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1. WO2020011853 - REFLEKTIVES OPTISCHES ELEMENT

Anmerkung: Text basiert auf automatischer optischer Zeichenerkennung (OCR). Verwenden Sie bitte aus rechtlichen Gründen die PDF-Version.

Reflektives optisches Element

Die vorliegende Erfindung bezieht sich auf ein reflektives optisches Element für einen VUV-Wellenlängenbereich, das ein Substrat und darauf eine Metallschicht aufweist. Die vorliegenden Anmeldung nimmt die Priorität der deutschen Anmeldung 10 2018 211 499.4 vom 1 1. Juli 2018 in Anspruch, auf deren Inhalt vollumfänglich Bezug genommen wird.

Insbesondere im kurzwelligeren ultravioletten Wellenlängenbereich zwischen ca. 100 nm und 200 nm, auch vakuumultraviolette Strahlung (VUV-Strahlung) genannt, kann nicht nur mit transmissiven optischen Elementen gearbeitet werden, sondern muss oft auch auf reflektive optische Elemente zurückgegriffen werden. Besonders bewährt haben sich dabei reflektive optische Elemente, die auf einem Substrat eine metallische Schicht mit darüber liegend einer Schutzschicht oder ein hochreflektierendes Schichtsystem aufweisen. Die Schutzschicht bzw. das Schutzschichtsystem kann ein oder mehrere Fluoride aufweisen.

Ein Herstellungsverfahren für solche reflektiven optischen Elemente ist beispielsweise aus der US 2017/0031067 A1 bekannt. Dabei werden zwei erste Schichten bei Raumtemperatur und anschließend eine dritte Schicht bei ca. 200°C auf ein Substrat aufgedampft.

Es ist allerdings beobachtet worden, dass bei hohen Strahlungsintensitäten wie sie in der Lithographie und besonders auch für die Inspektion von Masken und Wafern Vorkommen können, bereits innerhalb von wenigen Tagen oder sogar Stunden eine starke Degradation der reflektiven optischen Elemente stattfinden kann, die mit hohem Reflektivitätsverlust einhergeht, selbst wenn sie eine Schutzschicht aufweisen und die Bestrahlung im Vakuum stattfindet.

Es ist eine Aufgabe der vorliegenden Erfindung, ein reflektives optisches Element bzw. ein Herstellungsverfahren vorzuschlagen, bei dem die Lebensdauer verlängert werden kann.

Diese Aufgabe wird gelöst durch ein reflektives optisches Element für einen VUV-Wellenlängenbereich, aufweisend ein Substrat und darauf eine Metallschicht, wobei es auf der substratabgewandten Seite der Metallschicht mindestens eine Metallfluoridlage und auf dessen substratabgewandter Seite mindestens eine Oxidlage aufweist, wobei die Dicken der Lagen auf der substratabgewandten Seite der Metallschicht derart gewählt sind, dass das elektrische Feld einer sich bei Reflexion einer eingestrahlten maßgeblichen Wellenlänge aus dem VUV-Wellenlängenbereich ausbildenden stehenden Welle im Bereich der

mindestens einen Oxidlage ein Minimum aufweist, wobei die maßgebliche Wellenlänge derart gewählt ist, dass das Integral über den Extinktionskoeffizienten des Materials der mindestens einen Oxidlage von einer minimalen Wellenlänge des VUV-Wellenlängenbereichs bis zur maßgeblichen Wellenlängen zwischen 15% und 47%, bevorzugt zwischen 18% und 44%, besonders bevorzugt ca. 33% des entsprechenden Integrals von der minimalen Wellenlängen bis zu einer maximalen Wellenlänge des VUV-Wellenlängenbereichs beträgt.

Es hat sich herausgestellt, dass die Absorption der mindestens einen Oxidlage durch Positionieren in einem Bereich geringer Feldstärke, insbesondere bei der Auslegung der Lagendicken für eine maßgebliche Wellenlänge wie beschrieben deutlich reduziert werden kann, so dass ein möglicher Reflektivitätsverlust aufgrund der mindestens einen Oxidlage vermindert und somit die Schutzfunktion des Oxids besonders gut genutzt werden kann. Dies ist insbesondere für Wellenlängen unter ca. 160 nm von Vorteil, bei denen Oxidlagen zu größeren Reflektivitätsverlusten führen können. Dadurch kann die Lebensdauer des entsprechenden reflektiven optischen Elements insbesondere bei Bestrahlung mit hoher Leistungsdichte, wie sie etwa bei Lithographieprozessen oder der optischen Inspektion von Wafern und optischen Elementen, u.a. auch Masken Vorkommen kann, erhöht werden. Reflektive optische Elemente der hier vorgeschlagenen Art können für den Einsatz bei beliebigen VUV-Wellenlängenbandbreiten von einzelnen Wellenlängen bis über den gesamten VUV-Wellenlängenbereich bereitgestellt werden.

Vorzugsweise weist die Metallschicht dieser reflektiven optischen Elemente, die entweder gezielt aufgebracht wurde oder von der Oberfläche eines metallischen Substrats gebildet wird, Aluminium, eine Aluminium-Silizium-Legierung, eine Aluminium-Mangan-Legierung, eine Aluminium-Silizium-Mangan-Legierung, Rhodium, Ruthenium, Palladium, Osmium, Iridium, Platin, Magnesium oder eine Kombination davon auf. Diese Materialien reflektieren hinreichend gut im Wellenlängenbereich zwischen 100 nm und 200 nm.

Bevorzugt weist die Metallfluoridlage Magnesiumfluorid, Aluminiumfluorid, Natriumfluorid, Lithiumfluorid, Chiolith, Kryolith, Erbiumfluorid, Neodymfluorid, Gadoliniumfluorid,

Dysprosiumfluorid, Samariumfluorid, Holmiumfluorid, Hafniumfluorid, Lanthanfluorid, Europiumfluorid, Lutetiumfluorid, Ceriumfluorid, Bariumfluorid, Yttriumfluorid oder eine Kombination davon auf. Diese Fluoride weisen im Wellenlängenbereich zwischen 100 nm und 200 nm eine hinreichend geringe Absorption auf und sind bei geringerer

Strahlungsintensität hinreichend resistent, um eine metallische Oberfläche, an der Reflexion dieser Strahlung stattfindet, vor Schäden insbesondere durch Oxidation zu schützen.

Vorteilhafterweise weist die Oxidlage Siliziumdioxid, fluordotiertes Siliziumdioxid,

Aluminiumoxid, Magnesiumoxid, Lutetiumoxid, Kalziumoxid, Hafniumoxid, Germaniumoxid, Zinnoxid, Zinkoxid, Zirkoniumoxid, Bariumoxid, Yttriumoxid, Scandiumoxid oder eine Kombination davon auf. Diese Oxide schützen auch bei hohen Strahlungsintensitäten, wie sie unter anderem in Lithographieprozessen oder in Inspektionssystemen für Wafer und Masken auftreten können, vor Beschädigung der metallischen Oberfläche, insbesondere durch Oxidation.

Vorzugsweise ist das Substrat aus Quarz, titandotiertem Quarzglas, Kalziumfluorid, Magnesiumfluorid, Keramik, Glaskeramik, Silizium, Siliziumkarbid, insbesondere reaktionsgebundene Silizium-Siliziumkarbid-Verbundwerkstoffe, Aluminium, Kupfer oder Aluminium-Kupferlegierung. Auch andere oxidische oder nicht-oxidische Keramiken sind als Substratmaterial geeignet. Die genannten Substratmaterialien weisen geringe

Wärmeausdehnungskoeffizienten auf, so dass sie auch bei hohen Strahlungsintensitäten eine gute Formstabilität aufweisen. Bei besonders hohen Strahlungsintensitäten sind gekühlte Substrate vorteilhaft. Dazu sind Materialien mit hinreichend guter

Wärmeleitfähigkeit wie etwa kristallines bzw. amorphes Silizium, Siliziumkarbid,

reaktionsgebundene Silizium-Siliziumkarbid-Verbundwerkstoffe, Siliziumnitrid,

Siliziumoxinitrid, Aluminiumoxid, Aluminiumoxinitrid , Aluminium, Kupfer oder Aluminium-Kupferlegierung geeignet. Die vorgeschlagenen Metalle können außerdem durch Polieren einer ihrer Oberflächen direkt zur Reflexion von Strahlung aus dem Wellenlängenbereich zwischen 100 nm und 200 nm eingesetzt werden, ohne dass eine separate Metallschicht notwendig wäre.

Bevorzugt ist zwischen Substrat und Metallschicht eine Funktionalschicht angeordnet. Die Funktionalschicht kann auch mehrlagig ausgebildet sein. Sie kann eine oder mehr

Funktionen übernehmen.

Besonders bevorzugt ist die Funktionalschicht als Haftvermittlerschicht und/oder

Polierschicht ausgebildet. Über die Haftvermittlerschicht kann die Lebensdauer des reflektiven optischen Elements verlängert werden, da das Risiko eines Ablösens von Schichten vom Substrat reduziert werden kann. Über die Polierschicht können Rauigkeiten der Substratoberfläche ausgeglichen werden, die sich durch die aufgebrachten Schichten fortsetzen und zu Reflektivitätsverlusten durch erhöhte Streustrahlung führen könnten.

Vorteilhafterweise weist die Funktionalschicht Silizium, Kohlenstoff, Aluminium, Nickel, Kobalt, Bor, Tantal, Zirkonium, Wolfram, Niob, Molybdän, Vanadium, Chrom, Kupfer, Titan, Hafnium, deren Legierungen, Oxide, Nitride, Boride, Karbide oder andere Verbindung oder eine Kombination davon auf.

Es wird ein Verfahren zum Herstellen eines reflektiven optischen Elements für einen VUV-Wellenlängenbereich vorgeschlagen, bei dem auf ein Substrat mindestens eine erste und eine zweite Lage aufgebracht werden, wobei eine der beiden Lagen eine Metallfluoridlage und die andere eine Oxidlage ist. Es hat sich herausgestellt, dass auf diese Weise reflektive optische Element für Wellenlängen im Bereich von 100 nm bis 200 nm, bevorzugt 120 nm bis 190 nm erhalten werden können, die eine verbesserte Lebensdauer aufweisen.

Grundsätzlich sind alle bekannten Beschichtungsprozesse geeignet, wie etwa

beispielsweise u.a. Magnetronsputtern, ionenunterstützte Abscheidung, plasmaunterstützte Abscheidung, thermisches Verdampfen usw.. Gegenüber den bisher ausschließlich eingesetzten Metallfluoridlagen haben Oxidlagen den Vorteil, dass sie einfacher und über eine größere Vielzahl von möglichen Beschichtungsarten hergestellt werden können.

Insbesondere lassen sich auf der Basis von Oxiden auch dichtere und/oder dünnere Lagen gut hersteilen.

In bevorzugten Varianten kann dieses reflektive optische Element mittels

Atomlagenabscheidung (auch ALD für„atomic layer deposition“ genannt) hergestellt werden. Mittels Atomlagenabscheidung lassen sich besonders dichte und damit

widerstandsfähige Lagen, beispielsweise gegen Oxidation, hersteilen. Die

Atomlagenabscheidung erlaubt es auch, besonders dünne und glatte Lagen abzuscheiden und auf diese Weise Reflektivitätsverluste aufgrund Absorption und Streuung zu reduzieren. Die Atomlagenabscheidung ist beispielsweise in der DE 198 53 598 A1 bekannt, auf die vollumfänglich Bezug genommen wird. Außerdem können mittels Atomlagenabscheidung die Lagendicken besonders gut kontrolliert werden und somit die mindestens eine Oxidlage besonders präzise in einem Minimum einer sich bei Reflexion ausbildenden stehenden Welle positioniert werden.

Wahlweise kann als erste Lage ein Metallfluorid und als zweite Lage ein Oxid, bevorzugt ein Metalloxid aufgebracht werden. Durch das Oxid der zweiten Lage kann eine besonders gute Schutzfunktion auch der darunterliegenden ersten Lage aus Metallfluorid erreicht werden, wobei durch Anpassen der Dicken der ersten und der zweiten Lage die Reflektivität optimiert werden kann.

In einer bevorzugten Variante kann auf das Substrat vor dem Aufbringen der ersten Lage eine Metallschicht aufgebracht werden. Dies ist insbesondere bei nichtmetallischen

Substraten von Vorteil. Bei metallischen Substraten könnte auch deren Oberfläche poliert werden, so dass an ihr eine möglichst hohe Reflektivität stattfindet. Besonders bevorzugt wird die Metallschicht aufgedampft, indem das entsprechende Metall im Vakuum erhitzt wird.

Als fakultativer Schritt kann auf das Substrat oder auf die Metallschicht vor dem Aufbringen der ersten Lage mittels Atomlagenabscheidung eine Metallfluoridlage aufgebracht werden. Dies ist herstellungstechnisch von Vorteil, da die Metallfluoridlage die Metallschicht oder die Substratoberfläche, insbesondere bei einem metallischen Substrat gewissermaßen versiegelt und verhindert eine Kontamination der metallischen Oberfläche, wenn das Substrat zum Aufbringen der ersten und zweiten Lage mittels Atomlagenabscheidung in eine spezielle Beschichtungskammer verbracht werden muss. Besonders bevorzugt wird die Metallfluoridschicht aufgedampft, indem das entsprechende Metallfluorid im Vakuum erhitzt wird.

Wahlweise kann zusätzlich oder alternativ zur Metallschicht ein dielektrisches

Schichtsystem aufgebracht werden, bevor oder nachdem die mindestens erste und zweite Lage aufgebracht werden, wobei das dielektrische Schichtsystem mindestens eine Schicht aus einem Material mit einem niedrigerem Brechungsindex bei der Betriebswellenlänge und mindestens eine Schicht aus einem Material mit höherem Brechungsindex bei der

Betriebswellenlänge aufweist. Das dielektrische Schichtsystem kann der Erhöhung der Reflektivität insbesondere in engen Wellenlängenbereichen dienen.

Die vorliegende Erfindung soll unter Bezugnahme auf bevorzugte Ausführungsbeispiele näher erläutert werden. Dazu zeigen

Figur 1 eine schematische Darstellung einer Vorrichtung für die VUV- Lithographie;

Figur 2 eine schematische Darstellung eines Waferinspektionssystems;

Figur 3 eine schematische Darstellung eines ersten reflektiven optischen

Elements;

Figur 4 eine schematische Darstellung eines zweiten reflektiven optischen

Elements;

Figur 5 eine schematische Darstellung eines dritten reflektiven optischen

Elements;

Figur 6 eine schematische Darstellung eines vierten reflektiven optischen

Elements;

Figur 7 den Ablauf einer Ausführungsform des Herstellungsverfahrens;

Figur 8 den Ablauf einer weiteren Ausführungsform des

Herstellungsverfahrens;

Figur 9 die Reflektivität eines reflektiven optischen Elements in Abhängigkeit von der Wellenlänge für verschiedene Materialien auf einer

Metallschicht;

Figur 10 die sich bei Reflexion von Strahlung einer Wellenlänge von 120 nm ausbildende stehende Welle und eine erste Lagenanordnung;

Figur 1 1 die sich bei Reflexion von Strahlung einer Wellenlänge von 120 nm ausbildende stehende Welle und eine zweite Lagenanordnung;

Figur 12 die Reflektivität eines reflektiven optischen Elements in Abhängigkeit von der Wellenlänge für eine Ausführungsform der ersten

Lagenanordnung aus Figur 9;

Figur 13 die sich bei Reflexion von Strahlung einer Wellenlänge von 124 nm ausbildende stehende Welle und eine dritte Lagenanordnung;

Figur 14 die Reflektivität eines reflektiven optischen Elements in Abhängigkeit von der Wellenlänge für eine Ausführungsform der dritten

Lagenanordnung aus Figur 13;

Figur 15 die sich bei Reflexion von Strahlung einer Wellenlänge von 124 nm ausbildende stehende Welle und eine vierte Lagenanordnung; und

Figur 16 die Reflektivität eines reflektiven optischen Elements in Abhängigkeit von der Wellenlänge für eine Ausführungsform der vierten

Lagenanordnung aus Figur 15.

Figur 1 zeigt eine schematische Prinzipskizze einer Vorrichtung 1 für die VUV-Lithographie, insbesondere für Wellenlängen im Bereich von 100 nm bis 200 nm. Die VUV-Lithographievorrichtung 1 weist als wesentliche Bestandteile insbesondere zwei optische Systeme 12, 14 auf, ein Beleuchtungssystem 12 und Projektionssystem 14. Für die

Durchführung der Lithographie ist eine Strahlungsquelle 10 notwendig, besonders bevorzugt ein Excimerlaser, der beispielsweise bei 193 nm, 157 nm oder 126 nm emittiert und der integraler Bestandteil der VUV-Lithographievorrichtung sein kann. Die von der

Strahlungsquelle 10 emittierte Strahlung 1 1 wird mit Hilfe des Beleuchtungssystems 12 so aufbereitet, dass damit eine Maske 13, auch Retikel genannt, ausgeleuchtet werden kann.

Im hier dargestellten Beispiel weist das Beleuchtungssystem 12 transmissive und reflektive optische Elemente auf. Stellvertretend sind hier das transmissive optische Element 120, das die Strahlung 11 beispielsweise bündelt, und das reflektive optische Element 121 dargestellt, dass die Strahlung beispielsweise umlenkt. In bekannter Weise können im Beleuchtungssystem 12 verschiedenste transmissive, reflektive und sonstige optische Elemente in beliebiger, auch komplexerer Weise miteinander kombiniert werden.

Die Maske 13 weist auf ihrer Oberfläche eine Struktur auf, die auf ein zu belichtendes Element 15, beispielsweise einen Wafer im Rahmen der Produktion von

Halbleiterbauelementen, mithilfe des Projektionssystems 14 übertragen wird. Im

vorliegenden Beispiel ist die Maske 13 als transmissives optisches Element ausgebildet. In weiteren Ausführungen kann sie auch als reflektives optisches Element ausgestaltet sein.

Das Projektionssystem 14 weist im hier dargestellten Beispiel mindestens ein transmissives optisches Element auf. Im hier dargestellten Beispiel sind stellvertretend zwei transmissive optische Elemente 140, 141 dargestellt, die beispielsweise insbesondere dazu dienen, die Strukturen auf der Maske 13 auf die für die Belichtung des Wafers 15 gewünschte Größe zu verkleinern. Auch beim Projektionssystem 14 können u.a. reflektive optische Element vorgesehen sein und verschiedenste optische Elemente in bekannter Weise beliebig miteinander kombiniert werden. Es sei darauf hingewiesen, dass auch optische Systeme ohne transmissive optische Elemente eingesetzt werden können.

Bei dem reflektiven optischen Element 121 handelt es sich um einen Spiegel mit einer reflektiven Fläche 1210, die eine Metallverspiegelung aufweist. Um insbesondere über einen breiten Wellenlängenbereich, beispielsweise 100 nm bis 200 nm mit guter Reflektivität eingesetzt werden zu können, hat sich als Metallverspiegelung eine Metallschicht aus Aluminium bewährt. Weitere geeignete Metall sind insbesondere für den Einsatz bei streifendem Einfall Edelmetalle und Platinmetalle. Es sei darauf hingewiesen, dass in Verbindung mit dem in Figur 1 dargestellten Beispiel zwar nur ein reflektives optisches Element 121 für den insbesondere Vakuumultravioletten Wellenlängenbereich diskutiert wird, dass aber selbstverständlich zwei, drei, vier, fünf oder mehr derartige optische

Elemente in einem optischen System für etwa die VUV-Lithographie vorgesehen sein können. Insbesondere handelt es sich bei dem oder den reflektiven optischen Elementen um reflektive optische Elemente für einen VUV-Wellenlängenbereich, aufweisend ein Substrat und darauf eine Metallschicht, wobei es auf der substratabgewandten Seite der Metallschicht mindestens eine Metallfluoridlage und auf dessen substratabgewandter Seite mindestens eine Oxidlage aufweist, dadurch gekennzeichnet, dass die Dicken der Lagen auf der substratabgewandten Seite der Metallschicht derart gewählt sind, dass das elektrische Feld einer sich bei Reflexion einer eingestrahlten maßgeblichen Wellenlänge aus dem VUV-Wellenlängenbereich ausbildenden stehenden Welle im Bereich der mindestens einen Oxidlage ein Minimum aufweist, wobei die maßgebliche Wellenlänge derart gewählt ist, dass das Integral über den Extinktionskoeffizienten des Materials der mindestens einen Oxidlage von einer minimalen Wellenlänge des VUV-Wellenlängenbereichs bis zur maßgeblichen Wellenlängen zwischen 15% und 47%, bevorzugt zwischen 18% und 44%, besonders bevorzugt ca. 33% des entsprechenden Integrals von der minimalen

Wellenlängen bis zu einer maximalen Wellenlänge des VUV-Wellenlängenbereichs beträgt. Diese reflektiven optischen Elemente können eine verlängerte Lebensdauer bei hoher Reflektivität aufweisen.

Derartige reflektive optische Elemente können auch in Wafer- oder

Maskeninspektionssystemen eingesetzt werden. Eine beispielhafte Ausführung eines Waferinspektionssystems 2 ist schematisch in Figur 2 dargestellt. Die Erläuterungen gelten ebenso für Maskeninspektionssysteme.

Das Waferinspektionssystem 2 weist eine Strahlungsquelle 20 auf, deren Strahlung mittels eines optischen Systems 22 auf einen Wafer 25 gelenkt wird. Dazu wird die Strahlung von einem konkaven Spiegel 220 auf den Wafer 25 reflektiert. Bei einem

Maskeninspektionssystem könnte man anstelle des Wafers 25 eine zu untersuchende Maske anordnen. Die vom Wafer 25 reflektierte, gebeugte und/oder gebrochene Strahlung wird von einem ebenfalls zum optischen System 22 gehörigen konkaven Spiegel 221 auf einen Detektor 23 zur weiteren Auswertung geleitet. Bei der Strahlungsquelle 20 kann es sich beispielsweise um genau eine Strahlungsquelle oder eine Zusammenstellung von mehreren einzelnen Strahlungsquellen handeln, um ein im Wesentlichen kontinuierliches Strahlungsspektrum zur Verfügung zu stellen. In Abwandlungen kann auch eine oder mehrere schmalbandige Strahlungsquellen eingesetzt werden. Bevorzugt liegt die

Wellenlänge oder das Wellenlängenband im Bereich zwischen 100 nm bis 200 nm, besonders bevorzugt zwischen 110 nm und 190 nm.

Während des Betriebs von beispielsweise VUV-Lithographievorrichtungen 1 oder Wafer-oder Maskeninspektionssysteme 1 kann es zu einer Oxidation der reflektiven Flächen 1210, 2210, 2220 der jeweiligen reflektiven optischen Elemente 121 , 220, 221 kommen. Um deren Lebensdauer zu verlängern, können beide und ggf. weitere, nicht dargestellte optische Elemente des optischen Systems 22 sowie der Spiegel 121 der Lithographievorrichtung 1 wie anhand der Figur 3, 4 oder 5 beschrieben ausgestaltet sein.

In den Figuren 3, 4 und 5 sind schematisch mögliche beispielhafte Ausführungen von reflektiven optischen Elementen 3, 4, 5 für Wellenlängen im Bereich von 100 nm bis 200 nm, bevorzugt 120 nm bis 190 nm dargestellt. Sie weisen jeweils eine reflektive Oberfläche 37, 47, 57 auf, die in den in den Figuren 4 und 5 dargestellten Beispielen eine

Metallverspiegelung in Form einer Metallschicht 49, 59 aufweist und die in dem in Figur 3 dargestellten Beispiel von einer polierten Oberfläche 32 eines metallischen Substrats 31 gebildet wird. Das Substrat 31 ist vorteilhafterweise aus Aluminium, Kupfer oder Aluminium-Kupferlegierung. Die Metallschicht 49, 59 ist jeweils auf einem Substrat 41 , 51 aufgebracht.

Sie kann unmittelbar auf dem Substrat 41 , 51 aufgebracht sein oder es kann zwischen der Metallschicht 49, 59 und dem Substrat 41 , 51 eine Haftvermittlerschicht und/oder andere funktionale Schichten, wie beispielsweise eine Glättungsschicht oder Polierschicht vorgesehen sein. In der in Figur 4 dargestellten beispielhaften Ausführung ist zwischen dem Substrat 41 und der Metallschicht 49 eine Funktionalschicht 42 angeordnet, die Silizium, Kohlenstoff, Aluminium, Nickel, Kobalt, Bor, Tantal, Zirkonium, Wolfram, Niob, Molybdän, Vanadium, Chrom, Kupfer, Titan, Hafnium, deren Legierungen, Oxide, Nitride, Boride, Karbide oder andere Verbindung oder eine Kombination davon aufweist. Als Polierschicht kann sie im vorliegenden Beispiel bevorzugt aus amorphem Silizium, Kohlenstoff, Nickel oder Nickel-Phosphor sein. Als Haftvermittlerschicht kann sie im vorliegenden Beispiel bevorzugt aus einem der zuvor genannten Materialien sein, wobei vorteilhafterweise auf eine hinreichende Haftung sowohl zum Substratmaterial als auch zum Metall der

Metallschicht 49 geachtet werden sollte. Die Substrate 41 , 51 sind bevorzugt aus Quarz, titandotiertem Quarzglas, Kalziumfluorid, Magnesiumfluorid, Keramik, Glaskeramik,

Siliziumkarbid, reaktionsgebundenem Silizium-Siliziumkarbid-Verbundwerkstoff, Silizium, Siliziumnitrid, Siliziumoxinitrid, Aluminiumoxid oder Aluminiumoxinitrid sein. Sie können auch aus Aluminium, Kupfer oder Aluminium-Kupferlegierung sein. Bei der Metallschicht 49, 59 handelt es sich vorzugsweise um Aluminium, eine Aluminium-Silizium-Legierung, eine Aluminium-Mangan-Legierung, eine Aluminium-Silizium-Mangan-Legierung, Rhodium, Ruthenium, Palladium, Osmium, Iridium, Platin, Magnesium oder eine Kombination davon.

Zum Schutz der Metallschicht 49, 59 bzw. der metallischen Oberfläche 32 sind mindestens zwei Lagen 33, 35, 43, 45, 53, 55 vorgesehen, die aus Metallfluorid bzw. aus Oxid, bevorzugt Metalloxid oder Siliziumdioxid sind. Diese zwei Lagen können im vorliegenden Beispiel mittels Atomlagenabscheidung aufgebracht sein und weisen derartige Lagendicken auf, dass das elektrische Feld einer sich bei Reflexion der eingestrahlten

Betriebswellenlänge ausbildenden stehenden Welle im Bereich der Oxidlage ein Minimum aufweist. Die Atomlagenabscheidung erlaubt es, besonderes dünne und glatte Lagen abzuscheiden und auf diese Weise Reflektivitätsverluste aufgrund Absorption und Streuung zu reduzieren. Auf diese Weise wird ermöglicht, auch nur wenige Nanometer dicke

Oxidlagen aufzubringen, die verglichen mit den bisher verwendeten Metallfluoriden besser gegen Oxidation schützen, aber bei vielen Wellenlängen im angestrebten Bereich eine höhere Absorption als Metallfluoride aufweisen. Insgesamt sind mittels

Atomlagenabscheidung aufgebrachte Lagen außerdem besonders dicht und dadurch resistenter gegen beispielsweise Oxidation als Schichten gleichen Materials, aber geringerer Dichte. Alternativ oder zusätzlich kann die Absorption der mindestens einen Oxidlage durch Positionieren in einem Bereich geringer Feldstärke deutlich reduziert werden, so dass die Schutzfunktion des Oxids besonders gut genutzt werden kann. Da mittels

Atomlagenabscheidung besonders dünne Lagen hergestellt werden können, kann dadurch die mindestens eine Oxidlage besonders präzise in einem Knotenpunkt der sich bei Reflexion ausbildenden stehenden Welle positioniert werden. Neben der

Atomlagenabscheidung sind auch andere Beschichtungsprozesse geeignet, wie etwa beispielsweise u.a. Magnetronsputtern, ionenunterstützte Abscheidung, plasmaunterstützte Abschiedung, thermisches Verdampfen usw.. Die Möglichkeit, Oxidlagen als Schutzlagen auf reflektiven optischen Elementen für den VUV-Wellenlängenbereich einzusetzen, eröffnet unerwartete Möglichkeiten, reflektive optische Elemente zur Verfügung zu stellen, die auch bei leistungsstarker Bestrahlung gute Lebensdauern aufweisen.

Bevorzugt ist substratseitig eine Metallfluoridlage 33, 43, 53 angeordnet und auf deren substratabgewandten Seite eine Oxid- bzw. eine Metalloxidlage 35, 45, 55 angeordnet. Besonders geeignet als Metallfluorid sind Magnesiumfluorid, Aluminiumfluorid,

Natriumfluorid, Lithiumfluorid, Chiolith, Kryolith, Erbiumfluorid, Neodymfluorid,

Gadoliniumfluorid, Dysprosiumfluorid, Samariumfluorid, Holmiumfluorid, Hafniumfluorid, Lanthanfluorid, Europiumfluorid, Lutetiumfluorid, Ceriumfluorid, Bariumfluorid, Yttriumfluorid oder eine Kombination davon. Als Oxid sind besonders geeignet Siliziumdioxid,

fluordotiertes Siliziumdioxid, Aluminiumoxid, Magnesiumoxid, Lutetiumoxid, Kalziumoxid, Hafniumoxid, Germaniumoxid, Zirkoniumoxid, Zinnoxid, Zinkoxid, Bariumoxid, Yttriumoxid, Scandiumoxid oder eine Kombination davon. Durch das Oxid der zweiten Lage kann eine besonders gute Schutzfunktion auch der darunterliegenden ersten Lage aus Metallfluorid erreicht werden, wobei durch Anpassen der Dicken der ersten und der zweiten Lage die Reflektivität optimiert werden kann, insbesondere durch Positionieren der Oxidlage in einem Minimum des elektrischen Feldes einer sich bei Reflexion der Strahlung ausbildenden stehenden Welle.

Im Gegensatz zu den in den in Figur 3 und Figur 4 dargestellten Beispielen sind in dem in Figur 5 dargestellten Beispiel nicht nur jeweils eine Metallfluoridlage und eine Oxidlage vorgesehen, sondern drei Metallfluoridlagen 53 und zwei Oxidlagen 55, die alternierend angeordnet sind. In verschiedenen Varianten können entweder zwei, drei, vier oder fünf dieser Lagen beispielsweise mittels Atomlagenabscheidung aufgebracht worden sein. Dabei ist vorgeshen, dass die Dicken der Lagen 53, 55 auf der substratabgewandten Seite der

Metallschicht 59 derart gewählt sind, dass das elektrische Feld einer sich bei Reflexion der eingestrahlten Betriebswellenlänge ausbildende stehende Welle im Bereich mindestens einer, bevorzugt beider Oxidlagen 55 jeweils ein Minimum aufweist. Die Lagen 53, 55 bilden zusammen ein dielektrisches Schichtsystem, das einer Erhöhung der Reflektivität dienen kann. In Varianten können auch mehr als fünf Lagen vorgesehen sein oder auf die

Metallschicht 59 verzichtet werden. In weiteren Varianten kann ein dielektrisches

Schichtsystem vorgesehen sein, das als Materialien mit unterschiedlichem Brechungsindex bei einer Betriebswellenlänge andere Materialien als die der ersten und zweiten Lage aufweist. Bei mehr als jeweils einer Metallfluoridlage oder einer Oxidlage, kann es sich um Lagen aus genau einem Metallfluorid bzw. Oxid oder um teilweise oder vollständig unterschiedliche Metallfluoride bzw. Oxide handeln.

In Figur 6 ist rein exemplarisch eine weitere Ausführung eines reflektiven optischen

Elements 6 mit reflektiver Fläche dargestellt. Dazu ist auf einem Substrat 61 ist eine Metallschicht 69 vorgesehen und auf dessen substratabgewandter Seite ein dielektrisches Schichtsystem aus herkömmlich aufgebrachten Metallfluoridlagen 63’, 63”. Abschließend zur Umgebung sind substratseitige eine weitere Metallfluoridlage 63 und substratabgewandt eine Oxidlage 65 vorgesehen, wobei im vorliegenden Beispiel diese beiden Lagen mittels Atomlagenabscheidung aufgebracht sind.

Alle diese besprochenen Ausführungsformen von reflektiven optischen Elementen sind derart ausgelegt, dass die Dicken der Lagen auf der substratabgewandten Seite der Metallschicht derart gewählt sind, dass das elektrische Feld einer sich bei Reflexion einer eingestrahlten maßgeblichen Wellenlänge aus dem VUV-Wellenlängenbereich

ausbildenden stehenden Welle im Bereich der mindestens einen Oxidlage ein Minimum aufweist, wobei die maßgebliche Wellenlänge derart gewählt ist, dass das Integral über den Extinktionskoeffizienten des Materials der mindestens einen Oxidlage von einer minimalen Wellenlänge des VUV-Wellenlängenbereichs bis zur maßgeblichen Wellenlängen zwischen 15% und 47%, bevorzugt zwischen 18% und 44%, besonders bevorzugt ca. 33% des entsprechenden Integrals von der minimalen Wellenlängen bis zu einer maximalen

Wellenlänge des VUV-Wellenlängenbereichs beträgt, um sowohl eine gute Lebensdauer als auch eine gute Reflektivität aufzuweisen.

In Figur 7 ist beispielhaft der Ablauf einer Ausführungsform des hier vorgeschlagenen Verfahrens zum Herstellen eines reflektiven optischen Elements für eine

Betriebswellenlänge im VUV-Wellenlängenbereich dargestellt. In einem ersten Schritt 101 „Aufdampfen einer Aluminiumschicht auf ein Substrat“ wird Aluminium durch Erhitzen im Vakuum, also thermisches Aufdampfen auf ein Substrat aufgebracht. Je nach

Substratmaterial kann die Substratoberfläche zuvor mit einem Haftvermittler und/oder einer Glättungsschicht versehen worden sein.

In einem zweiten Schritt 703„Aufdampfen einer Magnesiumfluoridlage auf die

Aluminiumschicht“ wird eine Magnesiumfluoridlage aufgebracht, um eine Kontamination der Oberfläche des Substrats bzw. der Metallschicht bei der Handhabung und dem Transport vor Einbringen in die Beschichtungskammer für die Atomlagenabscheidung zu vermeiden. Dazu wird das Magnesiumfluorid ebenfalls thermisch aufgedampft, was in der gleichen Beschichtungskammer wie der vorhergehende Schritt durchgeführt werden kann. Über die Dicke der Magnesiumfluoridlage kann dazu beigetragen werden, dass das elektrische Feld einer sich bei Reflexion einer eingestrahlten maßgeblichen Wellenlänge ausbildenden stehenden Welle im Bereich der Oxidlage ein Minimum aufweist. Wird mit genau einer Betriebswellenlänge gearbeitet, ist die maßgebliche Wellenlänge gleich der

Betriebswellenlänge. Wenn mit mehreren Wellenlängen bzw. - wie häufig geschieht - mit einem Wellenlängenband gearbeitet wird, wird empfohlen, als maßgebliche Wellenlänge eher eine kürzere Wellenlänge aus den Wellenlängen bzw. innerhalb des

Wellenlängenbandes zu wählen, da zu kürzeren Wellenlängen hin die Reflektivität eher durch die mindestens eine Oxidlage beeinträchtigt werden kann. Insbesondere kann die maßgebliche Wellenlänge derart gewählt werden, dass das Integral über den

Extinktionskoeffizienten des Materials der mindestens einen Oxidlage von einer minimalen Wellenlänge des VUV-Wellenlängenbereichs bis zur maßgeblichen Wellenlängen zwischen 15% und 47%, bevorzugt zwischen 18% und 44%, besonders bevorzugt ca. 33% des entsprechenden Integrals von der minimalen Wellenlängen bis zu einer maximalen

Wellenlänge des VUV-Wellenlängenbereichs beträgt. Betrachtet man beispielsweise Siliziumdioxid für den Wellenlängenbereich von 120 nm bis 190 nm, ergibt sich auf diese Weise eine maßgebliche Wellenlänge von ca. 124 nm. Für Aluminiumoxid ergibt sich für diesen Wellenlängenbereich auf diese Weise eine maßgebliche Wellenlänge von ca. 130 nm. Die Gesamtreflektivität kann weiter erhöht werden, indem die maßgebliche Wellenlänge durch mathematische Optimierungsverfahren ermittelt wird, bei denen beispielsweise die optischen Konstanten der verwendeten Lagenmaterialien und deren Lagendicken für möglichst viele Wellenlängen im Betriebswellenlängenbereich berücksichtigt und ggf. variiert werden.

In einem dritten Schritt 705„Aufbringen einer Siliziumdioxidlage mittels plasmaunterstützter Abscheidung auf die aufgedampfte Magnesiumfluoridlage“ wird als Schutz der

Aluminiumschicht und der Magnesiumfluoridlage insbesondere vor Oxidation eine Oxidlage als Abschluss zur Umgebung bzw. zum Vakuum aufgebracht. Die plasmaunterstützte Abscheidung führt zu besonders dichten und damit resistenten Lagen. Außerdem kann die Lagendicke gut gesteuert werden. In Varianten können bei allen Beschichtungsschritten auch andere Beschichtungsarten wie etwa beispielsweise u.a. Magnetronsputtern, ionenunterstützte Abscheidung, plasmaunterstützte Abscheidung statt thermischem

Verdampfen, thermisches Verdampfen statt plasmaunterstützter Abscheidung usw. gewählt werden.

In Figur 8 ist beispielhaft der Ablauf einer weiteren Ausführungsform des hier

vorgeschlagenen Verfahrens zum Herstellen eines reflektiven optischen Elements für eine Betriebswellenlänge im VUV-Wellenlängenbereich dargestellt. In einem ersten Schritt 801 „Aufdampfen einer Aluminiumschicht auf ein Substrat“ wird Aluminium im hier dargestellten Beispiel durch Erhitzen im Vakuum auf ein Substrat aufgebracht. Je nach Substratmaterial kann die Substratoberfläche zuvor mit einem Haftvermittler und/oder einer Glättungsschicht versehen worden sein.

In einem zweiten Schritt 803„Aufdampfen einer Magnesiumfluoridlage auf die

Aluminiumschicht“ wird vor dem Aufbringen der ersten Lage eine Magnesiumfluoridlage aufgebracht, um eine Kontamination der Oberfläche des Substrats bzw. der Metallschicht bei der Handhabung und dem Transport vor Einbringen in die Beschichtungskammer für die Atomlagenabscheidung zu vermeiden. Dazu wird das Magnesiumfluorid im hier

dargestellten Beispiel im Vakuum erhitzt, was in der gleichen Beschichtungskammer wie der vorhergehende Schritt durchgeführt werden kann.

Anschließend wird das mit Aluminium und Magnesiumfluorid beschichtete Substrat in eine weitere Beschichtungskammer gebracht, um die Schritte 805„Aufbringen einer ersten Lage aus Magnesiumfluorid mittels Atomlagenabscheidung auf die aufgedampfte

Magnesiumfluoridlage“ und 807„Aufbringen einer zweiten Lage aus Magnesiumoxid mittels Atomlagenabscheidung auf die aufgebrachte Magnesiumfluoridlage“ durchzuführen. In Varianten können diese beiden Schritte 805 und 807 beliebig oft wiederholt werden. In weiteren Varianten kann zusätzlich oder alternativ zur Aluminiumschicht ein dielektrisches Schichtsystem aufgebracht werden, bevor oder nachdem die erste und die zweite Lage aufgebracht werden, wobei das dielektrische Schichtsystem mindestens eine Schicht aus einem Material mit einem niedrigerem Brechungsindex bei der Betriebswellenlänge und mindestens eine Schicht aus einem Material mit höherem Brechungsindex bei der

Betriebswellenlänge aufweist, um die optischen Eigenschaften des reflektiven optischen Elements gezielt zu beeinflussen. Dazu können für die Schichten die Materialien der ersten und zweiten Lagen verwendet werden oder auch andere Materialien gewählt werden.

In Figur 9 ist die Reflektivität in Abhängigkeit von der Wellenlänge zwischen 120 nm und 200 nm für verschiedene Spiegel aufgetragen, die alle eine Aluminiumverspiegelung aufweisen. Eine unbeschichtete und unoxidierte Aluminiumoberfläche würde eine

Reflektivität von idealerweise bis 0,92 über den gesamten Wellenlängenbereich erreichen. Allerdings würde sich in kürzester Zeit durch Oxidation eine Aluminiumoxidschicht ausbilden, deren Reflektivität (mit AI203 gekennzeichnet) zu geringeren Wellenlängen hin stetig abnimmt bis auf einen Wert von nur noch 0,2. Eine Schutzschicht aus

Magnesiumfluorid erlaubt es die Reflektivität durchgehend auf über 0,9 zu halten (mit MgF2 gekennzeichnet). Aber es hat sich herausgestellt, dass bei den Strahlungsintensitäten, die in der Lithographie sowie der Inspektion von Wafern und Masken benötigt werden, nach nur wenigen Stunden trotz einer Schutzschicht aus Magnesiumfluorid eine Oxidation der Aluminiumoberfläche beobachtet werden kann, die zu einen starken Reflektivitätsabfall führt. Eine längere Lebensdauer haben Aluminiumspiegel, wenn sie beispielsweise eine Siliziumdioxid-Schutzschicht aufweisen. Allerdings absorbiert Siliziumdioxid im

Wellenlängenbereich zwischen 120 nm und 150 nm teilweise sehr stark, was zu einer Reflektivität im Bereich zwischen 120 nm und 127 nm führt (mit Si02 gekennzeichnet), die noch unter der eines oxidierten Aluminiumspiegels liegt.

Um bei guter Lebensdauer die Reflektivitätseinbußen möglichst gering zu halten, wird daher vorgeschlagen, die Oxidlagen über eine entsprechende Dickenwahl für die

Metallfluoridlagen in einem Minimum der Feldstärke der sich bei Reflexion ausbildenden stehenden Welle anzuordnen, wo nur minimal Absorption stattfinden kann. Zusätzlich kann man die Oxidlage möglichst dünn und dicht aufbringen. Die stehende Welle, die sich bei Reflexion von Strahlung von 120 nm an einer Aluminiumoberfläche ausbildet, ist in den Figuren 10 und 1 1 dargestellt. Die Aluminiumschicht geht in den Figuren 10, 11 von negativen Abständen bis 0 nm. Davor oszilliert die Feldverteilung, dargestellt als

Betragsquadrat des elektrischen Feldes mit einer Periode von ca. 38 nm. Oberhalb sind

beispielhaft zwei verschiedene Lagenanordnungen schematisch eingezeichnet. In Figur 10 ist auf der Aluminiumschicht A eine erste Magnesiumfluoridlage B1 vorgesehen, so dass die möglichst dünne Siliziumdioxidlage C im ersten Feldverteilungsminimum vor der

Aluminiumschicht bei ca. 25 nm angeordnet ist, um die Absorption der Siliziumdioxidlage zu minimieren. Darüber kann eine weitere Magnesiumfluoridlage B2 angeordnet sein. In Figur 11 weist die zweite Magnesiumfluoridlage B2 analog zur ersten Magnesiumfluoridlage B1 ein Dicke auf, so dass eine zweite dünne Siliziumdioxidlage C2 ebenfalls in einem Minimum der Feldverteilung der stehenden Wellen angeordnet ist, im hier dargestellten Beispiel im zweiten Minimum vor der Aluminiumschicht bei etwa 61 nm.

Es sei darauf hingewiesen, dass die Periode der sich ausbildenden stehenden Wellen von den verwendeten Lagenmaterialien abhängt. So ist Magnesiumfluorid im VUV-Wellenlängenbereich als niedrigbrechend anzusehen und führt zu längeren Perioden, während höherbrechende Materialien zu kürzeren Perioden führen. So würde

beispielsweise eine vergleichbare Darstellung mit etwa Lanthanfluorid geringerer

Lagendicken aufweisen.

In Figur 12 ist die Reflektivität eines Spiegels in Anlehnung an die Lagenanordnung aus Figur 9 über den Wellenlängenbereich von 120 nm bis 200 nm dargestellt. Dieser Spiegel weist auf einer Aluminiumschicht eine erste Magnesiumfluoridlage von 21 nm, eine

Siliziumdioxidlage von 8 nm und eine zweite Magnesiumfluoridlage von 33 nm auf. Die entsprechende Reflektivität ist als gestrichelte Lage eingezeichnet. Zum Vergleich ist auch die Reflektivität eines Aluminiumspiegels, der nur mit einer 8 nm dicken Siliziumdioxidlage beschichtet ist, als durchgestrichene Linie eingezeichnet. Durch die Positionierung der Siliziumdioxidlage im Bereich der Feldstärkeminima für die Wellenlängen um 125 nm lässt sich auch im kurzwelligen Wellenlängenbereich eine Reflektivität von über 0,85 erreichen bei gesteigerter Lebensdauer auch bei hohen Strahlungsintensitäten.

In Figur 13 ist die stehende Welle dargestellt, die sich bei 124 nm bei einem reflektiven optischen Element ausbildet, das einen Aufbau gemäß Figur 4 aufweist. Dabei handelt es sich in diesem Beispiel um eine aufgedampfte Aluminiumverspiegelung A einer Dicke von 70 nm, darüber eine 26 nm dicken Magnesiumfluoridlage B und einer 5 nm dicken

Siliziumdioxidlage C, die zur Umgebung abschließt. Sowohl die Magnesiumfluoridlage B als auch die Siliziumdioxidlage C sind im hier dargestellten Beispiel mittels

Atomlagenabscheidung aufgebracht. Die Lagendicken sind so bemessen, dass die stärker

absorbierende Siliziumdioxidlage C sich dort befindet, wo die stehende Welle ein Minimum aufweist.

Die Reflektitivät bei normalem Einfall dieses reflektiven optischen Elements über den Wellenlängenbereich von 120 nm bis 200 nm ist in Figur 14 dargestellt und liegt über diesen gesamten Wellenlängenbereich im wesentlichen zwischen 90% und 85%. Es sei darauf hingewiesen, dass bei einem entsprechenden reflektiven optischen Element gemäß Figur 3, also beispielsweise mit einem Aluminiumsubstrat und ohne dedizierte Metallverspiegelung aus Aluminium, aber identischen Magnesiumfluorid- und Siliziumdioxidlagen sich eine identische stehende Welle bei 124 nm ausbilden würde bzw. der Reflektivitätsverlauf bei normalem Einfall über den Wellenlängenbereich von 120 nm bis 200 nm identisch wäre.

In Figur 15 ist die stehende Welle dargestellt, die sich bei 124 nm bei einem reflektiven optischen Element ausbildet, das einen Aufbau gemäß Figur 6 aufweist. Es weist im hier dargestellten Beispiel eine Aluminiumverspiegelung A einer Dicke von 70 nm auf. Darüber ist ein Mehrfachlagensystem alternierend angeordneter Lagen mit unterschiedlichem Brechungsindex bei 124 nm aufgebracht, nämlich drei Lagen B aus aufgedampftem

Magnesiumfluorid 61 einer Dicke von jeweils 19 nm und zwei Lagen B’ aus aufgedampftem Lanthanfluorid einer Dicke von jeweils 14,5 nm. Auf der dem Substrat und der

Verspiegelung A abgewandten Seite dieses Mehrfachlagensystems sind im hier

dargestellten Beispiel mittels Atomlagenabscheidung eine Lage B” Lanthanfluorid einer Dicke von 14 nm sowie eine zur Umgebung abschließende Lage C einer Dicke von 5 nm aus Siliziumdioxid. Die Lagendicken sind so bemessen, dass die stärker absorbierende Siliziumdioxidlage C sich dort befindet, wo die stehende Welle ein Minimum aufweist.

Die Reflektitivät bei normalem Einfall dieses reflektiven optischen Elements über den Wellenlängenbereich von 120 nm bis 200 nm ist in Figur 16 dargestellt. In den Bereichen zwischen ca. 120 nm und ca. 135 nm sowie ca. 168 nm bis ca. 200 nm wird sogar eine Reflektivität von über 90% erreicht. Im Wellenlängenbereich zwischen ca. 135 nm und ca. 168 nm sinkt die Reflektivität nicht unter 70% ab.

Um die Reflektivität für die Bestrahlung mit insbesondere breitbandiger Strahlung zu optimieren, wird die maßgebliche Wellenlänge, derart gewählt ist, dass das Integral über den Extinktionskoeffizienten des Materials der mindestens einen Oxidlage von einer minimalen Wellenlänge des VUV-Wellenlängenbereichs bis zur maßgeblichen Wellenlängen

zwischen 15% und 47%, bevorzugt zwischen 18% und 44%, besonders bevorzugt ca. 33% des entsprechenden Integrals von der minimalen Wellenlängen bis zu einer maximalen Wellenlänge des VUV-Wellenlängenbereichs beträgt. Aus der Lage der Minima der stehenden Welle, die sich bei Reflexion der maßgeblichen Wellenlänge an dem reflektiven optischen Element, ergibt sich, wo die mindestens eine Oxidlage positioniert werden sollte, um eine möglichst hohe Reflektivität über die gesamte Bandbreite zu maximieren.

Das hier vorgeschlagene Vorgehen sowohl in Hinblick auf die Herstellung als auch in Hinblick auf das Design erlaubt das Bereitstellen reflektiver optischer Elemente für Wellenlängen im Bereich von 100 nm bis 200 nm, bevorzugt 120 nm bis 190 nm, die durch das Vorsehen mindestens einer Oxidlage auch bei Gebrauch bei höheren

Strahlungsintensitäten eine längere Lebensdauer bei überraschend guter Reflektivität aufweisen können.

Bezugszeichen

1 VUV-Lithographievorrichtung

2 Waferinspektionssystem

3 reflektives optisches Element

4 reflektives optisches Element

5 reflektives optisches Element

6 reflektives optisches Element 10 Strahlungsquelle

1 1 Strahlung

12 Beleuchtungssystem

13 Maske

14 Projektionssystem

15 zu belichtendes Element 20 Strahlungsquelle

21 Strahlung

22 optisches System

23 Detektor

25 Wafer

31 Substrat

32 Substratoberfläche

33 Metallfluoridlage

35 Oxidlage

37 reflektive Fläche

41 Substrat

42 Funktionalschicht

43 Metallfluoridlage

45 Oxidlage

47 reflektive Fläche

49 Metallschicht

51 Substrat

53 Metallfluoridlage

55 Oxidlage

57 reflektive Fläche

59 Metallschicht

61 Metalfluoridlage

63, 63’, 63” Metalfluoridlage

65 Oxidlage

67 reflektive Fläche

69 Metallschicht

120 Linse

121 Spiegel

140 Linse

141 Linse

220 Spiegel

221 Spiegel

701 Verfahrensschritt

703 Verfahrensschritt

705 Verfahrensschritt

801 Verfahrensschritt

803 Verfahrensschritt

805 Verfahrensschritt

807 Verfahrensschritt

1210 reflektive Fläche

2210 reflektive Fläche

2220 reflektive Fläche

A Aluminiumschicht

B Magnesiumfluoridlage

B’ Lanthanfluoridlage (aufgedampft)

B” Lanthanfluoridlage (über Atomlagenabscheidung aufgebracht)

B1 Magnesiumfluoridlage

B2 Magnesiumfluoridlage

C Siliziumdioxidlage

C1 Siliziumdioxidlage

C2 Siliziumdioxidlage