire, lequel possède une plaque de couverture (8) refroidie orientée vers une chambre de traitement (11) et un suscepteur (3) pouvant être chauffé par un dispositif de chauffage (4), la plaque de couverture (8) possédant des ouvertures de sortie (12'), et comprenant une plaque formant écran (10) ayant un plan horizontal circulaire adjacente à la plaque de couverture (8), laquelle possède une zone centrale, une zone annulaire (18) qui entoure la zone centrale, un côté arrière (16) orienté vers la plaque de couverture (8) et une première surface de sortie de gaz (14) orientée vers la chambre de traitement (11) et dans laquelle débouchent des ouvertures de sortie de gaz (15). Le côté arrière (16) définit dans la zone centrale un plan de côté arrière qui suit un tracé parallèle à la surface de sortie de gaz (14) et le côté arrière (16) possède des structures (18, 19, 20) destinées à influencer le couplage thermique de la plaque formant écran (10) avec la plaque de couverture (8) et/ou à influencer le flux de chaleur à travers la plaque formant écran (10), lesdites structures (18, 19, 20) formant au moins une élévation et/ou une empreinte par rapport au plan de côté arrière. L'invention vise à indiquer des moyens qui permettent d'influencer localement le profil de température du plafond d'une chambre de traitement et propose à cet effet que la plaque formant écran (10) présente une épaisseur de matériau (d) dans la plage de 3 à 12 mm, définie par une distance entre la surface de sortie de gaz (14) et le plan de côté arrière, et que la plaque formant écran (10) est espacée d'une deuxième surface de sortie de gaz (8') formée par la plaque de couverture (8) par un interstice (17), défini par une distance entre la deuxième surface de sortie de gaz (8') et le plan de côté arrière, avec une hauteur d'interstice (s) dans une plage de 0,3 à 1 mm.
Auch veröffentlicht als
Aktuellste beim Internationalen Büro vorliegende bibliographische Daten