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1. (WO2019063412) STRAHLUNGSEMITTIERENDES HALBLEITERBAUELEMENT UND VERFAHREN ZUR HERSTELLUNG VON STRAHLUNGSEMITTIERENDEN HALBLEITERBAUELEMENTEN
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Veröff.-Nr.: WO/2019/063412 Internationale Anmeldenummer PCT/EP2018/075488
Veröffentlichungsdatum: 04.04.2019 Internationales Anmeldedatum: 20.09.2018
IPC:
H01L 33/58 (2010.01) ,H01L 33/00 (2010.01) ,H01L 27/15 (2006.01) ,H01L 33/08 (2010.01)
H Elektrotechnik
01
Grundlegende elektrische Bauteile
L
Halbleiterbauelemente; elektrische Festkörperbauelemente, soweit nicht anderweitig vorgesehen
33
Halbleiterbauelemente mit wenigstens einer Potenzialsprung-Sperrschicht oder Oberflächensperrschicht, besonders ausgebildet zur Lichtemission; Verfahren oder Vorrichtungen, besonders ausgebildet für die Herstellung oder Behandlung dieser Bauelemente oder Teilen davon; Einzelheiten dieser Bauelemente
48
charakterisiert durch das Gehäuse
58
Bestandteile zur Formung optischer Felder
H Elektrotechnik
01
Grundlegende elektrische Bauteile
L
Halbleiterbauelemente; elektrische Festkörperbauelemente, soweit nicht anderweitig vorgesehen
33
Halbleiterbauelemente mit wenigstens einer Potenzialsprung-Sperrschicht oder Oberflächensperrschicht, besonders ausgebildet zur Lichtemission; Verfahren oder Vorrichtungen, besonders ausgebildet für die Herstellung oder Behandlung dieser Bauelemente oder Teilen davon; Einzelheiten dieser Bauelemente
H Elektrotechnik
01
Grundlegende elektrische Bauteile
L
Halbleiterbauelemente; elektrische Festkörperbauelemente, soweit nicht anderweitig vorgesehen
27
Bauelemente, die aus einer Mehrzahl von in oder auf einem gemeinsamen Substrat ausgebildeten Halbleiter- oder anderen Festkörperschaltungselementen bestehen [integrierte Schaltungen]
15
mit Halbleiterschaltungselementen mit wenigstens einer Potenzialsprung-Sperrschicht oder Oberflächensperrschicht, besonders ausgebildet zur Lichtemission
H Elektrotechnik
01
Grundlegende elektrische Bauteile
L
Halbleiterbauelemente; elektrische Festkörperbauelemente, soweit nicht anderweitig vorgesehen
33
Halbleiterbauelemente mit wenigstens einer Potenzialsprung-Sperrschicht oder Oberflächensperrschicht, besonders ausgebildet zur Lichtemission; Verfahren oder Vorrichtungen, besonders ausgebildet für die Herstellung oder Behandlung dieser Bauelemente oder Teilen davon; Einzelheiten dieser Bauelemente
02
charakterisiert durch den Halbleiterkörper
08
mit einer Mehrzahl lichtemittierender Bereiche, z.B. lateral diskontinuierliche lichtemittierende Schichten oder in den Halbleiterkörper integrierte photolumineszente Bereiche
Anmelder:
OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH [DE/DE]; Leibnizstr. 4 93055 Regensburg, DE
Erfinder:
ENZMANN, Roland Heinrich; MY
HALBRITTER, Hubert; DE
BEHRINGER, Martin Rudolf; DE
Vertreter:
EPPING HERMANN FISCHER PATENTANWALTSGESELLSCHAFT MBH; Schloßschmidstr. 5 80639 München, DE
Prioritätsdaten:
10 2017 122 325.826.09.2017DE
Titel (EN) RADIATION-EMITTING SEMICONDUCTOR COMPONENT AND METHOD FOR PRODUCING RADIATION-EMITTING SEMICONDUCTOR COMPONENT
(FR) COMPOSANT SEMI-CONDUCTEUR ÉMETTEUR DE RAYONNEMENT ET PROCÉDÉ DE FABRICATION DE COMPOSANTS SEMI-CONDUCTEURS ÉMETTEURS DE RAYONNEMENT
(DE) STRAHLUNGSEMITTIERENDES HALBLEITERBAUELEMENT UND VERFAHREN ZUR HERSTELLUNG VON STRAHLUNGSEMITTIERENDEN HALBLEITERBAUELEMENTEN
Zusammenfassung:
(EN) The invention relates to a radiation-emitting semiconductor component (1), comprising a semiconductor body (2) having an active region (20) intended for generating radiation, a carrier body (3) on which the semiconductor body is arranged and an optical element (4), wherein the optical element is secured to the semiconductor body by means of direct bonding. The invention further relates to a method for producing radiation-emitting semiconductor components.
(FR) L'invention concerne un composant semi-conducteur émetteur de rayonnement (1) comprenant un corps semi-conducteur (2) pourvu d'une zone active (20) destinée à générer un rayonnement, un support (3) sur lequel est disposé le corps semi-conducteur, ainsi qu’un élément optique (4), cet élément optique étant fixé au corps semi-conducteur par une liaison directe. L'invention concerne en outre un procédé de fabrication de composants semi-conducteurs émetteurs de rayonnement.
(DE) Es wird ein strahlungsemittierendes Halbleiterbauelement (1) angegeben, umfassend einen Halbleiterkörper (2) mit einem zur Erzeugung von Strahlung vorgesehenen aktiven Bereich (20), einen Träger (3), auf dem der Halbleiterkörper angeordnet ist und ein optisches Element (4), wobei das optische Element mit einer direkten Bondverbindung an dem Halbleiterkörper befestigt ist. Weiterhin wird ein Verfahren zur Herstellung von strahlungsemittierenden Halbleiterbauelementen angegeben.
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Designierte Staaten: AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DJ, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IR, IS, JO, JP, KE, KG, KH, KN, KP, KR, KW, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SA, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW
African Regional Intellectual Property Organization (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, ST, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Eurasische Patentorganisation (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
Europäisches Patentamt (EPO) (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
African Intellectual Property Organization (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, KM, ML, MR, NE, SN, TD, TG)
Veröffentlichungssprache: Deutsch (DE)
Anmeldesprache: Deutsch (DE)