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1. WO2019068012 - METHOD AND APPARATUS FOR SPECIFYING READ VOLTAGE OFFSETS FOR A READ COMMAND

Veröffentlichungsnummer WO/2019/068012
Veröffentlichungsdatum 04.04.2019
Internationale Veröffentlichungsnummer PCT/US2018/053590
Internationales Anmeldedatum 28.09.2018
IPC
G Physik
11
Informationsspeicherung
C
Statische Speicher
16
Löschbare, programmierbare Festwertspeicher
02
elektrisch programmierbar
06
Hilfsschaltungen, z.B. für Schreiben in den Speicher
26
Abtast- oder Leseschaltungen; Datenausgabeschaltungen
G Physik
11
Informationsspeicherung
C
Statische Speicher
16
Löschbare, programmierbare Festwertspeicher
02
elektrisch programmierbar
06
Hilfsschaltungen, z.B. für Schreiben in den Speicher
30
Spannungsversorgungsschaltungen
G Physik
11
Informationsspeicherung
C
Statische Speicher
16
Löschbare, programmierbare Festwertspeicher
02
elektrisch programmierbar
04
unter Verwendung von Transistoren mit variablem Schwellenwert, z.B. FAMOS
G11C 16/26 (2006.01)
G11C 16/30 (2006.01)
G11C 16/04 (2006.01)
CPC
G06F 3/0604
G06F 3/0629
G06F 3/0679
G11C 11/5642
G11C 16/0483
G11C 16/26
Anmelder
  • INTEL CORPORATION [US/US]; 2200 Mission College Boulevard Santa Clara, California 95054-1549, US
Erfinder
  • MADRASWALA, Aliasgar S.; US
  • GUO, Xin; US
  • PRABHU, Naveen Vittal; US
  • DU, Yu; US
  • SULE, Purval Shyam; US
Vertreter
  • CASPER, Derek; US
Prioritätsdaten
15/721,35129.09.2017US
Veröffentlichungssprache Englisch (EN)
Anmeldesprache Englisch (EN)
Designierte Staaten
Titel
(EN) METHOD AND APPARATUS FOR SPECIFYING READ VOLTAGE OFFSETS FOR A READ COMMAND
(FR) PROCÉDÉ ET APPAREIL POUR SPÉCIFIER DES DÉCALAGES DE TENSION DE LECTURE POUR UNE COMMANDE DE LECTURE
Zusammenfassung
(EN)
In one embodiment, an apparatus comprises a memory array and a controller. The controller is to receive a first read command specifying a read voltage offset profile identifier; identify a read voltage offset profile associated with the read voltage offset profile identifier, the read voltage offset profile comprising at least one read voltage offset; and perform a first read operation specified by the first read command using at least one read voltage adjusted according to the at least one read voltage offset of the read voltage offset profile.
(FR)
Selon un mode de réalisation, l'invention concerne une matrice mémoire et un contrôleur. Le contrôleur est destiné à recevoir une première commande de lecture spécifiant un identifiant de profil de décalage de tension de lecture ; à identifier un profil de décalage de tension de lecture associé à l'identifiant de profil de décalage de tension de lecture, le profil de décalage de tension de lecture comprenant au moins un décalage de tension de lecture ; et à effectuer une première opération de lecture spécifiée par la première commande de lecture à l'aide d'au moins une tension de lecture ajustée selon le ou les décalages de tension de lecture du profil de décalage de tension de lecture.
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