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1. (WO2019066935) GROUP III-NITRIDE (III-N) DEVICES WITH REDUCED CONTACT RESISTANCE AND THEIR METHODS OF FABRICATION
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Veröff.-Nr.: WO/2019/066935 Internationale Anmeldenummer PCT/US2017/054471
Veröffentlichungsdatum: 04.04.2019 Internationales Anmeldedatum: 29.09.2017
IPC:
H01L 29/78 (2006.01) ,H01L 21/8234 (2006.01) ,H01L 29/66 (2006.01)
H Elektrotechnik
01
Grundlegende elektrische Bauteile
L
Halbleiterbauelemente; elektrische Festkörperbauelemente, soweit nicht anderweitig vorgesehen
29
Halbleiterbauelemente, besonders ausgebildet zum Gleichrichten, Verstärken, Schalten oder zur Schwingungserzeugung mit wenigstens einer Potenzialsprung-Sperrschicht oder Oberflächensperrschicht; Kondensatoren oder Widerstände mit wenigstens einer Potenzialsprung-Sperrschicht oder Oberflächensperrschicht, z.B. PN-Übergang mit Verarmungs- oder Anreicherungsschicht; Einzelheiten von Halbleiterkörpern oder von Elektroden auf diesen Halbleiterkörpern
66
Typen von Halbleiterbauelementen
68
steuerbar allein durch den einer Elektrode, die nicht den gleichzurichtenden, zu verstärkenden oder zu schaltenden Strom führt, zugeführten elektrischen Strom oder durch das an eine solche Elektrode angelegte elektrische Potenzial
76
Unipolar-Bauelemente
772
Feldeffekt-Transistoren
78
mit Feldeffekt, der durch ein isoliertes Gate hervorgerufen ist
H Elektrotechnik
01
Grundlegende elektrische Bauteile
L
Halbleiterbauelemente; elektrische Festkörperbauelemente, soweit nicht anderweitig vorgesehen
21
Verfahren oder Geräte, besonders ausgebildet für die Herstellung oder Behandlung von Halbleiter- oder Festkörperbauelementen oder Teilen davon
70
Herstellung oder Behandlung von Bauelementanordnungen bestehend aus einer Vielzahl von einzelnen Schaltungselementen oder integrierten Schaltungen, die in oder auf einem gemeinsamen Substrat ausgebildet sind, oder von bestimmten Teilen hiervon; Herstellung von integrierten Schaltungsanordnungen oder von bestimmten Teilen hiervon
77
Herstellung oder Behandlung von Bauelementanordnungen bestehend aus einer Vielzahl von einzelnen Schaltungselementen oder integrierten Schaltungen, die in oder auf einem gemeinsamen Substrat ausgebildet sind
78
mit nachfolgender Unterteilung des Substrats in eine Vielzahl einzelner Bauelemente
82
zur Herstellung von Bauelementen, die jeweils aus einer Vielzahl von Schaltungselementen bestehen, z.B. integrierte Schaltungen
822
wobei das Substrat ein Halbleiter ist und Silicium-Technologie verwendet wird
8232
Feldeffekt-Technologie
8234
MIS-Technologie
H Elektrotechnik
01
Grundlegende elektrische Bauteile
L
Halbleiterbauelemente; elektrische Festkörperbauelemente, soweit nicht anderweitig vorgesehen
29
Halbleiterbauelemente, besonders ausgebildet zum Gleichrichten, Verstärken, Schalten oder zur Schwingungserzeugung mit wenigstens einer Potenzialsprung-Sperrschicht oder Oberflächensperrschicht; Kondensatoren oder Widerstände mit wenigstens einer Potenzialsprung-Sperrschicht oder Oberflächensperrschicht, z.B. PN-Übergang mit Verarmungs- oder Anreicherungsschicht; Einzelheiten von Halbleiterkörpern oder von Elektroden auf diesen Halbleiterkörpern
66
Typen von Halbleiterbauelementen
Anmelder:
INTEL CORPORATION [US/US]; 2200 Mission College Blvd Santa Clara, California 95054, US
Erfinder:
RADOSAVLJEVIC, Marko; US
THEN, Han Wui; US
DASGUPTA, Sansaptak; US
Vertreter:
HOWARD, James; US
Prioritätsdaten:
Titel (EN) GROUP III-NITRIDE (III-N) DEVICES WITH REDUCED CONTACT RESISTANCE AND THEIR METHODS OF FABRICATION
(FR) DISPOSITIFS EN NITRURE DU GROUPE III (III-N) À RÉSISTANCE DE CONTACT RÉDUITE ET LEURS PROCÉDÉS DE FABRICATION
Zusammenfassung:
(EN) A device including a III-N material is described. In an example, the device has terminal structure having a first group III-Nitride (III-N) material. The terminal structure has a central body and a first plurality of fins, and a second plurality of fins, opposite the first plurality of fins. A polarization charge inducing layer is above a first portion of the central body. A gate electrode is above the polarization charge inducing layer. The device further includes a source structure and a drain structure, each including impurity dopants, on opposite sides of the gate electrode and on the plurality of fins, and a source contact on the source structure and a drain contact on the drain structure.
(FR) L'invention concerne un dispositif comprenant un matériau III-N. Dans un exemple, le dispositif présente une structure de borne comprenant un premier matériau de nitrure du groupe III (III-N). La structure de borne comporte un corps central ainsi qu'une première pluralité d'ailettes et une seconde pluralité d'ailettes, opposées à la première pluralité d'ailettes. Une couche induisant une charge de polarisation est située au-dessus d'une première partie du corps central. Une électrode grille est située sur la couche induisant une charge de polarisation. Le dispositif comprend en outre une structure de source et une structure de drain, comprenant chacune des dopants d'impuretés, sur des côtés opposés de l'électrode grille et sur la pluralité d'ailettes, ainsi qu'un contact de source sur la structure de source et un contact de drain sur la structure de drain.
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Veröffentlichungssprache: Englisch (EN)
Anmeldesprache: Englisch (EN)