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1. (WO2020007920) VERFAHREN ZUR HERSTELLUNG VON OPTOELEKTRONISCHEN HALBLEITERBAUTEILEN UND OPTOELEKTRONISCHES HALBLEITERBAUTEIL
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Veröff.-Nr.: WO/2020/007920 Internationale Veröffentlichungsnummer: PCT/EP2019/067863
Veröffentlichungsdatum: 09.01.2020 Internationales Anmeldedatum: 03.07.2019
IPC:
H01L 27/15 (2006.01) ,H01L 33/00 (2010.01) ,H01L 33/08 (2010.01) ,H01L 33/18 (2010.01) ,H01L 33/24 (2010.01) ,H01L 33/12 (2010.01)
H Elektrotechnik
01
Grundlegende elektrische Bauteile
L
Halbleiterbauelemente; elektrische Festkörperbauelemente, soweit nicht anderweitig vorgesehen
27
Bauelemente, die aus einer Mehrzahl von in oder auf einem gemeinsamen Substrat ausgebildeten Halbleiter- oder anderen Festkörperschaltungselementen bestehen [integrierte Schaltungen]
15
mit Halbleiterschaltungselementen mit wenigstens einer Potenzialsprung-Sperrschicht oder Oberflächensperrschicht, besonders ausgebildet zur Lichtemission
H Elektrotechnik
01
Grundlegende elektrische Bauteile
L
Halbleiterbauelemente; elektrische Festkörperbauelemente, soweit nicht anderweitig vorgesehen
33
Halbleiterbauelemente mit wenigstens einer Potenzialsprung-Sperrschicht oder Oberflächensperrschicht, besonders ausgebildet zur Lichtemission; Verfahren oder Vorrichtungen, besonders ausgebildet für die Herstellung oder Behandlung dieser Bauelemente oder Teilen davon; Einzelheiten dieser Bauelemente
H Elektrotechnik
01
Grundlegende elektrische Bauteile
L
Halbleiterbauelemente; elektrische Festkörperbauelemente, soweit nicht anderweitig vorgesehen
33
Halbleiterbauelemente mit wenigstens einer Potenzialsprung-Sperrschicht oder Oberflächensperrschicht, besonders ausgebildet zur Lichtemission; Verfahren oder Vorrichtungen, besonders ausgebildet für die Herstellung oder Behandlung dieser Bauelemente oder Teilen davon; Einzelheiten dieser Bauelemente
02
charakterisiert durch den Halbleiterkörper
08
mit einer Mehrzahl lichtemittierender Bereiche, z.B. lateral diskontinuierliche lichtemittierende Schichten oder in den Halbleiterkörper integrierte photolumineszente Bereiche
H Elektrotechnik
01
Grundlegende elektrische Bauteile
L
Halbleiterbauelemente; elektrische Festkörperbauelemente, soweit nicht anderweitig vorgesehen
33
Halbleiterbauelemente mit wenigstens einer Potenzialsprung-Sperrschicht oder Oberflächensperrschicht, besonders ausgebildet zur Lichtemission; Verfahren oder Vorrichtungen, besonders ausgebildet für die Herstellung oder Behandlung dieser Bauelemente oder Teilen davon; Einzelheiten dieser Bauelemente
02
charakterisiert durch den Halbleiterkörper
16
mit besonderer Kristallstruktur oder -orientierung, z.B. polykristallin, amorph oder porös
18
innerhalb des lichtemittierenden Bereichs
H Elektrotechnik
01
Grundlegende elektrische Bauteile
L
Halbleiterbauelemente; elektrische Festkörperbauelemente, soweit nicht anderweitig vorgesehen
33
Halbleiterbauelemente mit wenigstens einer Potenzialsprung-Sperrschicht oder Oberflächensperrschicht, besonders ausgebildet zur Lichtemission; Verfahren oder Vorrichtungen, besonders ausgebildet für die Herstellung oder Behandlung dieser Bauelemente oder Teilen davon; Einzelheiten dieser Bauelemente
02
charakterisiert durch den Halbleiterkörper
20
mit besonderer Form, z.B. gewölbte oder angeschrägte Substrate
24
des lichtemittierenden Bereichs, z.B. nicht-planare Übergänge
H Elektrotechnik
01
Grundlegende elektrische Bauteile
L
Halbleiterbauelemente; elektrische Festkörperbauelemente, soweit nicht anderweitig vorgesehen
33
Halbleiterbauelemente mit wenigstens einer Potenzialsprung-Sperrschicht oder Oberflächensperrschicht, besonders ausgebildet zur Lichtemission; Verfahren oder Vorrichtungen, besonders ausgebildet für die Herstellung oder Behandlung dieser Bauelemente oder Teilen davon; Einzelheiten dieser Bauelemente
02
charakterisiert durch den Halbleiterkörper
12
mit spannungsabbauender Struktur, z.B. einer Pufferschicht
Anmelder:
OSRAM OLED GMBH [DE/DE]; Wernerwerkstraße 2 93049 Regensburg, DE
Erfinder:
TONKIKH, Alexander; DE
AVRAMESCU, Adrian Stefan; DE
BEHRINGER, Martin Rudolf; DE
Vertreter:
EPPING HERMANN FISCHER PATENTANWALTSGESELLSCHAFT MBH; Schloßschmidstr. 5 80639 München, DE
Prioritätsdaten:
10 2018 116 224.304.07.2018DE
Titel (DE) VERFAHREN ZUR HERSTELLUNG VON OPTOELEKTRONISCHEN HALBLEITERBAUTEILEN UND OPTOELEKTRONISCHES HALBLEITERBAUTEIL
(EN) METHOD FOR PRODUCING OPTOELECTRONIC SEMICONDUCTOR COMPONENTS, AND OPTOELECTRONIC SEMICONDUCTOR COMPONENT
(FR) PROCÉDÉ DE FABRICATION DE COMPOSANTS SEMI-CONDUCTEURS OPTOÉLECTRONIQUES ET COMPOSANT SEMI-CONDUCTEUR OPTOÉLECTRONIQUE
Zusammenfassung:
(DE) In einer Ausführungsform ist das Verfahren zur Herstellung von optoelektronischen Halbleiterbauteilen eingerichtet und umfasst die Schritte: A) Bereitstellen eines Aufwachssubstrats (2), und B) Wachsen einer Vielzahl von lichtemittierenden Halbleitersäulen (3) an dem Aufwachssubstrat (2), wobei - ein mittlerer Durchmesser der Halbleitersäulen (3) bei höchstens 1µm liegt, - eine erste Gruppe (31) und/oder eine zweite Gruppe (32) der Halbleitersäulen (3) an dem Aufwachssubstrat (2) aus einem III-Nitrid-Material gewachsen wird, und - eine dritte Gruppe (33) der Halbleitersäulen (3) an dem Aufwachssubstrat (2) aus oder mit einem III-Phosphid-Material gewachsen wird.
(EN) In one embodiment, the method is configured for producing optoelectronic semiconductor components and comprising the steps of: A) providing a growth substrate (2), and B) growing a plurality of light-emitting semiconductor columns (3) on the growth substrate (2), wherein an average diameter of the semiconductor columns (3) is max. 1µm, a first group (31) and/or a second group (32) of the semiconductor columns (3) on the growth substrate (2) is grown from a III-nitride material, and a third group )33) of the semiconductor columns (3) on the growth substrate (2) is grown from or with a III-phosphide material.
(FR) L'invention concerne un procédé de fabrication de composants semi-conducteurs optoélectroniques et un composant semi-conducteur optoélectronique. Dans un mode de réalisation, le procédé est conçu pour fabriquer des composants semi-conducteurs optoélectroniques et comprend les étapes : A) de fourniture d'un substrat de croissance (2), et B) de croissance d'une pluralité de colonnes semi-conductrices (3) électroluminescentes sur le substrat de croissance (2), - un diamètre moyen des colonnes semi-conductrices (3) atteignant au plus 1 µm, - un premier groupe (31) et/ou un deuxième groupe (32) des colonnes semi-conductrices (3) étant amenés à croître sur le substrat de croissance (2) à partir d'un matériau nitrure III, et - un troisième groupe (33) des colonnes semi-conductrices (3) étant amené à croître sur le substrat de croissance (2) à partir d'un matériau phosphure III ou avec celui-ci.
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