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1. (WO2019063413) VERFAHREN ZUR HERSTELLUNG EINER SILICIUMCARBID AUFWEISENDEN STICKSTOFFFREIEN SCHICHT
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Veröff.-Nr.: WO/2019/063413 Internationale Anmeldenummer PCT/EP2018/075493
Veröffentlichungsdatum: 04.04.2019 Internationales Anmeldedatum: 20.09.2018
IPC:
H01L 21/02 (2006.01) ,C01B 32/956 (2017.01)
H Elektrotechnik
01
Grundlegende elektrische Bauteile
L
Halbleiterbauelemente; elektrische Festkörperbauelemente, soweit nicht anderweitig vorgesehen
21
Verfahren oder Geräte, besonders ausgebildet für die Herstellung oder Behandlung von Halbleiter- oder Festkörperbauelementen oder Teilen davon
02
Herstellung oder Behandlung von Halbleiterbauelementen oder Teilen davon
[IPC code unknown for C01B 32/956]
Anmelder:
PSC TECHNOLOGIES GMBH [DE/DE]; Berchtesgadener Straße 8 10779 Berlin, DE
Erfinder:
GREULICH-WEBER, Siegmund; DE
Vertreter:
VON ROHR PATENTANWÄLTE PARTNERSCHAFT MBB; Dr. Alexander Freiherr von Foullon Rüttenscheider Straße 62 45130 Essen, DE
Prioritätsdaten:
10 2017 122 708.329.09.2017DE
Titel (EN) METHOD FOR PRODUCING A NITROGEN-FREE LAYER COMPRISING SILICON CARBIDE
(FR) PROCÉDÉ DE PRODUCTION D'UNE COUCHE SANS AZOTE, PRÉSENTANT DU CARBURE DE SILICIUM
(DE) VERFAHREN ZUR HERSTELLUNG EINER SILICIUMCARBID AUFWEISENDEN STICKSTOFFFREIEN SCHICHT
Zusammenfassung:
(EN) The invention relates to a method for producing a thin nitrogen-free layer of silicon carbide by means of a solution or dispersion containing carbon and silicon.
(FR) La présente invention concerne un procédé pour produire une couche mince, sans azote, de carbure de silicium au moyen d'une solution ou d’une dispersion contenant du carbone et du silicium.
(DE) Die Erfindung betrifft ein Verfahren zur Herstellung einer dünnen stickstofffreien Schicht aus Siliciumcarbid mittels einer kohlenstoff- und siliciumhaltigen Lösung oder Dispersion.
Designierte Staaten: AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DJ, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IR, IS, JO, JP, KE, KG, KH, KN, KP, KR, KW, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SA, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW
African Regional Intellectual Property Organization (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, ST, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Eurasische Patentorganisation (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
Europäisches Patentamt (EPO) (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
African Intellectual Property Organization (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, KM, ML, MR, NE, SN, TD, TG)
Veröffentlichungssprache: Deutsch (DE)
Anmeldesprache: Deutsch (DE)