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1. (WO2019062198) GATE TUBE DEVICE AND PREPARATION METHOD THEREFOR
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Veröff.-Nr.: WO/2019/062198 Internationale Anmeldenummer PCT/CN2018/090244
Veröffentlichungsdatum: 04.04.2019 Internationales Anmeldedatum: 07.06.2018
IPC:
H01L 45/00 (2006.01)
H Elektrotechnik
01
Grundlegende elektrische Bauteile
L
Halbleiterbauelemente; elektrische Festkörperbauelemente, soweit nicht anderweitig vorgesehen
45
Festkörperbauelemente, besonders ausgebildet zum Gleichrichten, Verstärken, Schalten oder zur Schwingungserzeugung ohne Potenzialsprung-Sperrschicht oder Oberflächensperrschicht, z.B. dielektrische Trioden; Ovshinsky-Effekt-Bauelemente; Verfahren oder Vorrichtungen, besonders ausgebildet für die Herstellung oder Behandlung dieser Bauelemente oder Teilen davon
Anmelder:
华中科技大学 HUAZHONG UNIVERSITY OF SCIENCE AND TECHNOLOGY [CN/CN]; 中国湖北省武汉 洪山珞喻路1037号 No.1037 Luoyu Road, Hongshan Wuhan, Hubei 430074, CN
Erfinder:
缪向水 MIAO, Xiangshui; CN
林琪 LIN, Qi; CN
童浩 TONG, Hao; CN
Vertreter:
华中科技大学专利中心 HUAZHONG UNIVERSITY OF SCIENCE AND TECHNOLOGY PATENT AGENCY CENTER; 中国湖北省武汉市 洪山区珞瑜路1037号华中科技大学东一楼340室 Suite 340, Building East One, Huazhong University Of Science And Technology No.1037, Luoyu Road, Hongshan Wuhan, Hubei 430074, CN
Prioritätsdaten:
201710902924.429.09.2017CN
Titel (EN) GATE TUBE DEVICE AND PREPARATION METHOD THEREFOR
(FR) DISPOSITIF DE TUBE DE GRILLE ET SON PROCÉDÉ DE PRÉPARATION
(ZH) 一种选通管器件及其制备方法
Zusammenfassung:
(EN) A gate tube device and a preparation method therefor, applied to the technical field of gate tube devices. The gate tube device comprises a first metal electrode layer (1, 9), a second metal electrode layer (4, 12), and a switch layer. The switch layer is positioned between the first metal electrode layer (1, 9) and the second metal electrode layer (4, 12). The switch layer is one of an AB asymmetric structure, a BA asymmetric structure, an ABA symmetric structure, and a BAB symmetric structure that are formed by alternately stacking chalcogenide material ion providing layers A and chalcogenide material conversion layers B. The chalcogenide material ion providing layers A are made of a less-metallic chalcogenide metal material, and the atomic ratio of a metal element is greater than 0% and less than or equal to 50%. The chalcogenide material conversion layers B are made of a chalcogenide material. The gate tube device provided by the present invention can provide high ON state current, high switch ratio, and low sub-domain slope, can be prepared at low temperate, and has a simple structure, ease of integration, low costs and the like.
(FR) L'invention concerne un dispositif de tube de grille et un procédé de préparation associé, appartenant au domaine technique des dispositifs de tube de grille. Le dispositif de tube de grille comprend une première couche d'électrode métallique (1, 9), une seconde couche d'électrode métallique (4, 12), et une couche de commutation. La couche de commutation est positionnée entre la première couche d'électrode métallique (1, 9) et la seconde couche d'électrode métallique (4, 12). La couche de commutation est l'une d'une structure asymétrique AB, une structure asymétrique BA, une structure symétrique ABA, et une structure symétrique BAB qui sont formées par empilement alterné de couches de fourniture d'ions de matériau chalcogénure A et de couches de conversion de matériau chalcogénure B. Les couches de fourniture d'ions de matériau chalcogénure A sont constituées d'un matériau métallique de chalcogénure moins métallique, et le rapport atomique d'un élément métallique est supérieur à 0 % et inférieur ou égal à 50 %. Les couches de conversion de matériau chalcogénure B sont constituées d'un matériau chalcogénure. Le dispositif de tube de grille selon la présente invention peut fournir un courant à l’état passant élevé, un rapport de commutation élevé et une faible pente de sous-domaine, peut être préparée à basse température, et a une structure simple, une facilité d'intégration, des coûts faibles et similaires.
(ZH) 一种选通管器件及其制备方法,应用于选通管器件技术领域,所述选通管器件包括:第一金属电极层(1,9)、第二金属电极层(4,12)以及开关层;其中,所述开关层位于所述第一金属电极层(1,9)以及所述第二金属电极层(4,12)之间;所述开关层由硫系材料离子提供层A和硫系材料转换层B交替堆叠形成AB不对称结构、BA不对称结构、ABA对称结构以及BAB对称结构中的一种结构,所述硫系材料离子提供层A为少金属的硫系金属材料,金属元素原子比大于0%且不超过50%,所述硫系材料转换层B为硫系材料。由此提供的选通管器件能够提供高开态电流,高开关比,低亚域斜率,并可以低温制备,且具有结构简单、易集成、成本低等优点。
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Designierte Staaten: AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DJ, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IR, IS, JO, JP, KE, KG, KH, KN, KP, KR, KW, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SA, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW
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African Intellectual Property Organization (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, KM, ML, MR, NE, SN, TD, TG)
Veröffentlichungssprache: Chinesisch (ZH)
Anmeldesprache: Chinesisch (ZH)