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1. WO2020069700 - SOLARZELLEN-BESCHICHTUNGSANLAGE

Veröffentlichungsnummer WO/2020/069700
Veröffentlichungsdatum 09.04.2020
Internationales Aktenzeichen PCT/DE2019/100864
Internationales Anmeldedatum 02.10.2019
IPC
H01L 21/677 2006.01
HElektrotechnik
01Grundlegende elektrische Bauteile
LHalbleiterbauelemente; elektrische Festkörperbauelemente, soweit nicht anderweitig vorgesehen
21Verfahren oder Geräte, besonders ausgebildet für die Herstellung oder Behandlung von Halbleiter- oder Festkörperbauelementen oder Teilen davon
67Vorrichtungen, besonders ausgebildet zur Handhabung von Halbleiterbauelementen oder elektrischen Festkörperbauelementen während ihrer Herstellung oder Behandlung; Vorrichtungen, besonders ausgebildet zur Handhabung von Wafern während der Herstellung oder Behandlung von Halbleiterbauelementen, elektrischen Festkörperbauelementen oder einzelnen Schaltungselementen
677zum Transportieren oder Fördern, z.B. zwischen verschiedenen Bearbeitungsstationen
H01L 31/0747 2012.01
HElektrotechnik
01Grundlegende elektrische Bauteile
LHalbleiterbauelemente; elektrische Festkörperbauelemente, soweit nicht anderweitig vorgesehen
31Halbleiterbauelemente, die auf Infrarot-Strahlung, Licht, elektromagnetische Strahlung kürzerer Wellenlänge als Licht oder Korpuskularstrahlung ansprechen und besonders ausgebildet sind, entweder für die Umwandlung der Energie einer derartigen Strahlung in elektrische Energie oder für die Steuerung elektrischer Energie durch eine derartige Strahlung eingerichtet sind; Verfahren oder Vorrichtungen, besonders ausgebildet für die Herstellung oder Behandlung dieser Halbleiterbauelemente oder Teilen davon; Einzelheiten dieser Bauelemente
04eingerichtet für die photovoltaische Energie-Umwandlung, z.B. PV-Module oder einzelne PV-Zellen
06gekennzeichnet durch wenigstens eine Potenzialsprung-Sperrschicht oder Oberflächensperrschicht
072wobei die Sperrschicht ausschließlich durch einen PN-Heteroübergang gebildet wird
0745mit einem AIVBIV-Heteroübergang, z.B. Si/Ge-, SiGe/Si- oder Si/SiC-Solarzellen
0747mit einem Heteroübergang zwischen kristallinen und amorphen Materialien, z.B. Heteroübergang mit dünner intrinsischer Schicht oder HIT-Solarzellen
H01L 31/18 2006.01
HElektrotechnik
01Grundlegende elektrische Bauteile
LHalbleiterbauelemente; elektrische Festkörperbauelemente, soweit nicht anderweitig vorgesehen
31Halbleiterbauelemente, die auf Infrarot-Strahlung, Licht, elektromagnetische Strahlung kürzerer Wellenlänge als Licht oder Korpuskularstrahlung ansprechen und besonders ausgebildet sind, entweder für die Umwandlung der Energie einer derartigen Strahlung in elektrische Energie oder für die Steuerung elektrischer Energie durch eine derartige Strahlung eingerichtet sind; Verfahren oder Vorrichtungen, besonders ausgebildet für die Herstellung oder Behandlung dieser Halbleiterbauelemente oder Teilen davon; Einzelheiten dieser Bauelemente
18Verfahren oder Vorrichtungen, besonders ausgebildet für die Herstellung oder Behandlung dieser Bauelemente oder Teilen davon
H01L 31/0216 2014.01
HElektrotechnik
01Grundlegende elektrische Bauteile
LHalbleiterbauelemente; elektrische Festkörperbauelemente, soweit nicht anderweitig vorgesehen
31Halbleiterbauelemente, die auf Infrarot-Strahlung, Licht, elektromagnetische Strahlung kürzerer Wellenlänge als Licht oder Korpuskularstrahlung ansprechen und besonders ausgebildet sind, entweder für die Umwandlung der Energie einer derartigen Strahlung in elektrische Energie oder für die Steuerung elektrischer Energie durch eine derartige Strahlung eingerichtet sind; Verfahren oder Vorrichtungen, besonders ausgebildet für die Herstellung oder Behandlung dieser Halbleiterbauelemente oder Teilen davon; Einzelheiten dieser Bauelemente
02Einzelheiten
0216Beschichtungen, Überzüge
H01L 21/67 2006.01
HElektrotechnik
01Grundlegende elektrische Bauteile
LHalbleiterbauelemente; elektrische Festkörperbauelemente, soweit nicht anderweitig vorgesehen
21Verfahren oder Geräte, besonders ausgebildet für die Herstellung oder Behandlung von Halbleiter- oder Festkörperbauelementen oder Teilen davon
67Vorrichtungen, besonders ausgebildet zur Handhabung von Halbleiterbauelementen oder elektrischen Festkörperbauelementen während ihrer Herstellung oder Behandlung; Vorrichtungen, besonders ausgebildet zur Handhabung von Wafern während der Herstellung oder Behandlung von Halbleiterbauelementen, elektrischen Festkörperbauelementen oder einzelnen Schaltungselementen
CPC
H01L 31/02167
HELECTRICITY
01BASIC ELECTRIC ELEMENTS
LSEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
31Semiconductor devices sensitive to infra-red radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus peculiar to the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
02Details
0216Coatings
02161for devices characterised by at least one potential jump barrier or surface barrier
02167for solar cells
H01L 31/0747
HELECTRICITY
01BASIC ELECTRIC ELEMENTS
LSEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
31Semiconductor devices sensitive to infra-red radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus peculiar to the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
04adapted as photovoltaic [PV] conversion devices
06characterised by at least one potential-jump barrier or surface barrier
072the potential barriers being only of the PN heterojunction type
0745comprising a AIVBIV heterojunction, e.g. Si/Ge, SiGe/Si or Si/SiC solar cells
0747comprising a heterojunction of crystalline and amorphous materials, e.g. heterojunction with intrinsic thin layer or HIT® solar cells; solar cells
H01L 31/1804
HELECTRICITY
01BASIC ELECTRIC ELEMENTS
LSEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
31Semiconductor devices sensitive to infra-red radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus peculiar to the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
18Processes or apparatus peculiar to the manufacture or treatment of these devices or of parts thereof
1804comprising only elements of Group IV of the Periodic System
H01L 31/1864
HELECTRICITY
01BASIC ELECTRIC ELEMENTS
LSEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
31Semiconductor devices sensitive to infra-red radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus peculiar to the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
18Processes or apparatus peculiar to the manufacture or treatment of these devices or of parts thereof
186Particular post-treatment for the devices, e.g. annealing, impurity gettering, short-circuit elimination, recrystallisation
1864Annealing
H01L 31/1868
HELECTRICITY
01BASIC ELECTRIC ELEMENTS
LSEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
31Semiconductor devices sensitive to infra-red radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus peculiar to the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
18Processes or apparatus peculiar to the manufacture or treatment of these devices or of parts thereof
186Particular post-treatment for the devices, e.g. annealing, impurity gettering, short-circuit elimination, recrystallisation
1868Passivation
Anmelder
  • MEYER BURGER (GERMANY) GMBH [DE]/[DE]
Erfinder
  • GROSSE, Thomas
  • KLUGE, Thomas
  • SPERLICH, Hans-Peter
  • BÖDDICKER, Alexander
  • KÖNIG, Marcel
  • PIETZSCH, Rocco
Prioritätsdaten
10 2018 124 565.305.10.2018DE
Veröffentlichungssprache Deutsch (DE)
Anmeldesprache Deutsch (DE)
Designierte Staaten
Titel
(DE) SOLARZELLEN-BESCHICHTUNGSANLAGE
(EN) SOLAR-CELL COATING SYSTEM
(FR) INSTALLATION DE REVÊTEMENT DE CELLULES SOLAIRES
Zusammenfassung
(DE)
Die Erfindung betrifft eine Solarzellen-Beschichtungsanlage zur Herstellung von dünnen Schichten auf einer ersten Solarzellenseite und/oder einer zweiten Solarzellenseite von kristallinen Silizium-Solarwafern mit einem Durchsatz von wenigstens 2000 Solarwafern pro Stunde (2000 W/h), sowie eine Solarzellen-Herstellungslinie und ein Verfahren zur Herstellung von Solarzellen mit einer solchen Solarzellen-Beschichtungsanlage. Die Aufgabe der vorliegenden Erfindung liegt darin, Möglichkeiten des wirtschaftlichen Herstellens von Solarzellen mit wenigstens einem passivierten Kontakt aufzuzeigen. Die Aufgabe wird durch eine Solarzellen-Beschichtungsanlage gelöst, die ausgebildet ist zur Herstellung wenigstens einer dünnen Grenzschicht aus einem dielektrischen Material auf einer ersten Solarzellenseite und/oder einer zweiten Solarzellenseite, wobei die Grenzschicht elektrisch leitfähig ist, insbesondere durch Tunnelströme, wenigstens einer dotierten oder undotierten Siliziumschicht auf der Grenzschicht, und wenigstens einer Schutzschicht auf der wenigstens einen Siliziumschicht, wobei die Grenzschicht und die Siliziumschicht und die Schutzschicht innerhalb der Solarzellen-Beschichtungsanlage herstellbar sind, ohne dass die Silizium-Solarwafer die Solarzellen-Beschichtungsanlage zwischenzeitlich verlassen.
(EN)
The invention relates to a solar-cell coating system for producing thin layers on a first solar cell side and/or a second solar cell side of crystalline silicon solar wafers at a throughput of at least 2000 solar wafers per hour (2000 W/h), to a solar-cell manufacturing line, and to a method for producing solar cells having a solar-cell coating system of this type. The problem addressed by the invention is that of providing options for economically manufacturing solar cells having at least one passivated contact. This problem is solved by means of a solar-cell coating system that is designed to produce at least one thin boundary layer of a dielectric material on a first solar cell side and/or a second solar cell side, the boundary layer being electrically conductive, in particular by means of tunnel currents, at least one doped or undoped silicon layer on the boundary layer, and at least one protective layer on the at least one silicon layer, it being possible to manufacture the boundary layer, the silicon layer and the protective layer within the solar-cell coating system without the silicon solar wafers leaving the solar-cell coating system in the meantime.
(FR)
L'invention concerne une installation de revêtement de cellules solaires pour la production de films minces sur une première face de cellules solaires et/ou une deuxième face de cellules solaires de tranches solaires en silicium cristallin ayant un débit d'au moins 2000 galettes solaires par heure (2000 W/h), ainsi qu'une ligne de production de cellules solaires et un procédé de production de cellules solaires ayant une telle installation de revêtement de cellules solaires. Le but de la présente invention est de montrer les possibilités de production économique de cellules solaires ayant au moins un contact passivé. Le but est atteint par un système de revêtement de cellules solaires qui est conçu pour produire au moins une couche limite mince d'un matériau diélectrique sur un premier côté de la cellule solaire et/ou un deuxième côté de la cellule solaire, la couche limite étant électriquement conductrice, en particulier par des courants tunnel, au moins une couche de silicium dopée ou non dopée sur la couche limite, et au moins une couche de protection sur l'au moins une couche de silicium. La couche limite, la couche de silicium et la couche de protection peuvent être produites dans l'installation de revêtement de cellules solaires sans que les galettes solaires de silicium ne quittent entre-temps l'installation de revêtement de cellules solaires.
Auch veröffentlicht als
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