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1. WO2019215110 - OPTICAL SYSTEM FOR TRANSFERRING ORIGINAL STRUCTURE PORTIONS OF A LITHOGRAPHY MASK, PROJECTION OPTICAL UNIT FOR IMAGING AN OBJECT FIELD IN WHICH AT LEAST ONE ORIGINAL STRUCTURE PORTION OF THE LITHOGRAPHY MASK IS ARRANGEABLE, AND LITHOGRAPHY MASK

Veröffentlichungsnummer WO/2019/215110
Veröffentlichungsdatum 14.11.2019
Internationales Aktenzeichen PCT/EP2019/061603
Internationales Anmeldedatum 07.05.2019
IPC
G03F 7/20 2006.1
GSektion G Physik
03Fotografie; Kinematografie; vergleichbare Techniken unter Verwendung von nicht optischen Wellen; Elektrografie; Holografie
FFotomechanische Herstellung strukturierter oder gemusterter Oberflächen, z.B. zum Drucken, zum Herstellen von Halbleiterbauelementen; Materialien dafür; Kopiervorlagen dafür; Vorrichtungen besonders ausgebildet dafür
7Fotomechanische, z.B. fotolithografische Herstellung von strukturierten oder gemusterten Oberflächen, z.B. Druckflächen; Materialien dafür, z.B. mit Fotolacken ; Vorrichtungen besonders ausgebildet dafür
20Belichten; Vorrichtungen dafür
G02B 13/08 2006.1
GSektion G Physik
02Optik
BOptische Elemente, Systeme oder Geräte
13Objektive, besonders für die nachstehend angegebenen Zwecke ausgebildet
08Anamorphotische Objektive
G03F 1/24 2012.1
GSektion G Physik
03Fotografie; Kinematografie; vergleichbare Techniken unter Verwendung von nicht optischen Wellen; Elektrografie; Holografie
FFotomechanische Herstellung strukturierter oder gemusterter Oberflächen, z.B. zum Drucken, zum Herstellen von Halbleiterbauelementen; Materialien dafür; Kopiervorlagen dafür; Vorrichtungen besonders ausgebildet dafür
1Kopiervorlagen für die fotomechanische Herstellung von strukturierten oder gemusterten Oberflächen, z.B. Masken, Fotomasken oder Zielmarken; zugehörige Maskenrohlinge oder Pellicles; besonders hierfür ausgebildete Behälter; Herstellung derselben
22Masken oder Maskenrohlinge zur Abbildung mittels Strahlung von 100 nm oder kürzerer Wellenlänge, z.B. Röntgen-Masken, EUV-Masken; Herstellung derselben
24Reflexionsmasken; Herstellung derselben
G03F 1/22 2012.1
GSektion G Physik
03Fotografie; Kinematografie; vergleichbare Techniken unter Verwendung von nicht optischen Wellen; Elektrografie; Holografie
FFotomechanische Herstellung strukturierter oder gemusterter Oberflächen, z.B. zum Drucken, zum Herstellen von Halbleiterbauelementen; Materialien dafür; Kopiervorlagen dafür; Vorrichtungen besonders ausgebildet dafür
1Kopiervorlagen für die fotomechanische Herstellung von strukturierten oder gemusterten Oberflächen, z.B. Masken, Fotomasken oder Zielmarken; zugehörige Maskenrohlinge oder Pellicles; besonders hierfür ausgebildete Behälter; Herstellung derselben
22Masken oder Maskenrohlinge zur Abbildung mittels Strahlung von 100 nm oder kürzerer Wellenlänge, z.B. Röntgen-Masken, EUV-Masken; Herstellung derselben
CPC
G02B 13/08
GPHYSICS
02OPTICS
BOPTICAL ELEMENTS, SYSTEMS, OR APPARATUS
13Optical objectives specially designed for the purposes specified below
08Anamorphotic objectives
G03F 1/22
GPHYSICS
03PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
FPHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR;
1Originals for photomechanical production of textured or patterned surfaces, e.g., masks, photo-masks, reticles; Mask blanks or pellicles therefor; Containers specially adapted therefor; Preparation thereof
22Masks or mask blanks for imaging by radiation of 100nm or shorter wavelength, e.g. X-ray masks, extreme ultra-violet [EUV] masks; Preparation thereof
G03F 1/24
GPHYSICS
03PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
FPHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR;
1Originals for photomechanical production of textured or patterned surfaces, e.g., masks, photo-masks, reticles; Mask blanks or pellicles therefor; Containers specially adapted therefor; Preparation thereof
22Masks or mask blanks for imaging by radiation of 100nm or shorter wavelength, e.g. X-ray masks, extreme ultra-violet [EUV] masks; Preparation thereof
24Reflection masks; Preparation thereof
G03F 7/70033
GPHYSICS
03PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
FPHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR;
7Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
70Exposure apparatus for microlithography
70008Production of exposure light, i.e. light sources
70033by plasma EUV sources
G03F 7/701
GPHYSICS
03PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
FPHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR;
7Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
70Exposure apparatus for microlithography
70058Mask illumination systems
70091Illumination settings, i.e. intensity distribution in the pupil plane, angular distribution in the field plane; On-axis or off-axis settings, e.g. annular, dipole, quadrupole; Partial coherence control, i.e. sigma or numerical aperture [NA]
701Off-axis setting using an aperture
G03F 7/702
GPHYSICS
03PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
FPHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR;
7Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
70Exposure apparatus for microlithography
70058Mask illumination systems
702Reflective illumination, i.e. reflective optical elements other than folding mirrors
Anmelder
  • CARL ZEISS SMT GMBH [DE]/[DE]
Erfinder
  • PATRA, Michael
  • RUOFF, Johannes
Vertreter
  • RAU, SCHNECK & HÜBNER PATENTANWÄLTE RECHTSANWÄLTE PARTGMBB
Prioritätsdaten
10 2018 207 277.909.05.2018DE
Veröffentlichungssprache Englisch (en)
Anmeldesprache Englisch (EN)
Designierte Staaten
Titel
(EN) OPTICAL SYSTEM FOR TRANSFERRING ORIGINAL STRUCTURE PORTIONS OF A LITHOGRAPHY MASK, PROJECTION OPTICAL UNIT FOR IMAGING AN OBJECT FIELD IN WHICH AT LEAST ONE ORIGINAL STRUCTURE PORTION OF THE LITHOGRAPHY MASK IS ARRANGEABLE, AND LITHOGRAPHY MASK
(FR) SYSTÈME OPTIQUE SERVANT À TRANSFÉRER DES PARTIES DE STRUCTURE D'ORIGINE D'UN MASQUE DE LITHOGRAPHIE, UNITÉ OPTIQUE DE PROJECTION SERVANT À IMAGER UN CHAMP D'OBJET ET DANS LEQUEL AU MOINS UNE PARTIE DE STRUCTURE D'ORIGINE DU MASQUE DE LITHOGRAPHIE PEUT ÊTRE DISPOSÉE, ET MASQUE DE LITHOGRAPHIE
Zusammenfassung
(EN) An optical system serves to transfer the original structure portions (13) of a lithography mask (10). The original structure portions (13), which have an x/y-aspect ratio of greater than 4:1, are arranged in a line next to one another on the lithography mask (10) and separated from one another by separating portions (14) that do not carry any structures to be imaged. The optical system transfers the original structure portions (13) onto image portions (31) of a substrate (26) with the aid of imaging an object field, in which at least one of the original structure portions (13) of the lithography mask (10) is arrangeable, into an image field, in which at least one of the image portions (31) of the substrate (26) is arrangeable. Each of the original structure portions (13) is transferred to a separate image portion (31). The image portions (31) onto which the original structure portions (13) are transferred are arranged in a line next to one another. A projection optical unit that is employable in such an optical system may have such an anamorphic embodiment with different imaging scales for two mutually perpendicular field coordinates that one of the imaging scales is reducing for one of the field coordinates and the other one of the imaging scales is magnifying for the other field coordinates. This results in an optical system in which there is an increase in a throughput of a projection exposure apparatus in which such an optical system is used.
(FR) La présente invention concerne un système optique qui sert à transférer les parties de structure d'origine (13) d'un masque de lithographie (10). Les parties de structure d'origine (13), qui ont un rapport de forme x/y supérieur à 4 : 1, sont disposées en ligne les unes à côté des autres sur le masque de lithographie (10) et séparées l'une de l'autre par des parties de séparation (14) qui ne portent pas de structures à imager. Le système optique transfère les parties de structure d'origine (13) sur des parties d'image (31) d'un substrat (26) grâce à l'imagerie d'un champ d'objet, champ d'objet dans lequel au moins l'une des parties de structure d'origine (13) du masque de lithographie (10) peut être disposée, dans un champ d'image dans lequel au moins l'une des parties d'image (31) du substrat (26) peut être disposée. Chacune des parties de structure d'origine (13) est transférée à une partie d'image distincte (31). Les parties d'image (31) sur lesquelles les parties de structure d'origine (13) sont transférées sont disposées en ligne les unes à côté des autres. Une unité optique de projection qui peut être utilisée dans un tel système optique peut avoir un tel mode de réalisation anamorphique doté de différentes échelles d'imagerie pour deux coordonnées de champ mutuellement perpendiculaires que l'une des échelles d'imagerie réduit pour l'une des coordonnées de champ et que l'autre échelle d'imagerie grossie pour les autres coordonnées de champ. Il en résulte un système optique dans lequel il existe une augmentation du débit d'un appareil d'exposition par projection dans lequel un tel système optique est utilisé.
Aktuellste beim Internationalen Büro vorliegende bibliographische Daten