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1. WO2020069920 - OPTOELEKTRONISCHES BAUTEIL, VERFAHREN ZUR ANSTEUERUNG EINES OPTOELEKTRONISCHEN BAUTEILS UND BELEUCHTUNGSVORRICHTUNG

Veröffentlichungsnummer WO/2020/069920
Veröffentlichungsdatum 09.04.2020
Internationales Aktenzeichen PCT/EP2019/075716
Internationales Anmeldedatum 24.09.2019
IPC
H01L 33/08 2010.01
HElektrotechnik
01Grundlegende elektrische Bauteile
LHalbleiterbauelemente; elektrische Festkörperbauelemente, soweit nicht anderweitig vorgesehen
33Halbleiterbauelemente mit wenigstens einer Potenzialsprung-Sperrschicht oder Oberflächensperrschicht, besonders ausgebildet zur Lichtemission; Verfahren oder Vorrichtungen, besonders ausgebildet für die Herstellung oder Behandlung dieser Bauelemente oder Teilen davon; Einzelheiten dieser Bauelemente
02charakterisiert durch den Halbleiterkörper
08mit einer Mehrzahl lichtemittierender Bereiche, z.B. lateral diskontinuierliche lichtemittierende Schichten oder in den Halbleiterkörper integrierte photolumineszente Bereiche
CPC
H01L 33/04
HELECTRICITY
01BASIC ELECTRIC ELEMENTS
LSEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
33Semiconductor devices with at least one potential-jump barrier or surface barrier specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
02characterised by the semiconductor bodies
04with a quantum effect structure or superlattice, e.g. tunnel junction
H01L 33/502
HELECTRICITY
01BASIC ELECTRIC ELEMENTS
LSEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
33Semiconductor devices with at least one potential-jump barrier or surface barrier specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
48characterised by the semiconductor body packages
50Wavelength conversion elements
501characterised by the materials, e.g. binder
502Wavelength conversion materials
H05B 45/00
HELECTRICITY
05ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
BELECTRIC HEATING; ELECTRIC LIGHTING NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
45Circuit arrangements for operating light emitting diodes [LED]
H05B 47/10
HELECTRICITY
05ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
BELECTRIC HEATING; ELECTRIC LIGHTING NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
47Circuit arrangements for operating light sources in general, i.e. where the type of the light source is not relevant
10Controlling the light source
Anmelder
  • OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH [DE]/[DE]
Erfinder
  • TÅNGRING, Ivar
  • HECKELMANN, Stefan
Vertreter
  • EPPING HERMANN FISCHER PATENTANWALTSGESELLSCHAFT MBH
Prioritätsdaten
10 2018 124 473.804.10.2018DE
Veröffentlichungssprache Deutsch (DE)
Anmeldesprache Deutsch (DE)
Designierte Staaten
Titel
(DE) OPTOELEKTRONISCHES BAUTEIL, VERFAHREN ZUR ANSTEUERUNG EINES OPTOELEKTRONISCHEN BAUTEILS UND BELEUCHTUNGSVORRICHTUNG
(EN) OPTOELECTRONIC COMPONENT, METHOD FOR CONTROLLING AN OPTOELECTRONIC COMPONENT, AND LIGHTING DEVICE
(FR) COMPOSANT OPTOÉLECTRONIQUE, PROCÉDÉ POUR LA COMMANDE D’UN COMPOSANT OPTOÉLECTRONIQUE ET DISPOSITIF D'ÉCLAIRAGE
Zusammenfassung
(DE)
Es wird ein optoelektronisches Bauteil (1) angegeben mit - einem Halbleiterkörper (2), der eine erste Halbleiterschichtenfolge (3) und eine zweite Halbleiterschichtenfolge (7) umfasst, die in einer Stapelrichtung übereinander angeordnet sind, wobei - die erste Halbleiterschichtenfolge (3) einen ersten aktiven Bereich (4) aufweist, der elektromagnetische PrimärStrahlung (26) mit einer ersten Peakwellenlänge erzeugt, - die zweite Halbleiterschichtenfolge (7) einen zweiten aktiven Bereich (9) aufweist, der einen Abschnitt aufweist, der dazu ausgebildet ist elektromagnetische PrimärStrahlung (26) teilweise zu absorbieren und in elektromagnetische SekundärStrahlung (27) mit einer zweiten Peakwellenlänge zu re-emittieren, und - die erste Peakwellenlänge in einem roten Wellenlängenbereich liegt und die zweite Peakwellenlänge in einem infraroten Wellenlängenbereich liegt, oder - die erste Peakwellenlänge um höchstens 100 Nanometer kleiner als die zweite Peakwellenlänge ist.
(EN)
The invention relates to an optoelectronic component (1), comprising a semiconductor body (2) having a first semiconductor layer sequence (3) and a second semiconductor layer sequence (7), which are arranged one above the other in a stacking direction. The first semiconductor layer sequence (3) has a first active region (4), which generates electromagnetic primary radiation (26) having a first peak wavelength. The second semiconductor layer sequence (7) has a second active region (9) having a portion that is configured to partially absorb the electromagnetic primary radiation (26) and to re-emit in electromagnetic secondary radiation (27) having a second peak wavelength. The first peak wavelength is in a red wavelength range and the second peak wavelength is in an infrared wavelength range, or the first peak wavelength is at most 100 nanometers smaller than the second peak wavelength.
(FR)
L’invention concerne un composant optoélectronique (1) comprenant - un corps semi-conducteur (2), qui comprend une première séquence de couches de semi-conducteur (3) et une deuxième séquence de couches de semi-conducteur (7), qui sont disposées l’une sur l’autre dans une direction d’empilement, - la première séquence de couches de semi-conducteur (3) présentant une première zone active (4) qui génère un rayonnement électromagnétique primaire (26) ayant une première longueur d’onde maximale, - la deuxième séquence de couches de semi-conducteur (7) présentant une deuxième zone active (9), laquelle présente une section qui est conçue pour absorber partiellement le rayonnement électromagnétique primaire (26) et le ré-émettre sous forme de rayonnement électromagnétique secondaire (27) ayant une deuxième longueur d’onde maximale, et - la première longueur d’onde maximale étant située dans une plage de longueur d’onde de rouge et la deuxième longueur d’onde maximale étant située dans une page de longueur d’onde d’infrarouge, ou - la première longueur d’onde maximale étant d’au maximum 100 nanomètres inférieure à la deuxième longueur d’onde maximale.
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