(DE) In einer Ausführungsform umfasst der optoelektronische Halbleiterchip (1) eine Halbleiterschichtenfolge (2), in der sich eine aktive Zone (23) zur Strahlungserzeugung zwischen einem ersten Halbleiterbereich (21) und einem zweiten Halbleiterbereich (22) befindet. Eine erste elektrische Kontaktierung (31) der Halbleiterschichtenfolge (2) liegt an dem ersten Halbleiterbereich (21). Eine zweite elektrische Kontaktierung (32) ist an dem zweiten Halbleiterbereich (22) angebracht. Die zweite elektrische Kontaktierung (32) befindet sich in einem Graben (4) des zweiten Halbleiterbereichs (22). Der Graben (4) ist auf den zweiten Halbleiterbereich (22) beschränkt und endet beabstandet zur aktiven Zone (23). Ein Abstand (D) zwischen einem Boden (40) des Grabens (4) und der aktiven Zone (23) beträgt höchstens 3 µm.
(EN) In one embodiment the optoelectronic semiconductor chip (1) comprises a semiconductor layer sequence (2), in which an active zone (23) for radiation generation is situated between a first semiconductor region (21) and a second semiconductor region (22). A first electrical contact structure (31) of the semiconductor layer sequence (2) lies on the first semiconductor region (21). A second electrical contact structure (32) is mounted on the second semiconductor region (22). The second electrical contact structure (32) is disposed in a trench (4) of the second semiconductor region (22). The trench (4) is limited to the second semiconductor region (22) and ends at a distance from the active zone (23). The distance (D) between the bottom (40) of the trench (4) and the active zone (23) is at most 3 µm.
(FR) Dans un mode de réalisation, la puce semi-conductrice optoélectronique (1) comporte une série de couches semi-conductrices (2) dans lesquelles se trouve une zone active (23) servant à générer un rayonnement entre un premier secteur semi-conducteur (21) et un second secteur semi-conducteur (22). Un premier contact électrique (31) de la série de couches semi-conductrices (2) repose au niveau du premier secteur semi-conducteur (21). Un second contact électrique (32) est installé au niveau du second secteur semi-conducteur (22). Le second contact électrique (32) se trouve dans un fossé (4) du second secteur semi-conducteur (22). Le fossé (4) est limité au second secteur semi-conducteur (22) et se termine à une certaine distance de la zone active (23). Une distance (D) entre un fond (40) du fossé (4) et la zone active (23) est au plus de 3 µm.
