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1. (WO2020002514) HALBLEITERBAUELEMENT MIT DRUCKVERSPANNTER SCHICHT UND VERFAHREN ZUR HERSTELLUNG DES HALBLEITERBAUELEMENTS MIT DRUCKVERSPANNTER SCHICHT
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Veröff.-Nr.: WO/2020/002514 Internationale Veröffentlichungsnummer: PCT/EP2019/067183
Veröffentlichungsdatum: 02.01.2020 Internationales Anmeldedatum: 27.06.2019
IPC:
H01L 33/00 (2010.01) ,H01L 21/02 (2006.01) ,H01L 33/38 (2010.01) ,H01L 21/78 (2006.01)
H Elektrotechnik
01
Grundlegende elektrische Bauteile
L
Halbleiterbauelemente; elektrische Festkörperbauelemente, soweit nicht anderweitig vorgesehen
33
Halbleiterbauelemente mit wenigstens einer Potenzialsprung-Sperrschicht oder Oberflächensperrschicht, besonders ausgebildet zur Lichtemission; Verfahren oder Vorrichtungen, besonders ausgebildet für die Herstellung oder Behandlung dieser Bauelemente oder Teilen davon; Einzelheiten dieser Bauelemente
H Elektrotechnik
01
Grundlegende elektrische Bauteile
L
Halbleiterbauelemente; elektrische Festkörperbauelemente, soweit nicht anderweitig vorgesehen
21
Verfahren oder Geräte, besonders ausgebildet für die Herstellung oder Behandlung von Halbleiter- oder Festkörperbauelementen oder Teilen davon
02
Herstellung oder Behandlung von Halbleiterbauelementen oder Teilen davon
H Elektrotechnik
01
Grundlegende elektrische Bauteile
L
Halbleiterbauelemente; elektrische Festkörperbauelemente, soweit nicht anderweitig vorgesehen
33
Halbleiterbauelemente mit wenigstens einer Potenzialsprung-Sperrschicht oder Oberflächensperrschicht, besonders ausgebildet zur Lichtemission; Verfahren oder Vorrichtungen, besonders ausgebildet für die Herstellung oder Behandlung dieser Bauelemente oder Teilen davon; Einzelheiten dieser Bauelemente
36
charakterisiert durch die Elektroden
38
mit besonderer Form
H Elektrotechnik
01
Grundlegende elektrische Bauteile
L
Halbleiterbauelemente; elektrische Festkörperbauelemente, soweit nicht anderweitig vorgesehen
21
Verfahren oder Geräte, besonders ausgebildet für die Herstellung oder Behandlung von Halbleiter- oder Festkörperbauelementen oder Teilen davon
70
Herstellung oder Behandlung von Bauelementanordnungen bestehend aus einer Vielzahl von einzelnen Schaltungselementen oder integrierten Schaltungen, die in oder auf einem gemeinsamen Substrat ausgebildet sind, oder von bestimmten Teilen hiervon; Herstellung von integrierten Schaltungsanordnungen oder von bestimmten Teilen hiervon
77
Herstellung oder Behandlung von Bauelementanordnungen bestehend aus einer Vielzahl von einzelnen Schaltungselementen oder integrierten Schaltungen, die in oder auf einem gemeinsamen Substrat ausgebildet sind
78
mit nachfolgender Unterteilung des Substrats in eine Vielzahl einzelner Bauelemente
Anmelder:
OSRAM OLED GMBH [DE/DE]; Wernerwerkstraße 2 93049 Regensburg, DE
Erfinder:
MICHAELIS, Benjamin; DE
BRÖLL, Markus; DE
WALTER, Robert; DE
EBERHARD, Franz; DE
HUBER, Michael; DE
SCHMID, Wolfgang; DE
Vertreter:
MÜLLER HOFFMANN & PARTNER PATENTANWÄLTE MBB; St.-Martin-Strasse 58 81541 München, DE
Prioritätsdaten:
10 2018 115 594.828.06.2018DE
Titel (DE) HALBLEITERBAUELEMENT MIT DRUCKVERSPANNTER SCHICHT UND VERFAHREN ZUR HERSTELLUNG DES HALBLEITERBAUELEMENTS MIT DRUCKVERSPANNTER SCHICHT
(EN) SEMICONDUCTOR COMPONENT HAVING A COMPRESSIVE STRAIN LAYER AND METHOD FOR PRODUCING THE SEMICONDUCTOR COMPONENT HAVING A COMPRESSIVE STRAIN LAYER
(FR) COMPOSANT À SEMI-CONDUCTEUR AYANT UNE COUCHE CONTRAINTE PAR PRESSION ET PROCÉDÉ DE FABRICATION DE COMPOSANTS À SEMI-CONDUCTEUR AYANT UNE COUCHE CONTRAINTE PAR PRESSION
Zusammenfassung:
(DE) Ein Halbleiterbauelement (10, 15) umfasst eine erste druckverspannte Schicht (130) über einem Halbleiterkörper (120). Ein Material der ersten druckverspannten Schicht (130) ist ausgewählt aus Ta, Mo, Nb oder Verbindungen aus Ta, Mo oder Nb.
(EN) The invention relates to a semiconductor component (10, 15) comprising a first compressive strain layer (130) on top of a semiconductor body (120). A material for the first compressive strain layer (130) is selected from Ta, Mo, Nb or compounds of Ta, Mo or Nb.
(FR) Un dispositif à semi-conducteur (10, 15) comprend une première couche (130) contrainte par pression placée sur un corps à semi-conducteur (120). Un matériau de la première couche (130) contrainte par pression est choisi parmi Ta, Mo, Nb ou des composés à partir de Ta, Mo ou Nb.
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Designierte Staaten: AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DJ, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IR, IS, JO, JP, KE, KG, KH, KN, KP, KR, KW, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SA, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW
Afrikanische Organisation für geistiges Eigentum (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, ST, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Eurasisches Patentamt (EAPO) (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
Europäisches Patentamt (EPA) (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
Afrikanische Organisation für geistiges Eigentum (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, KM, ML, MR, NE, SN, TD, TG)
Veröffentlichungssprache: Deutsch (DE)
Anmeldesprache: Deutsch (DE)