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1. (WO2020001694) HALBLEITERSCHICHTSTAPEL UND VERFAHREN ZU DESSEN HERSTELLUNG
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Veröff.-Nr.: WO/2020/001694 Internationale Veröffentlichungsnummer: PCT/DE2019/100572
Veröffentlichungsdatum: 02.01.2020 Internationales Anmeldedatum: 20.06.2019
IPC:
H01L 29/15 (2006.01) ,H01L 29/20 (2006.01) ,H01L 29/207 (2006.01)
H Elektrotechnik
01
Grundlegende elektrische Bauteile
L
Halbleiterbauelemente; elektrische Festkörperbauelemente, soweit nicht anderweitig vorgesehen
29
Halbleiterbauelemente, besonders ausgebildet zum Gleichrichten, Verstärken, Schalten oder zur Schwingungserzeugung mit wenigstens einer Potenzialsprung-Sperrschicht oder Oberflächensperrschicht; Kondensatoren oder Widerstände mit wenigstens einer Potenzialsprung-Sperrschicht oder Oberflächensperrschicht, z.B. PN-Übergang mit Verarmungs- oder Anreicherungsschicht; Einzelheiten von Halbleiterkörpern oder von Elektroden auf diesen Halbleiterkörpern
02
Halbleiterkörper
12
gekennzeichnet durch die Materialien, aus denen sie bestehen
15
Strukturen mit periodischer oder quasi-periodischer Potenzial-Änderung, z.B. mehrfache Quantum-Well-Strukturen, Übergitterstrukturen
H Elektrotechnik
01
Grundlegende elektrische Bauteile
L
Halbleiterbauelemente; elektrische Festkörperbauelemente, soweit nicht anderweitig vorgesehen
29
Halbleiterbauelemente, besonders ausgebildet zum Gleichrichten, Verstärken, Schalten oder zur Schwingungserzeugung mit wenigstens einer Potenzialsprung-Sperrschicht oder Oberflächensperrschicht; Kondensatoren oder Widerstände mit wenigstens einer Potenzialsprung-Sperrschicht oder Oberflächensperrschicht, z.B. PN-Übergang mit Verarmungs- oder Anreicherungsschicht; Einzelheiten von Halbleiterkörpern oder von Elektroden auf diesen Halbleiterkörpern
02
Halbleiterkörper
12
gekennzeichnet durch die Materialien, aus denen sie bestehen
20
nur mit AIIIBV-Verbindungen, abgesehen von Dotierungsmaterialien oder anderen Fremdstoffen
H Elektrotechnik
01
Grundlegende elektrische Bauteile
L
Halbleiterbauelemente; elektrische Festkörperbauelemente, soweit nicht anderweitig vorgesehen
29
Halbleiterbauelemente, besonders ausgebildet zum Gleichrichten, Verstärken, Schalten oder zur Schwingungserzeugung mit wenigstens einer Potenzialsprung-Sperrschicht oder Oberflächensperrschicht; Kondensatoren oder Widerstände mit wenigstens einer Potenzialsprung-Sperrschicht oder Oberflächensperrschicht, z.B. PN-Übergang mit Verarmungs- oder Anreicherungsschicht; Einzelheiten von Halbleiterkörpern oder von Elektroden auf diesen Halbleiterkörpern
02
Halbleiterkörper
12
gekennzeichnet durch die Materialien, aus denen sie bestehen
20
nur mit AIIIBV-Verbindungen, abgesehen von Dotierungsmaterialien oder anderen Fremdstoffen
207
ferner gekennzeichnet durch das Dotierungsmaterial
Anmelder:
OTTO-VON-GUERICKE-UNIVERSITÄT MAGDEBURG [DE/DE]; Universitätsplatz 2 39106 Magdeburg, DE
Erfinder:
STRITTMATTER, André; DE
DADGAR, Armin; DE
Prioritätsdaten:
10 2018 115 222.125.06.2018DE
Titel (DE) HALBLEITERSCHICHTSTAPEL UND VERFAHREN ZU DESSEN HERSTELLUNG
(EN) SEMICONDUCTOR LAYER STACK AND METHOD FOR PRODUCING SAME
(FR) EMPILEMENT DE COUCHES SEMI-CONDUCTRICES ET PROCÉDÉ POUR SA FABRICATION
Zusammenfassung:
(DE) Die Erfindung betrifft einen Halbleiterschichtstapel, ein Bauelement hieraus und ein Bauelementemodul, sowie ein Herstellungsverfahren, wobei der Halbleiterschichtstapel, gekennzeichnet ist durch mindestens zwei Schichten (A, B), die als Einzelschichten jeweils eine energetische Lage des Ferminiveaus (103) in der Halbleiterbandlücke (104, 105) aufweisen, für die Schicht (A) Formula (I) gilt und für die Schicht (B) Formula (II) gilt, mit EF der energetischen Lage des Ferminiveaus (103), Ev der energetischen Lage eines Valenzbands (102), EL der energetischen Lage eines Leitungsbands (101) und EL - Ev der Energiedifferenz der Halbleiterbandlücke EG (104,105), wobei die Dicke (106, 107) der Schichten (A, B) so gewählt ist, dass sich ein zusammenhängender Raumladungszonenbereich (110) über die Schichten (A, B) ergibt.
(EN) The invention relates to a semiconductor layer stack, to a component made therefrom and to a component module, and to a production method, the semiconductor layer stack being characterized by at least two layers (A, B), which, as individual layers, each have an energetic position of the Fermi level (103) in the semiconductor band gap (104, 105), formula (I) applying to the layer (A) and formula (II) applying to the layer B, with E F the energetic position of the Fermi level (103), E V the energetic position of a valence band (102), E L the energetic position of a conduction band (101) and E L - E V the energy difference of the semiconductor band gap E G (104, 105), the thickness (106, 107) of the layers (A, B) being selected in such a way that a continuous space charge region (110) over the layers (A, B) results.
(FR) La présente invention concerne un empilement de couches semi-conductrices, un élément de celui-ci et un module d'éléments, ainsi qu'un procédé de fabrication, l'empilement de couches semi-conductrices étant caractérisé par au moins deux couches (A, B) qui présentent, en tant que couches individuelles, respectivement un niveau d'énergie du niveau de Fermi (103) dans la bande interdite (104, 105) de semi-conducteur, la formule (I) valant pour la couche (A) et la formule (II) valant pour la couche (B), avec E F du niveau d'énergie du niveau de Fermi (103), E v du niveau d'énergie d'une bande de valence (102), E L du niveau d'énergie d'une bande de conduction (101) et E L - E v de la différence d'énergie de la bande interdite du semi-conducteur E G (104, 105), l'épaisseur (106, 107) des couches (A, B) étant choisie de telle sorte qu'une zone de déplétion (110) connexe se crée sur les couches (A, B).
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Designierte Staaten: AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DJ, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IR, IS, JO, JP, KE, KG, KH, KN, KP, KR, KW, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SA, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW
Afrikanische Organisation für geistiges Eigentum (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, ST, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Eurasisches Patentamt (EAPO) (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
Europäisches Patentamt (EPA) (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
Afrikanische Organisation für geistiges Eigentum (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, KM, ML, MR, NE, SN, TD, TG)
Veröffentlichungssprache: Deutsch (DE)
Anmeldesprache: Deutsch (DE)