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1. (WO2019065710) ELECTROSTATIC CHUCK DEVICE
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Veröff.-Nr.: WO/2019/065710 Internationale Anmeldenummer PCT/JP2018/035627
Veröffentlichungsdatum: 04.04.2019 Internationales Anmeldedatum: 26.09.2018
IPC:
H01L 21/683 (2006.01) ,H01L 21/3065 (2006.01)
H Elektrotechnik
01
Grundlegende elektrische Bauteile
L
Halbleiterbauelemente; elektrische Festkörperbauelemente, soweit nicht anderweitig vorgesehen
21
Verfahren oder Geräte, besonders ausgebildet für die Herstellung oder Behandlung von Halbleiter- oder Festkörperbauelementen oder Teilen davon
67
Vorrichtungen, besonders ausgebildet zur Handhabung von Halbleiterbauelementen oder elektrischen Festkörperbauelementen während ihrer Herstellung oder Behandlung; Vorrichtungen, besonders ausgebildet zur Handhabung von Wafern während der Herstellung oder Behandlung von Halbleiterbauelementen, elektrischen Festkörperbauelementen oder einzelnen Schaltungselementen
683
zum Aufnehmen oder Greifen
H Elektrotechnik
01
Grundlegende elektrische Bauteile
L
Halbleiterbauelemente; elektrische Festkörperbauelemente, soweit nicht anderweitig vorgesehen
21
Verfahren oder Geräte, besonders ausgebildet für die Herstellung oder Behandlung von Halbleiter- oder Festkörperbauelementen oder Teilen davon
02
Herstellung oder Behandlung von Halbleiterbauelementen oder Teilen davon
04
Bauelemente mit mindestens einer Potenzialsprung-Sperrschicht oder Oberflächensperrschicht, z.B. PN-Übergang, Verarmungsschicht, Anreicherungsschicht
18
Bauelemente mit Halbleiterkörpern aus Elementen der Gruppe IV des Periodensystems oder AIIIBV-Verbindungen mit oder ohne Fremdstoffe, z.B. Dotierungsmaterialien
30
Behandlung von Halbleiterkörpern unter Verwendung von Verfahren oder Vorrichtungen, soweit nicht von H01L21/20-H01L21/26152
302
zur Änderung der physikalischen Oberflächenbeschaffenheit oder zur Änderung der Form, z.B. Ätzen, Polieren, Sägen, Schneiden
306
Chemische oder elektrische Behandlung, z.B. elektrolytisches Ätzen
3065
Plasmaätzen; Reaktives Ionenätzen
Anmelder:
住友大阪セメント株式会社 SUMITOMO OSAKA CEMENT CO., LTD. [JP/JP]; 東京都千代田区六番町6番地28 6-28, Rokuban-cho, Chiyoda-ku, Tokyo 1028465, JP
Erfinder:
小坂井 守 KOSAKAI Mamoru; JP
尾崎 雅樹 OZAKI Masaki; JP
前田 佳祐 MAEDA Keisuke; JP
Vertreter:
西澤 和純 NISHIZAWA Kazuyoshi; JP
佐藤 彰雄 SATO Akio; JP
萩原 綾夏 HAGIWARA Ayaka; JP
Prioritätsdaten:
2017-18971829.09.2017JP
2017-18971929.09.2017JP
Titel (EN) ELECTROSTATIC CHUCK DEVICE
(FR) DISPOSITIF DE PORTE-SUBSTRAT ÉLECTROSTATIQUE
(JA) 静電チャック装置
Zusammenfassung:
(EN) This electrostatic chuck device is provided with: an electrostatic chuck part that has a sample placement surface on which a sample is placed, and that has a first electrode for electrostatic attraction; a cooling base part that cools the electrostatic chuck part, and that is positioned on the opposite side of the electrostatic chuck part from the sample placement surface; and an adhesive layer that bonds the electrostatic chuck part and the cooling base part. The electrostatic chuck part has recesses and protrusions on the adhesive layer side, and the surface resistance value of the first electrode is greater than 1.0 Ω/□ and lower than 1.0x1010 Ω/□.
(FR) Le dispositif de porte-substrat électrostatique selon l'invention comporte: une partie porte-substrat électrostatique possédant une première électrode pour attraction électrostatique et possédant également une surface destinée à supporter un échantillon; une partie base de refroidissement pour refroidir la partie porte-substrat électrostatique située à l'opposé de la surface destinée à supporter un échantillon de la partie porte-substrat électrostatique; et une couche adhésive pour joindre la partie porte-substrat électrostatique et la partie base de refroidissement. La partie porte-substrat électrostatique est en relief côté couche adhésive, et la valeur de résistance superficielle de la première électrode est supérieure à 1,0Ω/□ et inférieure à 1,0X1010Ω/□.
(JA) 静電チャック装置は、試料を載置する試料載置面を有するとともに静電吸着用の第1の電極を有する静電チャック部と、静電チャック部に対し試料載置面とは反対側に載置され静電チャック部を冷却する冷却ベース部と、静電チャック部と前記冷却ベース部とを接着する接着層と、を備え、静電チャック部は、接着層の側に凹凸を有しており、第1の電極の面抵抗値が1.0Ω/□よりも高く1.0×1010Ω/□よりも低い。
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Designierte Staaten: AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DJ, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IR, IS, JO, JP, KE, KG, KH, KN, KP, KR, KW, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SA, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW
Afrikanische regionale Organisation für geistiges Eigentum (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, ST, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Eurasisches Patentamt (EAPO) (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
Europäisches Patentamt (EPA) (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
Afrikanische Organisation für geistiges Eigentum (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, KM, ML, MR, NE, SN, TD, TG)
Veröffentlichungssprache: Japanisch (JA)
Anmeldesprache: Japanisch (JA)