Einige Inhalte dieser Anwendung sind momentan nicht verfügbar.
Wenn diese Situation weiterhin besteht, kontaktieren Sie uns bitte unterFeedback&Kontakt
1. (WO2019064775) SEMICONDUCTOR DEVICE AND PRODUCTION METHOD THEREFOR
Aktuellste beim Internationalen Büro vorliegende bibliographische DatenEinwendung einreichen

Veröff.-Nr.: WO/2019/064775 Internationale Anmeldenummer PCT/JP2018/025007
Veröffentlichungsdatum: 04.04.2019 Internationales Anmeldedatum: 02.07.2018
IPC:
H01L 25/07 (2006.01) ,H01L 23/12 (2006.01) ,H01L 23/36 (2006.01) ,H01L 25/18 (2006.01)
H Elektrotechnik
01
Grundlegende elektrische Bauteile
L
Halbleiterbauelemente; elektrische Festkörperbauelemente, soweit nicht anderweitig vorgesehen
25
Baugruppen, die aus einer Mehrzahl von einzelnen Halbleiter- oder anderen Festkörperbauelementen bestehen
03
wobei alle Bauelemente von einer Art sind, wie sie in der gleichen Untergruppe einer der Gruppen H01L27/-H01L51/148
04
wobei die Bauelemente keine gesonderten Gehäuse besitzen
07
wobei die Bauelemente von einer Art sind, wie sie in Gruppe H01L29/87
H Elektrotechnik
01
Grundlegende elektrische Bauteile
L
Halbleiterbauelemente; elektrische Festkörperbauelemente, soweit nicht anderweitig vorgesehen
23
Einzelheiten von Halbleiter- oder anderen Festkörperbauelementen
12
Montagesockel, z.B. nicht lösbare isolierende Substrate
H Elektrotechnik
01
Grundlegende elektrische Bauteile
L
Halbleiterbauelemente; elektrische Festkörperbauelemente, soweit nicht anderweitig vorgesehen
23
Einzelheiten von Halbleiter- oder anderen Festkörperbauelementen
34
Anordnungen zum Kühlen, Heizen, Belüften oder zur Temperaturkompensation
36
Auswahl des Materials oder der Form, um die Kühlung oder Heizung zu erleichtern, z.B. Wärmesenken
H Elektrotechnik
01
Grundlegende elektrische Bauteile
L
Halbleiterbauelemente; elektrische Festkörperbauelemente, soweit nicht anderweitig vorgesehen
25
Baugruppen, die aus einer Mehrzahl von einzelnen Halbleiter- oder anderen Festkörperbauelementen bestehen
18
wobei die Bauelemente aus Arten bestehen, wie sie in verschiedenen Untergruppen ein- und derselben Hauptgruppe H01L27/-H01L51/162
Anmelder:
日立金属株式会社 HITACHI METALS, LTD. [JP/JP]; 東京都港区港南一丁目2番70号 2-70, Konan 1-chome, Minato-ku, Tokyo 1088224, JP
Erfinder:
谷江 尚史 TANIE Hisashi; JP
島津 ひろみ SHIMAZU Hiromi; JP
伊藤 博之 ITO Hiroyuki; JP
Vertreter:
特許業務法人平木国際特許事務所 HIRAKI & ASSOCIATES; 東京都港区愛宕二丁目5-1 愛宕グリーンヒルズMORIタワー32階 Atago Green Hills MORI Tower 32F, 5-1, Atago 2-chome, Minato-ku, Tokyo 1056232, JP
Prioritätsdaten:
2017-18966729.09.2017JP
Titel (EN) SEMICONDUCTOR DEVICE AND PRODUCTION METHOD THEREFOR
(FR) DISPOSITIF À SEMI-CONDUCTEUR ET SON PROCÉDÉ DE PRODUCTION
(JA) 半導体装置およびその製造方法
Zusammenfassung:
(EN) The objective of the present invention is to provide a technique that ensures conduction between a gate terminal of a semiconductor switching element and a wiring layer in a semiconductor device formed with a wiring layer inside a ceramic layer. This semiconductor device comprises: a wiring layer that is inside a ceramic layer formed above an insulation layer; and a metal layer for connecting terminals from the semiconductor switching element other than the gate terminal. The wiring layer and the gate terminal from the semiconductor switching element are connected electrically via a connection part formed from a conductive material. The connection part protrudes more than the metal layer toward the semiconductor switching element (see FIG. 1).
(FR) L'objectif de la présente invention est de fournir une technique qui assure la conduction entre une borne de grille d'un élément de commutation à semi-conducteur et une couche de câblage dans un dispositif à semi-conducteur formé avec une couche de câblage à l'intérieur d'une couche de céramique. Ce dispositif à semi-conducteur comprend : une couche de câblage qui est à l'intérieur d'une couche de céramique formée au-dessus d'une couche d'isolation ; et une couche métallique pour connecter des bornes de l'élément de commutation à semi-conducteur autre que la borne de grille. La couche de câblage et la borne de grille de l'élément de commutation à semi-conducteur sont connectées électriquement par l'intermédiaire d'une partie de connexion formée à partir d'un matériau conducteur. La partie de connexion fait saillie plus que la couche métallique vers l'élément de commutation à semi-conducteur (voir FIG. 1).
(JA) 本発明は、セラミックス層のなかに配線層を形成する半導体装置において、半導体スイッチング素子のゲート端子と配線層との間の導通を確実に得ることができる技術を提供することを目的とする。本発明に係る半導体装置は、絶縁層上に形成されたセラミックス層の内部に配線層を有するとともに、半導体スイッチング素子のゲート端子以外の端子を接続する金属層を有しており、前記半導体スイッチング素子のゲート端子と前記配線層は、導電材料によって形成された接続部を介して電気的に接続されており、前記接続部は前記半導体スイッチング素子に向かって前記金属層よりも突出している(図1参照)。
front page image
Designierte Staaten: AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DJ, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IR, IS, JO, JP, KE, KG, KH, KN, KP, KR, KW, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SA, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW
Afrikanische regionale Organisation für geistiges Eigentum (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, ST, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Eurasisches Patentamt (EAPO) (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
Europäisches Patentamt (EPA) (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
Afrikanische Organisation für geistiges Eigentum (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, KM, ML, MR, NE, SN, TD, TG)
Veröffentlichungssprache: Japanisch (JA)
Anmeldesprache: Japanisch (JA)