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1. (WO2019063254) VERFAHREN ZUR BESTIMMUNG VON EIGENSCHAFTEN EINER EUV-QUELLE
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Veröff.-Nr.: WO/2019/063254 Internationale Anmeldenummer PCT/EP2018/073903
Veröffentlichungsdatum: 04.04.2019 Internationales Anmeldedatum: 05.09.2018
IPC:
G03F 7/20 (2006.01)
G Physik
03
Fotografie; Kinematografie; vergleichbare Techniken unter Verwendung von nicht optischen Wellen; Elektrografie; Holografie
F
Fotomechanische Herstellung strukturierter oder gemusterter Oberflächen, z.B. zum Drucken, zum Herstellen von Halbleiterbauelementen; Materialien dafür; Kopiervorlagen dafür; Vorrichtungen besonders ausgebildet dafür
7
Fotomechanische, z.B. fotolithografische Herstellung von strukturierten oder gemusterten Oberflächen, z.B. Druckflächen; Materialien dafür, z.B. mit Fotolacken [Resists]; Vorrichtungen besonders ausgebildet dafür
20
Belichten; Vorrichtungen dafür
Anmelder:
CARL ZEISS SMT GMBH [DE/DE]; Rudolf-Eber-Strasse 2 73447 Oberkochen, DE
Erfinder:
LAUFER, Timo; DE
HAUF, Markus; DE
MÜLLER, Ulrich; DE
Vertreter:
RAUNECKER, Klaus, Peter; DE
Prioritätsdaten:
10 2017 217 266.528.09.2017DE
Titel (EN) METHOD FOR DETERMINING PROPERTIES OF AN EUV SOURCE
(FR) PROCÉDÉ DE DÉTERMINATION DE PROPRIÉTÉS D'UNE SOURCE UVE
(DE) VERFAHREN ZUR BESTIMMUNG VON EIGENSCHAFTEN EINER EUV-QUELLE
Zusammenfassung:
(EN) The invention relates to a method for determining at least one property of an EUV source (3) in a projection printing facility (1) for semiconductor lithography, according to which the property is determined on the basis of the electromagmetic radiation (14) emitted from the EUV source (3), a thermal load for a component (2) of the projection printing facility (1) being determined and the property being deduced on the basis of the determined thermal load.
(FR) L'invention concerne un procédé de détermination d'au moins une propriété d'une source UVE (3) dans une installation d'éclairage par projection (1) pour la lithographie de semi-conducteurs, la propriété étant déterminée au moyen du rayonnement électromagnétique (14) émis par la source UVE (3). Selon l'invention, une charge thermique est déterminée pour un composant (2) de l'installation d'éclairage par projection (1) et la propriété est déduite d'après la charge thermique déterminée.
(DE) Die Erfindung betrifft ein Verfahren zur Bestimmung mindestens einer Eigenschaft einer EUV-Quelle (3) in einer Projektionsbelichtungsanlage (1) für die Halbleiterlithographie, wobei die Eigenschaft anhand der von der EUV-Quelle (3) ausgehenden elektromagnetischen Strahlung (14) ermittelt wird und wobei eine Thermallast für eine Komponente (2) der Projektionsbelichtungsanlage (1) ermittelt wird und anhand der ermittelten Thermallast auf die Eigenschaft geschlossen wird.
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Designierte Staaten: AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DJ, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IR, IS, JO, JP, KE, KG, KH, KN, KP, KR, KW, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SA, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW
African Regional Intellectual Property Organization (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, ST, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Eurasische Patentorganisation (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
Europäisches Patentamt (EPO) (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
African Intellectual Property Organization (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, KM, ML, MR, NE, SN, TD, TG)
Veröffentlichungssprache: Deutsch (DE)
Anmeldesprache: Deutsch (DE)