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1. (WO2019063771) GALVANIC ISOLATED DEVICE AND CORRESPONDING SYSTEM
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Veröff.-Nr.: WO/2019/063771 Internationale Anmeldenummer PCT/EP2018/076419
Veröffentlichungsdatum: 04.04.2019 Internationales Anmeldedatum: 28.09.2018
IPC:
H03K 19/0175 (2006.01) ,H04B 10/80 (2013.01)
H Elektrotechnik
03
Grundlegende elektronische Schaltkreise
K
Impulstechnik
19
Verknüpfungsschaltungen, d.h. Schaltungen, bei denen wenigstens zwei Eingangssignale zu einem Ausgangssignal verknüpft werden; Inverterschaltungen
0175
Kopplungsanordnungen; Schnittstellenanordnungen
H Elektrotechnik
04
Elektrische Nachrichtentechnik
B
Übertragung
10
Übertragungssysteme, die elektromagnetische Wellen außer Radiowellen verwenden, z.B. Infrarot-, sichtbares oder ultraviolettes Licht, oder die Korpuskularstrahlung verwenden, z. B. Quantenkommunikation
80
Optische Aspekte betreffend die Verwendung optischer Übertragung für bestimmte Anwendungen, die von den Gruppen H04B10/03-H04B10/70163
Anmelder:
INTERDIGITAL CE PATENT HOLDINGS [FR/FR]; 3 rue du colonel Moll 75017 Paris, FR
Erfinder:
MARCHAND, Philippe; FR
FOUQUE, Claude; FR
SALOU, Frédérique; FR
Vertreter:
HUCHET, Anne; FR
PERROT, Sébastien; FR
LORETTE, Anne; FR
ROLLAND, Sophie; FR
LABELLE, Lilian; FR
MORAIN, David; FR
AMOR, Rim; FR
STAHL, Niclas; FR
Prioritätsdaten:
17306294.429.09.2017EP
Titel (EN) GALVANIC ISOLATED DEVICE AND CORRESPONDING SYSTEM
(FR) DISPOSITIF ISOLÉ GALVANIQUE ET SYSTÈME CORRESPONDANT
Zusammenfassung:
(EN) A device including an optoelectric circuit that is configured to provide galvanic isolation between a first circuit and a second circuit is disclosed. The optoelectric circuit includes at least one non-inverting buffer and a metal semiconductor diode. The at least one non-inverting buffer is positioned between a collector of a phototransistor and an anode of a light emitting diode. The metal semiconductor diode is positioned between the collector of the phototransistor and the at least one non-inverting buffer.
(FR) L'invention concerne un dispositif comprenant un circuit optoélectrique configuré pour assurer une isolation galvanique entre un premier et un deuxième circuit. Le circuit optoélectrique comprend au moins un tampon non inverseur et une diode à semi-conducteur métallique. Ledit tampon non inverseur au moins est positionné entre un collecteur d'un phototransistor et une anode d'une diode électroluminescente. La diode à semi-conducteur métallique est positionnée entre le collecteur du phototransistor et ledit tampon non inverseur au moins.
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Designierte Staaten: AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DJ, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IR, IS, JO, JP, KE, KG, KH, KN, KP, KR, KW, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SA, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW
African Regional Intellectual Property Organization (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, ST, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Eurasische Patentorganisation (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
Europäisches Patentamt (EPO) (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
African Intellectual Property Organization (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, KM, ML, MR, NE, SN, TD, TG)
Veröffentlichungssprache: Englisch (EN)
Anmeldesprache: Englisch (EN)