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1. (WO2019064452) VAPOR DEPOSITION PARTICLE EMITTING DEVICE, VAPOR DEPOSITION APPARATUS, VAPOR DEPOSITION FILM PRODUCTION METHOD
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Veröff.-Nr.: WO/2019/064452 Internationale Anmeldenummer PCT/JP2017/035297
Veröffentlichungsdatum: 04.04.2019 Internationales Anmeldedatum: 28.09.2017
IPC:
C23C 14/24 (2006.01) ,C23C 14/00 (2006.01) ,C23C 14/56 (2006.01) ,H05B 33/10 (2006.01) ,H05B 33/14 (2006.01)
C Chemie; Hüttenwesen
23
Beschichten metallischer Werkstoffe; Beschichten von Werkstoffen mit metallischen Stoffen; Chemische Oberflächenbehandlung; Diffusionsbehandlung von metallischen Werkstoffen; Beschichten allgemein durch Vakuumbedampfen, Aufstäuben, Ionenimplantation oder chemisches Abscheiden aus der Dampfphase; Inhibieren von Korrosion metallischer Werkstoffe oder von Verkrustung allgemein
C
Beschichten metallischer Werkstoffe; Beschichten von Werkstoffen mit metallischen Stoffen; Oberflächenbehandlung metallischer Werkstoffe durch Diffusion in die Oberfläche, durch chemische Umwandlung oder Substitution; Beschichten allgemein durch Vakuumbedampfen, durch Aufstäuben, durch Ionenimplantation oder durch chemisches Abscheiden aus der Dampfphase
14
Beschichten durch Vakuumbedampfen, durch Aufstäuben oder durch Ionenimplantation des Beschichtungsmaterials
22
gekennzeichnet durch das Beschichtungsverfahren
24
Vakuumbedampfen
C Chemie; Hüttenwesen
23
Beschichten metallischer Werkstoffe; Beschichten von Werkstoffen mit metallischen Stoffen; Chemische Oberflächenbehandlung; Diffusionsbehandlung von metallischen Werkstoffen; Beschichten allgemein durch Vakuumbedampfen, Aufstäuben, Ionenimplantation oder chemisches Abscheiden aus der Dampfphase; Inhibieren von Korrosion metallischer Werkstoffe oder von Verkrustung allgemein
C
Beschichten metallischer Werkstoffe; Beschichten von Werkstoffen mit metallischen Stoffen; Oberflächenbehandlung metallischer Werkstoffe durch Diffusion in die Oberfläche, durch chemische Umwandlung oder Substitution; Beschichten allgemein durch Vakuumbedampfen, durch Aufstäuben, durch Ionenimplantation oder durch chemisches Abscheiden aus der Dampfphase
14
Beschichten durch Vakuumbedampfen, durch Aufstäuben oder durch Ionenimplantation des Beschichtungsmaterials
C Chemie; Hüttenwesen
23
Beschichten metallischer Werkstoffe; Beschichten von Werkstoffen mit metallischen Stoffen; Chemische Oberflächenbehandlung; Diffusionsbehandlung von metallischen Werkstoffen; Beschichten allgemein durch Vakuumbedampfen, Aufstäuben, Ionenimplantation oder chemisches Abscheiden aus der Dampfphase; Inhibieren von Korrosion metallischer Werkstoffe oder von Verkrustung allgemein
C
Beschichten metallischer Werkstoffe; Beschichten von Werkstoffen mit metallischen Stoffen; Oberflächenbehandlung metallischer Werkstoffe durch Diffusion in die Oberfläche, durch chemische Umwandlung oder Substitution; Beschichten allgemein durch Vakuumbedampfen, durch Aufstäuben, durch Ionenimplantation oder durch chemisches Abscheiden aus der Dampfphase
14
Beschichten durch Vakuumbedampfen, durch Aufstäuben oder durch Ionenimplantation des Beschichtungsmaterials
22
gekennzeichnet durch das Beschichtungsverfahren
56
für kontinuierliches Beschichten besonders angepasste Vorrichtungen; Einrichtungen zur Aufrechterhaltung des Vakuums, z.B. Vakuumschleusen
H Elektrotechnik
05
Elektrotechnik, soweit nicht anderweitig vorgesehen
B
Elektrische Heizung; elektrische Beleuchtung, soweit nicht anderweitig vorgesehen
33
Elektrolumineszierende Lichtquellen
10
Geräte oder Verfahren, die in besonderer Weise für die Herstellung von elektrolumineszierenden Lichtquellen ausgebildet sind
H Elektrotechnik
05
Elektrotechnik, soweit nicht anderweitig vorgesehen
B
Elektrische Heizung; elektrische Beleuchtung, soweit nicht anderweitig vorgesehen
33
Elektrolumineszierende Lichtquellen
12
Lichtquellen mit im wesentlichen zweidimensional ausstrahlenden Flächen
14
gekennzeichnet durch die chemische oder physikalische Zusammensetzung oder durch die Anordnung des elektrolumineszierenden Werkstoffes
Anmelder:
シャープ株式会社 SHARP KABUSHIKI KAISHA [JP/JP]; 大阪府堺市堺区匠町1番地 1, Takumi-cho, Sakai-ku, Sakai City, Osaka 5908522, JP
Erfinder:
西口 昌男 NISHIGUCHI, Masao; --
Vertreter:
特許業務法人HARAKENZO WORLD PATENT & TRADEMARK HARAKENZO WORLD PATENT & TRADEMARK; 大阪府大阪市北区天神橋2丁目北2番6号 大和南森町ビル Daiwa Minamimorimachi Building, 2-6, Tenjinbashi 2-chome Kita, Kita-ku, Osaka-shi, Osaka 5300041, JP
Prioritätsdaten:
Titel (EN) VAPOR DEPOSITION PARTICLE EMITTING DEVICE, VAPOR DEPOSITION APPARATUS, VAPOR DEPOSITION FILM PRODUCTION METHOD
(FR) DISPOSITIF D'ÉMISSION DE PARTICULES DE DÉPÔT EN PHASE VAPEUR, APPAREIL DE DÉPÔT EN PHASE VAPEUR ET PROCÉDÉ PRODUCTION DE FILM DE DÉPÔT EN PHASE VAPEUR
(JA) 蒸着粒子射出装置および蒸着装置並びに蒸着膜製造方法
Zusammenfassung:
(EN) A vapor deposition particle emitting device (1) is equipped with a second vapor deposition source (20) and a first vapor deposition source (10) and a third vapor deposition source (30) sandwiching the second vapor deposition source in the Y axis direction. In the first vapor deposition source and the third vapor deposition source, a plurality of nozzles (12, 31) inclined toward the second vapor deposition source are arranged in the X axis direction. In the second vapor deposition source, a plurality of nozzles (23) inclined toward the first vapor deposition source and a plurality of nozzles (22) inclined toward the third vapor deposition source are arranged in the X axis direction.
(FR) Cette invention concerne un dispositif d'émission de particules de dépôt en phase vapeur (1), équipé d'une deuxième source de dépôt en phase vapeur (20) et d'une première source de dépôt en phase vapeur (10) et d'une troisième source de dépôt en phase vapeur (30) prenant en sandwich la deuxième source de dépôt en phase vapeur dans la direction de l'axe Y. Dans la première source de dépôt en phase vapeur et la troisième source de dépôt en phase vapeur, une pluralité de buses (12, 31) inclinées vers la deuxième source de dépôt en phase vapeur sont agencées dans la direction de l'axe X. Dans la deuxième source de dépôt en phase vapeur, une pluralité de buses (23) inclinées vers la première source de dépôt en phase vapeur et une pluralité de buses (22) inclinées vers la troisième source de dépôt en phase vapeur sont agencées dans la direction de l'axe X.
(JA) 蒸着粒子射出装置(1)は、第2蒸着源(20)と、Y軸方向に第2蒸着源を挟む第1蒸着源(10)と第3蒸着源(30)とを備えている。第1蒸着源および第3蒸着源には、第2蒸着源に向かって傾斜する複数のノズル(12・31)がX軸方向に配列されている。第2蒸着源には、第1蒸着源に向かって傾斜する複数のノズル(23)と、第3蒸着源に向かって傾斜する複数のノズル(22)とがX軸方向に配列されている。
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Designierte Staaten: AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DJ, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IR, IS, JO, JP, KE, KG, KH, KN, KP, KR, KW, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SA, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW
African Regional Intellectual Property Organization (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, ST, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Eurasische Patentorganisation (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
Europäisches Patentamt (EPO) (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
African Intellectual Property Organization (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, KM, ML, MR, NE, SN, TD, TG)
Veröffentlichungssprache: Japanisch (JA)
Anmeldesprache: Japanisch (JA)