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1. (WO2019063289) VERFAHREN ZUM BETREIBEN EINER ANSTEUERVORRICHTUNG FÜR EINE INDUKTIVE LAST
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Veröff.-Nr.: WO/2019/063289 Internationale Anmeldenummer PCT/EP2018/074587
Veröffentlichungsdatum: 04.04.2019 Internationales Anmeldedatum: 12.09.2018
IPC:
H03K 17/16 (2006.01) ,H02M 3/156 (2006.01)
H Elektrotechnik
03
Grundlegende elektronische Schaltkreise
K
Impulstechnik
17
Kontaktloses elektronisches Schalten oder Austasten, d.h. nicht durch Öffnen oder Schließen von Kontakten bewirkt
16
Ausbildung von Schaltern zum Eliminieren von Störspannungen oder Störströmen
H Elektrotechnik
02
Erzeugung, Umwandlung oder Verteilung von elektrischer Energie
M
Anlagen zur Umformung von Wechselstrom in Wechselstrom, von Wechselstrom in Gleichstrom oder umgekehrt, oder von Gleichstrom in Gleichstrom und zur Verwendung in Netzen oder ähnlichen Stromversorgungssystemen; Umformung von Gleichstrom- oder Wechselstromeingangsleistung in Stoß-Ausgangsleistung; Steuern oder Regeln derselben
3
Umformung von Gleichstrom in Gleichstrom
02
ohne Zwischenumformung in Wechselstrom
04
durch ruhende Umformer
10
unter Verwendung von Entladungsröhren mit Steuerelektrode oder Halbleiterbauelementen mit Steuerelektrode
145
unter Verwendung von Vorrichtungen von der Art einer Entladungsröhre oder eines Transistors, die ein stetiges Anlegen eines Steuersignals erfordern
155
nur mittels Halbleiterbauelementen
156
mit Regeln der Ausgangsspannung oder des Ausgangsstromes, z.B. Schaltregler
Anmelder:
ROBERT BOSCH GMBH [DE/DE]; Postfach 30 02 20 70442 Stuttgart, DE
Erfinder:
KOCH, Stefan; DE
MALICH, Thomas; DE
WENDL, Michael; DE
Prioritätsdaten:
10 2017 217 260.628.09.2017DE
Titel (EN) METHOD FOR OPERATING AN ACTUATION DEVICE FOR AN INDUCTIVE LOAD
(FR) PROCÉDÉ DE FONCTIONNEMENT D'UN DISPOSITIF DE COMMANDE D'UNE CHARGE INDUCTIVE
(DE) VERFAHREN ZUM BETREIBEN EINER ANSTEUERVORRICHTUNG FÜR EINE INDUKTIVE LAST
Zusammenfassung:
(EN) The invention relates to a method for operating an actuation device (100) for an inductive load (30), wherein the actuation device (100) is formed as a half bridge with two MOS-FETs (10, 20) and a connecting point of the two MOS-FETs (10, 20) is galvanically connected to the inductive load (30), the method having the following, cyclically performed steps: - with a positive phase current, where electrical current flows from the half bridge into the inductive load (30): a) in the event of an electrical current flow after high-resistance switching of the HS-MOS-FET (10) via the intrinsic diode of the LS-MOS-FET (20): - subsequent activation of the LS-MOS-FET (20) in a defined rapid manner; b) in the event of an electrical current flow after high-resistance switching of the LS-MOS-FET (20) via the intrinsic diode of the LS-MOS-FET (20): - subsequent activation of the HS-MOS-FET (10) in a defined slow manner; - with a negative electrical phase current, where electrical current flows from the inductive load (30) into the half bridge: a) in the event of an electrical current flow after high-resistance switching of the LS-MOS-FET (20) via the intrinsic diode of the HS-MOS-FET (10); - subsequent activation of the HS-MOS-FET (10) in a defined rapid manner; b) in the event of an electrical current flow after high-resistance switching of the HS-MOS-FET (10) via the intrinsic diode of the HS-MOS-FET; - subsequent activation of the LS-MOS-FET (20) in a defined slow manner.
(FR) Procédé pour faire fonctionner un dispositif d'entraînement (100) pour une charge inductive (30), le dispositif d'entraînement (100) étant conçu comme un demi-pont à deux transistors MOS-FET (10, 20), un point de connexion des deux transistors MOS-FET (10, 20) étant relié galvaniquement à la charge inductive (30), comprenant les étapes suivantes, réalisées de manière cyclique : - dans le cas d'un courant de phase positif, un courant électrique circulant du demi-pont dans la charge inductive (30) : a) dans le cas d'un courant électrique circulant après une commutation à haute impédance du FET HS-MOS (10) via la diode intrinsèque du FET LS-MOS (20) : - activation rapide définie ultérieurement du FET LS-MOS (20) b) dans le cas d'un flux courant électrique après commutation à forte impédance du FET LS-MOS (20) via la diode intrinsèque du FET LS-MOS (20) : - avec un courant de phase électrique négatif, du courant électrique circulant de la charge inductive (30) dans le demi-pont : a) dans le cas d'un courant électrique circulant après la commutation du LS-MOS-FET (20) à haute impédance via la diode intrinsèque du HS-MOS-FET (10) : - définit ensuite la mise sous tension rapide du HS-MOS-FET (10) b) en cas de passage de courant électrique après une commutation haute impédance du HS-MOS-FET (10) via la diode intrinsèque du HS-MOS-FET : - définit ensuite la mise sous tension lente du LS-MOS-FET (20).
(DE) Verfahren zum Betreiben einer Ansteuervorrichtung (100) für eine induktive Last (30), wobei die Ansteuervorrichtung (100) als eine Halbbrücke mit zwei MOS-FETs (10, 20) ausgebildet ist, wobei ein Verbindungspunkt der beiden MOS-FETs (10, 20) galvanisch mit der induktiven Last (30) verbunden ist, aufweisend die folgenden zyklisch ausgeführten Schritte: - bei positivem Phasenstrom, wobei elektrischer Strom aus der Halbbrücke in den induktiven Verbraucher (30) fließt: a) im Falle eines elektrischen Stromflusses nach Hochohmig-Schalten des HS-MOS-FETs (10) über die intrinsische Diode des LS-MOS-FETs (20): - nachfolgendes definiert schnelles Einschalten des LS-MOS-FETs (20) b) im Falle eines elektrischen Stromflusses nach Hochohmig-Schalten des LS-MOS-FETs (20) über die intrinsische Diode des LS-MOS-FETs (20): - nachfolgendes definiert langsames Einschalten des HS-MOS-FETs (10); - bei negativem elektrischem Phasenstrom, wobei elektrischer Strom aus dem induktiven Verbraucher (30) in die Halbbrücke fließt: a) im Falle eines elektrischen Stromflusses nach Hochohmig-Schalten des LS-MOS-FETs (20) über die intrinsische Diode des HS-MOS-FETs (10): - nachfolgendes definiert schnelles Einschalten des HS-MOS-FETS (10) b) im Falle eines elektrischen Stromflusses nach Hochohmig-Schalten des HS-MOS-FETs (10) über die intrinsische Diode des HS-MOS-FETs: - nachfolgendes definiert langsames Einschalten des LS-MOS-FETs (20).
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Designierte Staaten: AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DJ, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IR, IS, JO, JP, KE, KG, KH, KN, KP, KR, KW, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SA, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW
African Regional Intellectual Property Organization (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, ST, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Eurasische Patentorganisation (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
Europäisches Patentamt (EPO) (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
African Intellectual Property Organization (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, KM, ML, MR, NE, SN, TD, TG)
Veröffentlichungssprache: Deutsch (DE)
Anmeldesprache: Deutsch (DE)