Suche in nationalen und internationalen Patentsammlungen
Einige Inhalte dieser Anwendung sind derzeit nicht verfügbar.
Wenn diese Situation weiterhin besteht, kontaktieren Sie uns bitte unterFeedback&Kontakt
1. (WO2020007864) VIELSCHICHTVARISTOR MIT FELDOPTIMIERTEM MIKROGEFÜGE
Aktuellste beim Internationalen Büro vorliegende bibliographische DatenEinwendung einreichen

Veröff.-Nr.: WO/2020/007864 Internationale Veröffentlichungsnummer: PCT/EP2019/067746
Veröffentlichungsdatum: 09.01.2020 Internationales Anmeldedatum: 02.07.2019
IPC:
H01C 7/102 (2006.01) ,H01C 7/112 (2006.01) ,H01C 7/18 (2006.01)
H Elektrotechnik
01
Grundlegende elektrische Bauteile
C
Widerstände
7
Nichteinstellbare Widerstände bestehend aus einer oder mehreren Schichten oder Überzügen; nichteinstellbare Widerstände hergestellt aus pulverförmigem leitenden Werkstoff oder pulverförmigem halbleitenden Werkstoff mit oder ohne Isoliermaterial
10
spannungsabhängig, z.B. Varistoren
102
Varistor-Grenzflächen, z.B. Oberflächenschichten
H Elektrotechnik
01
Grundlegende elektrische Bauteile
C
Widerstände
7
Nichteinstellbare Widerstände bestehend aus einer oder mehreren Schichten oder Überzügen; nichteinstellbare Widerstände hergestellt aus pulverförmigem leitenden Werkstoff oder pulverförmigem halbleitenden Werkstoff mit oder ohne Isoliermaterial
10
spannungsabhängig, z.B. Varistoren
105
Varistor-Körper
108
Metalloxid
112
Zinkoxid
H Elektrotechnik
01
Grundlegende elektrische Bauteile
C
Widerstände
7
Nichteinstellbare Widerstände bestehend aus einer oder mehreren Schichten oder Überzügen; nichteinstellbare Widerstände hergestellt aus pulverförmigem leitenden Werkstoff oder pulverförmigem halbleitenden Werkstoff mit oder ohne Isoliermaterial
18
mit einer Vielzahl von übereinander liegenden Schichten zwischen den Anschlüssen
Anmelder:
TDK ELECTRONICS AG [DE/DE]; Rosenheimer Str. 141 e 81671 München, DE
Erfinder:
FEICHTINGER, Thomas; AT
HOFSTÄTTER, Michael; AT
GRÜNBICHLER, Hermann; AT
Vertreter:
EPPING HERMANN FISCHER PATENTANWALTSGESELLSCHAFT MBH; Schloßschmidstr. 5 80639 München, DE
Prioritätsdaten:
10 2018 116 221.904.07.2018DE
Titel (DE) VIELSCHICHTVARISTOR MIT FELDOPTIMIERTEM MIKROGEFÜGE
(EN) MULTILAYER VARISTOR HAVING A FIELD-OPTIMIZED MICROSTRUCTURE
(FR) VARISTOR MULTICOUCHE À MICROSTRUCTURE OPTIMISÉE EN CHAMP
Zusammenfassung:
(DE) Vielschichtvaristor, umfassend einen Keramikkörper aus einem Varistormaterial, wobei der Keramikkörper mehrere Innenelektroden sowie erste Bereiche (A) und zweite Bereiche (B) umfasst und das Varistormaterial in den ersten Bereichen (A) eine erste mittlere Körngröße DA und in den zweiten Bereichen (B) eine zweite mittlere Körngröße DB aufweist, wobei gilt: DA< DB.
(EN) The invention relates to a multilayer varistor having a ceramic body that consists of a varistor material, said ceramic body comprising a plurality of inner electrodes and first regions (A) and second regions (B) and the varistor material in the first regions (A) having a first average particle diameter DA and in the second regions (B) a second average particle diameter DB, wherein DA< DB.
(FR) L'invention concerne un varistor multicouche comprenant un corps en céramique d'un matériau de varistance, le corps en céramique comprenant une pluralité d'électrodes internes ainsi que des premières régions (A) et deuxièmes régions (B), le matériau de varistance ayant une première taille de grain moyenne DA dans les premières régions (A) et une deuxième taille de grain moyenne DB dans les deuxièmes régions (B), où DA< DB.
front page image
Designierte Staaten: AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DJ, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IR, IS, JO, JP, KE, KG, KH, KN, KP, KR, KW, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SA, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW
Afrikanische Organisation für geistiges Eigentum (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, ST, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Eurasisches Patentamt (EAPO) (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
Europäisches Patentamt (EPA) (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
Afrikanische Organisation für geistiges Eigentum (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, KM, ML, MR, NE, SN, TD, TG)
Veröffentlichungssprache: Deutsch (DE)
Anmeldesprache: Deutsch (DE)