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1. WO2020074444 - STRAHLUNGSEMITTIERENDES BAUTEIL UND VERFAHREN ZUR HERSTELLUNG EINES STRAHLUNGSEMITTIERENDEN BAUTEILS

Veröffentlichungsnummer WO/2020/074444
Veröffentlichungsdatum 16.04.2020
Internationales Aktenzeichen PCT/EP2019/077084
Internationales Anmeldedatum 07.10.2019
IPC
H01L 25/075 2006.01
HElektrotechnik
01Grundlegende elektrische Bauteile
LHalbleiterbauelemente; elektrische Festkörperbauelemente, soweit nicht anderweitig vorgesehen
25Baugruppen, die aus einer Mehrzahl von einzelnen Halbleiter- oder anderen Festkörperbauelementen bestehen
03wobei alle Bauelemente von einer Art sind, wie sie in der gleichen Untergruppe einer der Gruppen H01L27/-H01L51/148
04wobei die Bauelemente keine gesonderten Gehäuse besitzen
075wobei die Bauelemente von einer Art sind, wie sie in Gruppe H01L33/87
H01L 33/00 2010.01
HElektrotechnik
01Grundlegende elektrische Bauteile
LHalbleiterbauelemente; elektrische Festkörperbauelemente, soweit nicht anderweitig vorgesehen
33Halbleiterbauelemente mit wenigstens einer Potenzialsprung-Sperrschicht oder Oberflächensperrschicht, besonders ausgebildet zur Lichtemission; Verfahren oder Vorrichtungen, besonders ausgebildet für die Herstellung oder Behandlung dieser Bauelemente oder Teilen davon; Einzelheiten dieser Bauelemente
H01L 33/50 2010.01
HElektrotechnik
01Grundlegende elektrische Bauteile
LHalbleiterbauelemente; elektrische Festkörperbauelemente, soweit nicht anderweitig vorgesehen
33Halbleiterbauelemente mit wenigstens einer Potenzialsprung-Sperrschicht oder Oberflächensperrschicht, besonders ausgebildet zur Lichtemission; Verfahren oder Vorrichtungen, besonders ausgebildet für die Herstellung oder Behandlung dieser Bauelemente oder Teilen davon; Einzelheiten dieser Bauelemente
48charakterisiert durch das Gehäuse
50Bestandteile zur Wellenlängenkonversion
CPC
H01L 25/0753
HELECTRICITY
01BASIC ELECTRIC ELEMENTS
LSEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
25Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; ; Multistep manufacturing processes thereof
03all the devices being of a type provided for in the same subgroup of groups H01L27/00 - H01L51/00, e.g. assemblies of rectifier diodes
04the devices not having separate containers
075the devices being of a type provided for in group H01L33/00
0753the devices being arranged next to each other
H01L 2933/0041
HELECTRICITY
01BASIC ELECTRIC ELEMENTS
LSEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
2933Details relating to devices covered by the group H01L33/00 but not provided for in its subgroups
0008Processes
0041relating to wavelength conversion elements
H01L 33/00
HELECTRICITY
01BASIC ELECTRIC ELEMENTS
LSEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
33Semiconductor devices with at least one potential-jump barrier or surface barrier specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
H01L 33/504
HELECTRICITY
01BASIC ELECTRIC ELEMENTS
LSEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
33Semiconductor devices with at least one potential-jump barrier or surface barrier specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
48characterised by the semiconductor body packages
50Wavelength conversion elements
501characterised by the materials, e.g. binder
502Wavelength conversion materials
504Elements with two or more wavelength conversion materials
H01L 33/505
HELECTRICITY
01BASIC ELECTRIC ELEMENTS
LSEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
33Semiconductor devices with at least one potential-jump barrier or surface barrier specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
48characterised by the semiconductor body packages
50Wavelength conversion elements
505characterised by the shape, e.g. plate or foil
H01L 33/508
HELECTRICITY
01BASIC ELECTRIC ELEMENTS
LSEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
33Semiconductor devices with at least one potential-jump barrier or surface barrier specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
48characterised by the semiconductor body packages
50Wavelength conversion elements
508having a non-uniform spatial arrangement or non-uniform concentration, e.g. patterned wavelength conversion layer, wavelength conversion layer with a concentration gradient of the wavelength conversion material
Anmelder
  • OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH [DE]/[DE]
Erfinder
  • HERTOG, Wim
Vertreter
  • EPPING HERMANN FISCHER PATENTANWALTSGESELLSCHAFT MBH
Prioritätsdaten
10 2018 125 138.611.10.2018DE
Veröffentlichungssprache Deutsch (DE)
Anmeldesprache Deutsch (DE)
Designierte Staaten
Titel
(DE) STRAHLUNGSEMITTIERENDES BAUTEIL UND VERFAHREN ZUR HERSTELLUNG EINES STRAHLUNGSEMITTIERENDEN BAUTEILS
(EN) RADIATION-EMITTING COMPONENT AND METHOD FOR PRODUCING A RADIATION-EMITTING COMPONENT
(FR) COMPOSANT ÉMETTANT UN RAYONNEMENT ET PROCÉDÉ DE FABRICATION D’UN COMPOSANT ÉMETTANT UN RAYONNEMENT
Zusammenfassung
(DE)
Es wird ein strahlungsemittierendes Bauteil (1) angegeben mit: - einem strahlungsemittierenden Halbleiterchip (2), der eine Deckfläche (3) und zumindest eine Seitenfläche (4) aufweist, - einem ersten Konversionselement (5), und - einem zweiten Konversionselement (6), wobei - das erste Konversionselement (5) auf der Deckfläche des Halbleiterchips (3) angeordnet ist, - das zweite Konversionselement (6) auf der zumindest einen Seitenfläche des Halbleiterchips (4) angeordnet ist, und - das zweite Konversionselement (6) eine Bodenfläche des ersten Konversionselements (5) in vertikaler Richtung nicht überragt. Weiterhin wird ein Verfahren zur Herstellung eines solchen strahlungsemittierenden Bauteils (1) angegeben.
(EN)
The invention relates to a radiation-emitting component (1) comprising: - a radiation-emitting semiconductor chip (2) which has a top surface (3) and at least one side surface (4), - a first conversion element (5), and - a second conversion element (6), wherein - the first conversion element (5) is arranged on the top surface of the semiconductor chip (3), - the second conversion element (6) is arranged on the at least one side surface of the semiconductor chip (4), and - the second conversion element (6) does not project beyond a bottom surface of the first conversion element (5) in the vertical direction. Also disclosed is a method for producing such a radiation-emitting component (1).
(FR)
L’invention concerne un composant émettant un rayonnement (1) comprenant : - une puce semi-conductrice (2) émettant un rayonnement, qui comprend une surface de recouvrement (3) et au moins une surface latérale (4), - un premier élément de conversion (5), et - un deuxième élément de conversion (6), - le premier élément de conversion (5) étant disposé sur la surface de recouvrement de la puce semi-conductrice (3), - le deuxième élément de conversion (6) étant disposé sur l'au moins une surface latérale de la puce semi-conductrice (4), et - le deuxième élément de conversion (6) ne dépassant pas dans la direction verticale une surface de fond du premier élément de conversion (5). L'invention concerne également un procédé de fabrication d'un tel composant émettant un rayonnement (1).
Auch veröffentlicht als
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