Suche in nationalen und internationalen Patentsammlungen
Einige Inhalte dieser Anwendung sind derzeit nicht verfügbar.
Wenn diese Situation weiterhin besteht, kontaktieren Sie uns bitte unterFeedback&Kontakt
1. (WO2020011539) HALTEVORRICHTUNG, VERFAHREN ZUR BESCHICHTUNG EINER HALTEVORRICHTUNG UND VERWENDUNG DER HALTEVORRICHTUNG
Aktuellste beim Internationalen Büro vorliegende bibliographische DatenEinwendung einreichen

Veröff.-Nr.: WO/2020/011539 Internationale Veröffentlichungsnummer: PCT/EP2019/067041
Veröffentlichungsdatum: 16.01.2020 Internationales Anmeldedatum: 26.06.2019
IPC:
C23C 16/02 (2006.01) ,C23C 16/34 (2006.01) ,C23C 16/44 (2006.01) ,C23C 16/458 (2006.01) ,C23C 16/50 (2006.01) ,H01L 21/673 (2006.01)
C Chemie; Hüttenwesen
23
Beschichten metallischer Werkstoffe; Beschichten von Werkstoffen mit metallischen Stoffen; Chemische Oberflächenbehandlung; Diffusionsbehandlung von metallischen Werkstoffen; Beschichten allgemein durch Vakuumbedampfen, Aufstäuben, Ionenimplantation oder chemisches Abscheiden aus der Dampfphase; Inhibieren von Korrosion metallischer Werkstoffe oder von Verkrustung allgemein
C
Beschichten metallischer Werkstoffe; Beschichten von Werkstoffen mit metallischen Stoffen; Oberflächenbehandlung metallischer Werkstoffe durch Diffusion in die Oberfläche, durch chemische Umwandlung oder Substitution; Beschichten allgemein durch Vakuumbedampfen, durch Aufstäuben, durch Ionenimplantation oder durch chemisches Abscheiden aus der Dampfphase
16
Chemisches Beschichten durch Zersetzen gasförmiger Verbindungen ohne Verbleiben von Reaktionsprodukten des Oberflächenmaterials im Überzug, d.h. Verfahren zur chemischen Abscheidung aus der Dampfphase [chemical vapour deposition = CVD]
02
Vorbehandlung des zu beschichtenden Werkstoffs
C Chemie; Hüttenwesen
23
Beschichten metallischer Werkstoffe; Beschichten von Werkstoffen mit metallischen Stoffen; Chemische Oberflächenbehandlung; Diffusionsbehandlung von metallischen Werkstoffen; Beschichten allgemein durch Vakuumbedampfen, Aufstäuben, Ionenimplantation oder chemisches Abscheiden aus der Dampfphase; Inhibieren von Korrosion metallischer Werkstoffe oder von Verkrustung allgemein
C
Beschichten metallischer Werkstoffe; Beschichten von Werkstoffen mit metallischen Stoffen; Oberflächenbehandlung metallischer Werkstoffe durch Diffusion in die Oberfläche, durch chemische Umwandlung oder Substitution; Beschichten allgemein durch Vakuumbedampfen, durch Aufstäuben, durch Ionenimplantation oder durch chemisches Abscheiden aus der Dampfphase
16
Chemisches Beschichten durch Zersetzen gasförmiger Verbindungen ohne Verbleiben von Reaktionsprodukten des Oberflächenmaterials im Überzug, d.h. Verfahren zur chemischen Abscheidung aus der Dampfphase [chemical vapour deposition = CVD]
22
gekennzeichnet durch das Abscheiden anderer anorganischer Stoffe als metallischer Stoffe
30
Abscheiden von Verbindungen, Gemischen oder festen Lösungen, z.B. von Boriden, Carbiden, Nitriden
34
von Nitriden
C Chemie; Hüttenwesen
23
Beschichten metallischer Werkstoffe; Beschichten von Werkstoffen mit metallischen Stoffen; Chemische Oberflächenbehandlung; Diffusionsbehandlung von metallischen Werkstoffen; Beschichten allgemein durch Vakuumbedampfen, Aufstäuben, Ionenimplantation oder chemisches Abscheiden aus der Dampfphase; Inhibieren von Korrosion metallischer Werkstoffe oder von Verkrustung allgemein
C
Beschichten metallischer Werkstoffe; Beschichten von Werkstoffen mit metallischen Stoffen; Oberflächenbehandlung metallischer Werkstoffe durch Diffusion in die Oberfläche, durch chemische Umwandlung oder Substitution; Beschichten allgemein durch Vakuumbedampfen, durch Aufstäuben, durch Ionenimplantation oder durch chemisches Abscheiden aus der Dampfphase
16
Chemisches Beschichten durch Zersetzen gasförmiger Verbindungen ohne Verbleiben von Reaktionsprodukten des Oberflächenmaterials im Überzug, d.h. Verfahren zur chemischen Abscheidung aus der Dampfphase [chemical vapour deposition = CVD]
44
gekennzeichnet durch das Beschichtungsverfahren
C Chemie; Hüttenwesen
23
Beschichten metallischer Werkstoffe; Beschichten von Werkstoffen mit metallischen Stoffen; Chemische Oberflächenbehandlung; Diffusionsbehandlung von metallischen Werkstoffen; Beschichten allgemein durch Vakuumbedampfen, Aufstäuben, Ionenimplantation oder chemisches Abscheiden aus der Dampfphase; Inhibieren von Korrosion metallischer Werkstoffe oder von Verkrustung allgemein
C
Beschichten metallischer Werkstoffe; Beschichten von Werkstoffen mit metallischen Stoffen; Oberflächenbehandlung metallischer Werkstoffe durch Diffusion in die Oberfläche, durch chemische Umwandlung oder Substitution; Beschichten allgemein durch Vakuumbedampfen, durch Aufstäuben, durch Ionenimplantation oder durch chemisches Abscheiden aus der Dampfphase
16
Chemisches Beschichten durch Zersetzen gasförmiger Verbindungen ohne Verbleiben von Reaktionsprodukten des Oberflächenmaterials im Überzug, d.h. Verfahren zur chemischen Abscheidung aus der Dampfphase [chemical vapour deposition = CVD]
44
gekennzeichnet durch das Beschichtungsverfahren
458
gekennzeichnet durch die Art der Substrat-Halterung im Reaktionsraum
C Chemie; Hüttenwesen
23
Beschichten metallischer Werkstoffe; Beschichten von Werkstoffen mit metallischen Stoffen; Chemische Oberflächenbehandlung; Diffusionsbehandlung von metallischen Werkstoffen; Beschichten allgemein durch Vakuumbedampfen, Aufstäuben, Ionenimplantation oder chemisches Abscheiden aus der Dampfphase; Inhibieren von Korrosion metallischer Werkstoffe oder von Verkrustung allgemein
C
Beschichten metallischer Werkstoffe; Beschichten von Werkstoffen mit metallischen Stoffen; Oberflächenbehandlung metallischer Werkstoffe durch Diffusion in die Oberfläche, durch chemische Umwandlung oder Substitution; Beschichten allgemein durch Vakuumbedampfen, durch Aufstäuben, durch Ionenimplantation oder durch chemisches Abscheiden aus der Dampfphase
16
Chemisches Beschichten durch Zersetzen gasförmiger Verbindungen ohne Verbleiben von Reaktionsprodukten des Oberflächenmaterials im Überzug, d.h. Verfahren zur chemischen Abscheidung aus der Dampfphase [chemical vapour deposition = CVD]
44
gekennzeichnet durch das Beschichtungsverfahren
50
unter Anwendung elektrischer Entladungen
H Elektrotechnik
01
Grundlegende elektrische Bauteile
L
Halbleiterbauelemente; elektrische Festkörperbauelemente, soweit nicht anderweitig vorgesehen
21
Verfahren oder Geräte, besonders ausgebildet für die Herstellung oder Behandlung von Halbleiter- oder Festkörperbauelementen oder Teilen davon
67
Vorrichtungen, besonders ausgebildet zur Handhabung von Halbleiterbauelementen oder elektrischen Festkörperbauelementen während ihrer Herstellung oder Behandlung; Vorrichtungen, besonders ausgebildet zur Handhabung von Wafern während der Herstellung oder Behandlung von Halbleiterbauelementen, elektrischen Festkörperbauelementen oder einzelnen Schaltungselementen
673
unter Verwendung besonders ausgebildeter Trägersysteme
Anmelder:
HANWHA Q CELLS GMBH [DE/DE]; Sonnenallee 17 - 21, OT Thalheim 06766 Bitterfeld-Wolfen, DE
Erfinder:
SCHWABEDISSEN, Axel; DE
JUNGHÄNEL, Matthias; DE
DUNCKER, Klaus; DE
PETERS, Stefan; DE
JARZEMBOWSKI, Enrico; DE
Vertreter:
ADARES PATENT- UND RECHTSANWÄLTE REININGER & PARTNER GMBB; Tauentzienstraße 7b/c 10789 Berlin, DE
Prioritätsdaten:
10 2018 116 756.311.07.2018DE
Titel (DE) HALTEVORRICHTUNG, VERFAHREN ZUR BESCHICHTUNG EINER HALTEVORRICHTUNG UND VERWENDUNG DER HALTEVORRICHTUNG
(EN) HOLDING DEVICE, METHOD FOR COATING A HOLDING DEVICE, AND USE OF THE HOLDING DEVICE
(FR) DISPOSITIF DE SUPPORT, PROCÉDÉ POUR LE REVÊTEMENT D’UN DISPOSITIF DE SUPPORT ET UTILISATION DU DISPOSITIF DE SUPPORT
Zusammenfassung:
(DE) Die Erfindung betrifft eine Haltevorrichtung zum Halten eines Substrats bei einer plasmaunterstützten Abscheidung einer Schicht aus der Gasphase auf dem Substrat, die als Boot für eine Dampfabscheidevorrichtung ausgebildet ist und ein Grundmaterial (1) und eine SiNx-Schicht (3) aufweist, dadurch gekennzeichnet, dass zwischen einer Oberfläche des Grundmaterials (1) und der SiNx-Schicht (3) eine oxidische dielektrische Schicht (2) angeordnet ist. Ferner betrifft die Erfindung ein Verfahren zur Beschichtung einer Haltevorrichtung zum Halten eines Substrats bei einer plasmaunterstützten Abscheidung einer Schicht aus der Gasphase auf dem Substrat, aufweisend folgende Schritte: Bereitstellendes Grundmaterials (1), das als Boot ausgebildet ist, in einer PECVD Anlage,Aufheizen des Grundmaterials (1)auf eine vorbestimmte Temperatur, Abscheiden eineroxidischen dielektrischen Schicht(2) aus der Gasphase auf dem Grundmaterial (1);und Abscheiden einer SiNx-Schicht(3) aus der Gasphase auf der oxidischen dielektrischen Schicht (2). Ferner betrifft die Erfindung eine Verwendung der Haltevorrichtung bei einer plasmaunterstützten Abscheidung aus der Gasphase als Haltevorrichtung für Substrate.
(EN) The invention relates to a holding device for holding a substrate during the plasma-enhanced deposition of a layer from the gas phase on the substrate, said holding device being in the form of a boat for a vapour deposition device and having a base material (1) and an SiNx layer (3), characterised in that there is an oxidic dielectric layer (2) between a surface of the base material (1) and the SiNx layer (3). The invention also relates to a method for coating a holding device for holding a substrate during the plasma-enhanced deposition of a layer from a gas phase on the substrate, said method having the following steps: providing the base material (1) in the form of a boat in a PECVD plant; heating the base material (1) to a predefined temperature; depositing an oxidic dielectric layer (2) from the gas phase on the base material (1); and depositing an SiNx layer (3) from the gas phase on the oxidic dielectric layer (2). The invention also relates to the use of the holding device as a holding device for substrates in plasma-enhanced deposition from the gas phase.
(FR) L’invention concerne un dispositif de support pour le support d’un substrat lors d’un dépôt assisté par plasma d’une couche depuis la phase gazeuse sur le substrat, le dispositif étant formé comme un canot pour un dispositif de dépôt en phase vapeur et comprenant un matériau de base (1) et une couche SiNz (3), caractérisé en ce qu’une couche diélectrique oxyde est agencée entre une surface du matériau de base (1) et la couche de SiNx (3). L’invention concerne en outre un procédé pour le revêtement d’un dispositif de support pour le support d’un substrat lors d’un dépôt assisté par plasma d’une couche depuis la phase gazeuse sur le substrat, comprenant les étapes suivantes : placement du matériau de base (1) fourni, réalisé en forme de canot, dans une installation PECVD, chauffage du matériau de base (1) à une température prédéfinie, dépôt d’une couche diélectrique oxyde (2) de la phase gazeuse sur le matériau de base (1) ; et dépôt d’une couche de SiNx (3) de la phase gazeuse sur la couche diélectrique oxyde (2). L’invention concerne en outre une utilisation du dispositif de support comme dispositif de support pour substrats lors du dépôt assisté par plasma depuis une phase gazeuse.
front page image
Designierte Staaten: AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DJ, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IR, IS, JO, JP, KE, KG, KH, KN, KP, KR, KW, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SA, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW
Afrikanische Organisation für geistiges Eigentum (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, ST, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Eurasisches Patentamt (EAPO) (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
Europäisches Patentamt (EPA) (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
Afrikanische Organisation für geistiges Eigentum (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, KM, ML, MR, NE, SN, TD, TG)
Veröffentlichungssprache: Deutsch (DE)
Anmeldesprache: Deutsch (DE)