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1. WO2019215049 - OPTOELEKTRONISCHER HALBLEITERCHIP

Veröffentlichungsnummer WO/2019/215049
Veröffentlichungsdatum 14.11.2019
Internationales Aktenzeichen PCT/EP2019/061433
Internationales Anmeldedatum 03.05.2019
IPC
H01L 33/38 2010.1
HSektion H Elektrotechnik
01Grundlegende elektrische Bauteile
LHalbleiterbauelemente; elektrische Festkörperbauelemente, soweit nicht anderweitig vorgesehen
33Halbleiterbauelemente mit wenigstens einer Potenzialsprung-Sperrschicht oder Oberflächensperrschicht, besonders ausgebildet zur Lichtemission; Verfahren oder Vorrichtungen, besonders ausgebildet für die Herstellung oder Behandlung dieser Bauelemente oder Teilen davon; Einzelheiten dieser Bauelemente
36charakterisiert durch die Elektroden
38mit besonderer Form
H01L 33/20 2010.1
HSektion H Elektrotechnik
01Grundlegende elektrische Bauteile
LHalbleiterbauelemente; elektrische Festkörperbauelemente, soweit nicht anderweitig vorgesehen
33Halbleiterbauelemente mit wenigstens einer Potenzialsprung-Sperrschicht oder Oberflächensperrschicht, besonders ausgebildet zur Lichtemission; Verfahren oder Vorrichtungen, besonders ausgebildet für die Herstellung oder Behandlung dieser Bauelemente oder Teilen davon; Einzelheiten dieser Bauelemente
02charakterisiert durch den Halbleiterkörper
20mit besonderer Form, z.B. gewölbte oder angeschrägte Substrate
H01L 33/14 2010.1
HSektion H Elektrotechnik
01Grundlegende elektrische Bauteile
LHalbleiterbauelemente; elektrische Festkörperbauelemente, soweit nicht anderweitig vorgesehen
33Halbleiterbauelemente mit wenigstens einer Potenzialsprung-Sperrschicht oder Oberflächensperrschicht, besonders ausgebildet zur Lichtemission; Verfahren oder Vorrichtungen, besonders ausgebildet für die Herstellung oder Behandlung dieser Bauelemente oder Teilen davon; Einzelheiten dieser Bauelemente
02charakterisiert durch den Halbleiterkörper
14mit Struktur zur Kontrolle des Ladungsträgertransports, z.B. einer hoch dotierten Halbleiterschicht oder einer stromsperrenden Struktur
CPC
H01L 33/14
HELECTRICITY
01BASIC ELECTRIC ELEMENTS
LSEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
33Semiconductor devices with at least one potential-jump barrier or surface barrier specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
02characterised by the semiconductor bodies
14with a carrier transport control structure, e.g. highly-doped semiconductor layer or current-blocking structure
H01L 33/20
HELECTRICITY
01BASIC ELECTRIC ELEMENTS
LSEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
33Semiconductor devices with at least one potential-jump barrier or surface barrier specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
02characterised by the semiconductor bodies
20with a particular shape, e.g. curved or truncated substrate
H01L 33/22
HELECTRICITY
01BASIC ELECTRIC ELEMENTS
LSEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
33Semiconductor devices with at least one potential-jump barrier or surface barrier specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
02characterised by the semiconductor bodies
20with a particular shape, e.g. curved or truncated substrate
22Roughened surfaces, e.g. at the interface between epitaxial layers
H01L 33/30
HELECTRICITY
01BASIC ELECTRIC ELEMENTS
LSEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
33Semiconductor devices with at least one potential-jump barrier or surface barrier specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
02characterised by the semiconductor bodies
26Materials of the light emitting region
30containing only elements of group III and group V of the periodic system
H01L 33/38
HELECTRICITY
01BASIC ELECTRIC ELEMENTS
LSEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
33Semiconductor devices with at least one potential-jump barrier or surface barrier specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
36characterised by the electrodes
38with a particular shape
H01L 33/382
HELECTRICITY
01BASIC ELECTRIC ELEMENTS
LSEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
33Semiconductor devices with at least one potential-jump barrier or surface barrier specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
36characterised by the electrodes
38with a particular shape
382the electrode extending partially in or entirely through the semiconductor body
Anmelder
  • OSRAM OLED GMBH [DE]/[DE]
Erfinder
  • HECKELMANN, Stefan
  • RUDOLPH, Andreas
  • TONKIKH, Alexander
Vertreter
  • EPPING HERMANN FISCHER PATENTANWALTSGESELLSCHAFT MBH
Prioritätsdaten
10 2018 111 324.211.05.2018DE
Veröffentlichungssprache Deutsch (de)
Anmeldesprache Deutsch (DE)
Designierte Staaten
Titel
(DE) OPTOELEKTRONISCHER HALBLEITERCHIP
(EN) OPTOELECTRONIC SEMICONDUCTOR CHIP
(FR) PUCE SEMI-CONDUCTRICE OPTOÉLECTRONIQUE
Zusammenfassung
(DE) In einer Ausführungsform umfasst der optoelektronische Halbleiterchip (1) eine Halbleiterschichtenfolge (2), in der sich eine aktive Zone (23) zur Strahlungserzeugung zwischen einem ersten Halbleiterbereich (21) und einem zweiten Halbleiterbereich (22) befindet. Eine erste elektrische Kontaktierung (31) der Halbleiterschichtenfolge (2) liegt an dem ersten Halbleiterbereich (21). Eine zweite elektrische Kontaktierung (32) ist an dem zweiten Halbleiterbereich (22) angebracht. Die zweite elektrische Kontaktierung (32) befindet sich in einem Graben (4) des zweiten Halbleiterbereichs (22). Der Graben (4) ist auf den zweiten Halbleiterbereich (22) beschränkt und endet beabstandet zur aktiven Zone (23). Ein Abstand (D) zwischen einem Boden (40) des Grabens (4) und der aktiven Zone (23) beträgt höchstens 3 µm.
(EN) In one embodiment the optoelectronic semiconductor chip (1) comprises a semiconductor layer sequence (2), in which an active zone (23) for radiation generation is situated between a first semiconductor region (21) and a second semiconductor region (22). A first electrical contact structure (31) of the semiconductor layer sequence (2) lies on the first semiconductor region (21). A second electrical contact structure (32) is mounted on the second semiconductor region (22). The second electrical contact structure (32) is disposed in a trench (4) of the second semiconductor region (22). The trench (4) is limited to the second semiconductor region (22) and ends at a distance from the active zone (23). The distance (D) between the bottom (40) of the trench (4) and the active zone (23) is at most 3 µm.
(FR) Dans un mode de réalisation, la puce semi-conductrice optoélectronique (1) comporte une série de couches semi-conductrices (2) dans lesquelles se trouve une zone active (23) servant à générer un rayonnement entre un premier secteur semi-conducteur (21) et un second secteur semi-conducteur (22). Un premier contact électrique (31) de la série de couches semi-conductrices (2) repose au niveau du premier secteur semi-conducteur (21). Un second contact électrique (32) est installé au niveau du second secteur semi-conducteur (22). Le second contact électrique (32) se trouve dans un fossé (4) du second secteur semi-conducteur (22). Le fossé (4) est limité au second secteur semi-conducteur (22) et se termine à une certaine distance de la zone active (23). Une distance (D) entre un fond (40) du fossé (4) et la zone active (23) est au plus de 3 µm.
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