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1. (WO2019063413) VERFAHREN ZUR HERSTELLUNG EINER SILICIUMCARBID AUFWEISENDEN STICKSTOFFFREIEN SCHICHT



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INTERNATIONAL SEARCH REPORT (ISR)
Part 1:  1  2  3  4  5  6          Part 2:  A  B  C  D  E 
Internationales Aktenzeichen Aktenzeichen des Anmelders oder Anwalts
PCT/EP2018/075493 18.6169.1 ka
Internationales Anmeldedatum (Tag/Monat/Jahr) (Frühestes) Prioritätsdatum (Tag/Monat/Jahr)
20. September 2018 29. September 2017
Anmelder
PSC TECHNOLOGIES GMBH
WEITERES VORGEHEN: Siehe Formblatt PCT/ISA/220 sowie, soweit zutreffend, nachstehender Punkt 5
Dieser internationale Recherchenbericht wurde von dieser Internationalen Recherchenbehörde erstellt und wird dem Anmelder gemäß Artikel 18 übermittelt. Eine Kopie wird dem Internationalen Büro übermittelt.
Darüber hinaus liegt ihm jeweils eine Kopie der in diesem Bericht genannten Unterlagen zum Stand der Technik bei.
1. Grundlage des Berichts
a. Hinsichtlich der Sprache beruht die internationale Recherche auf
der internationalen Anmeldung in der Sprache, in der sie eingereicht wurde.
einer Übersetzung der internationalen Anmeldung in die folgende Sprache                                          , bei der es sich um die Sprache der Übersetzung handelt, die für die Zwecke der internationalen Recherche eingereicht worden ist (Regeln 12.3 a) und 23.1 b)).
b.
Dieser internationale Recherchenbericht wurde erstellt unter Berücksichtigung der Berichtigung eines offensichtlichen Fehlers, die nach Regel 91 von dieser Behörde genehmigt wurde bzw. dieser Behörde mitgeteilt wurde (Regel 43.6bis a)).
c.
Hinsichtlich der Nucleotid- und/oder Aminosäuresequenz, die in der internationalen Anmeldung offenbart wurde, ist die internationale Recherche auf der Grundlage eines Sequenzprotokolls durchgeführt worden, das
2. Bestimmte Ansprüche haben sich als nicht recherchierbar erwiesen
3. Mangelnde Einheitlichkeit der Erfindung
4. Bezeichnung der Erfindung
Wird der vom Anmelder eingereichte Wortlaut genehmigt.
Wurde der Wortlaut von dieser Behörde wie folgt festgesetzt:
5. Zusammenfassung
Wird der vom Anmelder eingereichte Wortlaut genehmigt.
Wurde der Wortlaut nach Regel 38.2 in der in Feld Nr. IV angegebenen Fassung von dieser Behörde festgesetzt. Der Anmelder kann dieser Behörde innerhalb eines Monats nach dem Datum der Absendung dieses internationalen Recherchenberichts eine Stellungnahme vorlegen.
6. Zeichnungen
a.
Ist folgende Abbildung der Zeichnungen mit der Zusammenfassung zu veröffentlichen: Abb. Nr. _____________
wie vom Anmelder vorgeschlagen.
wie von dieser Behörde ausgewählt, weil der Anmelder selbst keine Abbildung vorgeschlagen hat.
wie von dieser Behörde ausgewählt, weil diese Abbildung die Erfindung besser kennzeichnet.
b.
wird keine der Abbildungen mit der Zusammenfassung veröffentlicht.

A. KLASSIFIZIERUNG DES ANMELDUNGSGEGENSTANDES

     H01L 21/02 (2006.01)i; C01B 32/956 (2017.01)i
Nach der Internationalen Patentklassifikation (IPC) oder nach der nationalen Klassifikation und der IPC

B. RECHERCHIERTE GEBIETE

Recherchierter Mindestprüfstoff (Klassifikationssystem und Klassifikationssymbole) :
     H01L; C01B
Recherchierte, aber nicht zum Mindestprüfstoff gehörende Veröffentlichungen, soweit diese unter die recherchierten Gebiete fallen :
Während der internationalen Recherche konsultierte elektronische Datenbank (Name der Datenbank und evtl. verwendete Suchbegriffe) :
EPO-Internal, CHEM ABS Data, WPI Data

C. ALS WESENTLICH ANGESEHENE UNTERLAGEN

Kategorie* Bezeichnung der Veröffentlichung, soweit erforderlich unter Angabe der in Betracht kommenden Teile Betr. Anspruch Nr.
(1)
X
MOTT M ET AL, "SOLID FREEFORMING OF SILICON CARBIDE BY INKJET PRINTING USING A POLYMERIC PRECURSOR", JOURNAL OF THE AMERICAN CERAMIC SOCIETY, BLACKWELL PUBLISHING, MALDEN, MA, US,Band 84, Nr. 2, 01. Februar 2001 (2001-02-01), Seite 307-313,
XP001039143
13,14,20
A
Seite 307, Spalte 2, Zeile 1 - Zeile 38
1-12,15-19
Seite 309, Absatz "Printing"
(2)
X
WO 2016156384 A1 (UNIVERSITÄT PADERBORN [DE]) 06. Oktober 2016 (2016-10-06)
13,14,20
A
Ansprüche 1-8
1-12,15-19
(3)
A
HIMANSHU S. JHA, PRATIMA AGARWAL, "Highly crystalline silicon carbide thin films grown at low substrate temperature by HWCVD technique", JOURNAL OF MATERIALS SCIENCE: MATERIALS IN ELECTRONICS,Band 26, Nr. 3, . März 2015 (2015-03), Seite 1381-1388,
XP002787604
1-20
Seite 1381, Absatz Abstract
(4)
X
DE 102015218218 A1 (SUMCO CORP [JP]) 24. März 2016 (2016-03-24)
13
Anspruch 1; Abbildung 1; Beispiel 3
(5)
X
CN 104409553 A (INST SEMICONDUCTORS CAS) 11. März 2015 (2015-03-11)
14
das ganze Dokument
(6)
A
JANZ S ET AL, "Amorphous SiC: Application for Silicon Solar Cells", PROCEEDINGS OF THE EUROPEAN PHOTOVOLTAIC SOLAR ENERGY CONFERENCE, XX, XX,04. September 2006 (2006-09-04), Seite 660-663,
XP002457495
1-20
Seite 660, Absatz "Annealing Behaiour"
(7)
T
WO 2018212414 A1 (LG CHEMICAL LTD [KR]; UNIV INHA RES & BUSINESS FOUND [KR]) 22. November 2018 (2018-11-22)
1-20
Ansprüche 1-12; Beispiel 1
(8)
T
WO 2018206643 A1 (PSC TECH GMBH [DE]) 15. November 2018 (2018-11-15)
1-20
*
Besondere Kategorien von angegebenen Veröffentlichungen:
"A"
Veröffentlichung, die den allgemeinen Stand der Technik definiert, aber nicht als besonders bedeutsam anzusehen ist
"E"
frühere Anmeldung oder Patent, die bzw. das jedoch erst am oder nach dem internationalen Anmeldedatum veröffentlicht worden ist
"L"
Veröffentlichung, die geeignet ist, einen Prioritätsanspruch zweifelhaft erscheinen zu lassen, oder durch die das Veröffentlichungsdatum einer anderen im Recherchenbericht genannten Veröffentlichung belegt werden soll oder die aus einem anderen besonderen Grund angegeben ist (wie ausgeführt)
"O"
Veröffentlichung, die sich auf eine mündliche Offenbarung, eine Benutzung, eine Ausstellung oder andere Maßnahmen bezieht
"P"
Veröffentlichung, die vor dem internationalen Anmeldedatum, aber nach dem beanspruchten Prioritätsdatum veröffentlicht worden ist
"T"
Spätere Veröffentlichung, die nach dem internationalen Anmeldedatum oder dem Prioritätsdatum veröffentlicht worden ist und mit der Anmeldung nicht kollidiert, sondern nur zum Verständnis des der Erfindung zugrundeliegenden Prinzips oder der ihr zugrundeliegenden Theorie angegeben ist
"X"
Veröffentlichung von besonderer Bedeutung; die beanspruchte Erfindung kann allein aufgrund dieser Veröffentlichung nicht als neu oder auf erfinderischer Tätigkeit beruhend betrachtet werden
"Y"
Veröffentlichung von besonderer Bedeutung; die beanspruchte Erfindung kann nicht als auf erfinderischer Tätigkeit beruhend betrachtet werden, wenn die Veröffentlichung mit einer oder mehreren Veröffentlichungen dieser Kategorie in Verbindung gebracht wird und diese Verbindung für einen Fachmann naheliegend ist
"&"
Veröffentlichung, die Mitglied derselben Patentfamilie ist

D. ANGABEN ZU VERÖFFENTLICHUNGEN, DIE ZUR SELBEN PATENTFAMILIE GEHÖREN

Im Recherchenbericht angeführtes Patentdokument Datum der Veröffentlichung
(Tag/Monat/Jahr)
Mitglied(er) der Patentfamilie Datum der Veröffentlichung
(Tag/Monat/Jahr)
WO 2016156384 A1
06. Oktober 2016
DE 102015104943 A1
EP 3277646 A1
WO 2016156384 A1
06. Oktober 2016
07. Februar 2018
06. Oktober 2016
DE 102015218218 A1
24. März 2016
DE 102015218218 A1
JP 2016063198 A
24. März 2016
25. April 2016
CN 104409553 A
11. März 2015
KEINE
WO 2018212414 A1
22. November 2018
KR 20180126874 A
WO 2018212414 A1
28. November 2018
22. November 2018
WO 2018206643 A1
15. November 2018
DE 102017110361 A1
WO 2018206643 A1
15. November 2018
15. November 2018
Name und Postanschrift der Internationalen Recherchenbehörde:
European Patent Office
P.B. 5818, Patentlaan 2, 2280 HV Rijswijk,
Niederlande
Tel.: (+31-70)340-2040
Fax: (+31-70)340-3016
Datum des tatsächlichen Abschlusses der internationalen Recherche:
20. Dezember 2018
Absendedatum des internationalen Recherchenberichts:
10. Januar 2019
Bevollmächtigter Bediensteter:
Siebel, Eric
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