(EN) An optical system serves to transfer the original structure portions (13) of a lithography mask (10). The original structure portions (13), which have an x/y-aspect ratio of greater than 4:1, are arranged in a line next to one another on the lithography mask (10) and separated from one another by separating portions (14) that do not carry any structures to be imaged. The optical system transfers the original structure portions (13) onto image portions (31) of a substrate (26) with the aid of imaging an object field, in which at least one of the original structure portions (13) of the lithography mask (10) is arrangeable, into an image field, in which at least one of the image portions (31) of the substrate (26) is arrangeable. Each of the original structure portions (13) is transferred to a separate image portion (31). The image portions (31) onto which the original structure portions (13) are transferred are arranged in a line next to one another. A projection optical unit that is employable in such an optical system may have such an anamorphic embodiment with different imaging scales for two mutually perpendicular field coordinates that one of the imaging scales is reducing for one of the field coordinates and the other one of the imaging scales is magnifying for the other field coordinates. This results in an optical system in which there is an increase in a throughput of a projection exposure apparatus in which such an optical system is used.
(FR) La présente invention concerne un système optique qui sert à transférer les parties de structure d'origine (13) d'un masque de lithographie (10). Les parties de structure d'origine (13), qui ont un rapport de forme x/y supérieur à 4 : 1, sont disposées en ligne les unes à côté des autres sur le masque de lithographie (10) et séparées l'une de l'autre par des parties de séparation (14) qui ne portent pas de structures à imager. Le système optique transfère les parties de structure d'origine (13) sur des parties d'image (31) d'un substrat (26) grâce à l'imagerie d'un champ d'objet, champ d'objet dans lequel au moins l'une des parties de structure d'origine (13) du masque de lithographie (10) peut être disposée, dans un champ d'image dans lequel au moins l'une des parties d'image (31) du substrat (26) peut être disposée. Chacune des parties de structure d'origine (13) est transférée à une partie d'image distincte (31). Les parties d'image (31) sur lesquelles les parties de structure d'origine (13) sont transférées sont disposées en ligne les unes à côté des autres. Une unité optique de projection qui peut être utilisée dans un tel système optique peut avoir un tel mode de réalisation anamorphique doté de différentes échelles d'imagerie pour deux coordonnées de champ mutuellement perpendiculaires que l'une des échelles d'imagerie réduit pour l'une des coordonnées de champ et que l'autre échelle d'imagerie grossie pour les autres coordonnées de champ. Il en résulte un système optique dans lequel il existe une augmentation du débit d'un appareil d'exposition par projection dans lequel un tel système optique est utilisé.
