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1. (WO2019066855) INTERCONNECTS HAVING A PORTION WITHOUT A LINER MATERIAL AND RELATED STRUCTURES, DEVICES, AND METHODS
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Veröff.-Nr.: WO/2019/066855 Internationale Anmeldenummer PCT/US2017/054018
Veröffentlichungsdatum: 04.04.2019 Internationales Anmeldedatum: 28.09.2017
IPC:
H01L 21/768 (2006.01)
H Elektrotechnik
01
Grundlegende elektrische Bauteile
L
Halbleiterbauelemente; elektrische Festkörperbauelemente, soweit nicht anderweitig vorgesehen
21
Verfahren oder Geräte, besonders ausgebildet für die Herstellung oder Behandlung von Halbleiter- oder Festkörperbauelementen oder Teilen davon
70
Herstellung oder Behandlung von Bauelementanordnungen bestehend aus einer Vielzahl von einzelnen Schaltungselementen oder integrierten Schaltungen, die in oder auf einem gemeinsamen Substrat ausgebildet sind, oder von bestimmten Teilen hiervon; Herstellung von integrierten Schaltungsanordnungen oder von bestimmten Teilen hiervon
71
Herstellung von bestimmten Teilen der in Gruppe H01L21/7075
768
Anbringen von Verbindungsleitungen, die zur Stromführung zwischen einzelnen Schaltungselementen innerhalb eines Bauelements dienen
Anmelder:
INTEL CORPORATION [US/US]; 2200 Mission College Boulevard Santa Clara, California 95054, US
Erfinder:
CHANDHOK, Manish; US
SCHENKER, Richard; US
TRONIC, Tristan; US
Vertreter:
BOOTH, Brett C.; US
Prioritätsdaten:
Titel (EN) INTERCONNECTS HAVING A PORTION WITHOUT A LINER MATERIAL AND RELATED STRUCTURES, DEVICES, AND METHODS
(FR) INTERCONNEXIONS AYANT UNE PORTION SANS MATÉRIAU DE REVÊTEMENT ET STRUCTURES, DISPOSITIFS ET PROCÉDÉS ASSOCIÉS
Zusammenfassung:
(EN) Integrated circuit (IC) structures, computing devices, and related methods are disclosed. An IC structure includes an interlayer dielectric (ILD), an interconnect, and a liner material separating the interconnect from the ILD. The interconnect includes a first end extending to or into the ILD and a second end opposite the first end. A second portion of the interconnect extending from the second end to a first portion of the interconnect proximate to the first end does not include the liner material thereon. A method of manufacturing an IC structure includes removing an ILD from between interconnects, applying a conformal hermetic liner, applying a carbon hard mask (CHM) between the interconnects, removing a portion of the CHM, removing the conformal hermetic liner to a remaining CHM, and removing the exposed portion of the liner material to the remaining CHM to expose the second portion of the interconnects.
(FR) L'invention concerne des structures de circuit intégré (CI), des dispositifs informatiques et des procédés associés. Une structure de CI comprend un diélectrique intercouche (ILD), une interconnexion et un matériau de revêtement qui sépare l'interconnexion de l'ILD. L'interconnexion comprend une première extrémité qui s'étend vers ou dans l'ILD et une deuxième extrémité opposée à la première extrémité. Le matériau de revêtement n'est pas présent sur une deuxième portion de l'interconnexion qui s'étend de la deuxième extrémité à une première portion de l'interconnexion à proximité de la première extrémité. Un procédé de fabrication d'une structure de CI comprend l'enlèvement d'un ILD d'entre des interconnexions, l'application d'un revêtement hermétique conforme, l'application d'un masque dur de carbone (CHM) entre les interconnexions, l'enlèvement d'une portion du CHM, l'enlèvement du revêtement hermétique conforme d'un CHM restant, et l'enlèvement de la portion exposée du matériau de revêtement du CHM restant pour exposer la deuxième portion des interconnexions.
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African Intellectual Property Organization (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, KM, ML, MR, NE, SN, TD, TG)
Veröffentlichungssprache: Englisch (EN)
Anmeldesprache: Englisch (EN)