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1. WO2020064485 - TEMPERATURMESSUNG EINES HALBLEITERLEISTUNGSSCHALTELEMENTES

Veröffentlichungsnummer WO/2020/064485
Veröffentlichungsdatum 02.04.2020
Internationales Aktenzeichen PCT/EP2019/075116
Internationales Anmeldedatum 19.09.2019
IPC
G01K 7/01 2006.01
GPhysik
01Messen; Prüfen
KMessen der Temperatur; Messen von Wärmemengen; Temperaturfühler, soweit nicht anderweitig vorgesehen
7Temperaturmessungen, die auf der Anwendung elektrischer oder magnetischer, unmittelbar auf Wärme ansprechender Elemente beruhen
01mit halbleitenden Bauteilen, die PN-Übergänge aufweisen
G01K 7/16 2006.01
GPhysik
01Messen; Prüfen
KMessen der Temperatur; Messen von Wärmemengen; Temperaturfühler, soweit nicht anderweitig vorgesehen
7Temperaturmessungen, die auf der Anwendung elektrischer oder magnetischer, unmittelbar auf Wärme ansprechender Elemente beruhen
16mit Widerstandselementen
H03F 3/45 2006.01
HElektrotechnik
03Grundlegende elektronische Schaltkreise
FVerstärker
3Verstärker, die nur Entladungsröhren oder nur Halbleiterbauelemente als Verstärkerelemente enthalten
45Differenzverstärker
B62D 5/04 2006.01
BArbeitsverfahren; Transportieren
62Gleislose Landfahrzeuge
DMotorfahrzeuge; Anhänger
5Hilfskraftverstärkte oder hilfskraftbetriebene Lenkung
04elektrisch, z.B. unter Verwendung elektrischer Leistung in Form eines elektrischen Hilfskraftmotors, der mit der Lenkeinrichtung verbunden oder ein Teil von ihr ist
CPC
B62D 5/0496
BPERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
62LAND VEHICLES FOR TRAVELLING OTHERWISE THAN ON RAILS
DMOTOR VEHICLES; TRAILERS
5Power-assisted or power-driven steering
04electrical, e.g. using an electric servo-motor connected to, or forming part of, the steering gear
0457characterised by control features of the drive means as such
0481monitoring the steering system, e.g. failures
0496by using a temperature sensor
G01K 2205/00
GPHYSICS
01MEASURING; TESTING
KMEASURING TEMPERATURE; MEASURING QUANTITY OF HEAT; THERMALLY-SENSITIVE ELEMENTS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
2205Application of thermometers in motors, e.g. of a vehicle
G01K 2217/00
GPHYSICS
01MEASURING; TESTING
KMEASURING TEMPERATURE; MEASURING QUANTITY OF HEAT; THERMALLY-SENSITIVE ELEMENTS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
2217Temperature measurement using electric or magnetic components already present in the system to be measured
G01K 7/015
GPHYSICS
01MEASURING; TESTING
KMEASURING TEMPERATURE; MEASURING QUANTITY OF HEAT; THERMALLY-SENSITIVE ELEMENTS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
7Measuring temperature based on the use of electric or magnetic elements directly sensitive to heat
01using semiconducting elements having PN junctions
015using microstructures, e.g. made of silicon
G01K 7/16
GPHYSICS
01MEASURING; TESTING
KMEASURING TEMPERATURE; MEASURING QUANTITY OF HEAT; THERMALLY-SENSITIVE ELEMENTS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
7Measuring temperature based on the use of electric or magnetic elements directly sensitive to heat
16using resistive elements
H03F 3/45475
HELECTRICITY
03BASIC ELECTRONIC CIRCUITRY
FAMPLIFIERS
3Amplifiers with only discharge tubes or only semiconductor devices as amplifying elements
45Differential amplifiers
45071with semiconductor devices only
45076characterised by the way of implementation of the active amplifying circuit in the differential amplifier
45475using IC blocks as the active amplifying circuit
Anmelder
  • thyssenkrupp Presta AG [LI]/[LI]
  • THYSSENKRUPP AG [DE]/[DE]
Erfinder
  • BALÁZS, Vargha
Vertreter
  • THYSSENKRUPP INTELLECTUAL PROPERTY GMBH
Prioritätsdaten
10 2018 123 903.327.09.2018DE
Veröffentlichungssprache Deutsch (DE)
Anmeldesprache Deutsch (DE)
Designierte Staaten
Titel
(DE) TEMPERATURMESSUNG EINES HALBLEITERLEISTUNGSSCHALTELEMENTES
(EN) TEMPERATURE MEASUREMENT OF A POWER SEMICONDUCTOR SWITCHING ELEMENT
(FR) MESURE DE TEMPÉRATURE D'UN ÉLÉMENT DISJONCTEUR À SEMI-CONDUCTEUR
Zusammenfassung
(DE)
Die Erfindung betrifft eine Einrichtung zur Bestimmung einer Temperatur eines Halbleiterleistungsschaltelementes (1) aufweisend den Halbleiterleistungsschalter (1) mit einem eingebauten temperaturabhängigen Gatewiderstand (3), wobei die Einrichtung eine nicht-invertierende Verstärkerschaltung, umfassend einen Operationsverstärker (2) und einen Gegenkopplungs-Widerstand (4), aufweist, wobei der invertierende Eingang des Operationsverstärkers (2) so an den Halbleiterleistungsschalter (1) angeschlossen ist, dass die Verstärkung der nicht-invertierenden Verstärkerschaltung (200) in einem vorgegebenen Frequenzbereich eines Eingangssignals (VIN) von dem eingebauten temperaturabhängigen Gatewiderstand (3) und dem Gegenkopplungs-Widerstand (4) abhängt und ein Maß für die Temperatur des Halbleiterleistungsschaltelementes (1) ist.
(EN)
The invention relates to a device for determining a temperature of a power semiconductor switching element (1) comprising the power semiconductor switch (1) with an inbuilt temperature-dependent gate resistor (3), wherein the device has a noninverting amplifier circuit, comprising an operational amplifier (2) and a feedback resistor (4), wherein the inverting input of the operational amplifier (2) is connected to the power semiconductor switch (1) such that the gain of the noninverting amplifier circuit (200) in a predefined frequency range of an input signal (VIN) depends on the inbuilt temperature-dependent gate resistor (3) and the feedback resistor (4) and is a measure for the temperature of the power semiconductor switching element (1).
(FR)
L'invention concerne un dispositif de détermination de la température d'un élément disjoncteur à semi-conducteur (1) présentant le disjoncteur à semi-conducteur (1) pourvu d'une résistance de grille intégrée dépendant de la température (3), le dispositif présentant un circuit amplificateur non inverseur, comprenant un amplificateur opérationnel (2) et une résistance de contre-réaction (4), l'entrée inverseuse de l'amplificateur opérationnel (2) étant raccordée au disjoncteur à semi-conducteur (1) de telle sorte que l'amplification du circuit amplificateur non inverseur (200) dans une plage de fréquence prédéfinie d'un signal d'entrée (VIN) dépend de la résistance de grille (3) intégrée dépendant de la température et de la résistance de contre-réaction (4) et est une grandeur pour la température du disjoncteur à semi-conducteur (1).
Auch veröffentlicht als
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