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1. (WO2020011716) ELEKTRONISCHES HALBLEITERBAUELEMENT MIT EINER MARKIERUNG UND VERFAHREN ZUR HERSTELLUNG EINES ELEKTRONISCHEN HALBLEITERBAUELEMENTS MIT EINER MARKIERUNG
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Veröff.-Nr.: WO/2020/011716 Internationale Veröffentlichungsnummer: PCT/EP2019/068266
Veröffentlichungsdatum: 16.01.2020 Internationales Anmeldedatum: 08.07.2019
IPC:
H01L 23/544 (2006.01) ,H01L 23/04 (2006.01) ,H01L 23/31 (2006.01)
H Elektrotechnik
01
Grundlegende elektrische Bauteile
L
Halbleiterbauelemente; elektrische Festkörperbauelemente, soweit nicht anderweitig vorgesehen
23
Einzelheiten von Halbleiter- oder anderen Festkörperbauelementen
544
Markierungen auf Halbleiterbauelementen, z.B. Markierungen zu Kennzeichnungszwecken, Teststrukturen
H Elektrotechnik
01
Grundlegende elektrische Bauteile
L
Halbleiterbauelemente; elektrische Festkörperbauelemente, soweit nicht anderweitig vorgesehen
23
Einzelheiten von Halbleiter- oder anderen Festkörperbauelementen
02
Gehäuse; Abdichtungen
04
gekennzeichnet durch die Form
H Elektrotechnik
01
Grundlegende elektrische Bauteile
L
Halbleiterbauelemente; elektrische Festkörperbauelemente, soweit nicht anderweitig vorgesehen
23
Einzelheiten von Halbleiter- oder anderen Festkörperbauelementen
28
Einkapselungen, z.B. Schutzschichten, Überzüge
31
gekennzeichnet durch die Anordnung
Anmelder:
OSRAM OLED GMBH [DE/DE]; Wernerwerkstraße 2 93049 Regensburg, DE
Erfinder:
KIESSLING, Matthias; DE
REITH, Andreas; DE
Vertreter:
EPPING HERMANN FISCHER PATENTANWALTSGESELLSCHAFT MBH; Schloßschmidstr. 5 80639 München, DE
Prioritätsdaten:
10 2018 116 821.711.07.2018DE
Titel (DE) ELEKTRONISCHES HALBLEITERBAUELEMENT MIT EINER MARKIERUNG UND VERFAHREN ZUR HERSTELLUNG EINES ELEKTRONISCHEN HALBLEITERBAUELEMENTS MIT EINER MARKIERUNG
(EN) ELECTRONIC SEMICONDUCTOR COMPONENT HAVING A MARKING AND METHOD FOR PRODUCING AN ELECTRONIC SEMICONDUCTOR COMPONENT HAVING A MARKING
(FR) COMPOSANT ÉLECTRONIQUE À SEMI-CONDUCTEUR POURVU D'UN MARQUAGE ET PROCÉDÉ DE FABRICATION D'UN COMPOSANT ÉLECTRONIQUE À SEMI-CONDUCTEUR POURVU D'UN MARQUAGE
Zusammenfassung:
(DE) Es wird ein elektronisches Halbleiterbauelement (1) mit einer GehäuseStruktur (10) und einer in die GehäuseStruktur (10) eingebrachten Kavität (100) angegeben. Die Kavität (100) weist eine Grundfläche (100A) auf. Ferner umfasst das elektronische Halbleiterbauelement (1) eine Hilfsschicht (110), die auf der Grundfläche (100A) der Kavität (100) angeordnet ist, und eine die Hilfsschicht (110) bis mindestens zur Grundfläche (100A) der Kavität (100) durchdringende Markierung (120). Die Markierung (120) weist einen optischen Kontrast auf, der sowohl von einer optischen Eigenschaft der GehäuseStruktur (10) als auch einer optischen Eigenschaft der Hilfsschicht (110) abhängt. Weiterhin wird ein Verfahren zur Herstellung eines elektronischen Halbleiterbauelements (1) angegeben.
(EN) The invention relates to an electronic semiconductor component (1), comprising a housing structure (10) and a cavity (100) introduced into the housing structure (10). The cavity (100) has a base surface (100A). Furthermore, the electronic semiconductor component (1) has an auxiliary layer (110), which is arranged on the base surface (100A) of the cavity (100), and a marking (120), which penetrates the auxiliary layer (110) at least to the base surface (100A) of the cavity (100). The marking (120) has an optical contrast, which depends on both an optical property of the housing structure (10) and an optical property of the auxiliary layer (110). The invention further relates to a method for producing an electronic semiconductor component (1).
(FR) L'invention concerne un composant électronique à semi-conducteur (1) pourvu d'une structure de boîtier (10) et d'une cavité (100) ménagée dans la structure de boîtier (10). La cavité (100) présente une surface de base (100A). En outre, le composant électronique à semi-conducteur (1) comprend une couche auxiliaire (110), qui est disposée sur la surface de base (100A) de la cavité (100), et un marquage (120) traversant la couche auxiliaire (110) jusqu'à au moins la surface de base (100A) de la cavité (100). Le marquage (120) présente un contraste optique, qui dépend aussi bien d'une propriété optique de la structure de boîtier (10) que d'une propriété optique de la couche auxiliaire (110). La présente invention concerne également un procédé de fabrication d'un composant électronique à semi-conducteur (1).
front page image
Designierte Staaten: AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DJ, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IR, IS, JO, JP, KE, KG, KH, KN, KP, KR, KW, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SA, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW
Afrikanische Organisation für geistiges Eigentum (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, ST, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Eurasisches Patentamt (EAPO) (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
Europäisches Patentamt (EPA) (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
Afrikanische Organisation für geistiges Eigentum (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, KM, ML, MR, NE, SN, TD, TG)
Veröffentlichungssprache: Deutsch (DE)
Anmeldesprache: Deutsch (DE)