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1. (WO2019060999) INITIATING AND MONITORING THE EVOLUTION OF SINGLE ELECTRONS WITHIN ATOM-DEFINED STRUCTURES
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Veröff.-Nr.: WO/2019/060999 Internationale Anmeldenummer PCT/CA2018/051224
Veröffentlichungsdatum: 04.04.2019 Internationales Anmeldedatum: 28.09.2018
IPC:
B82B 3/00 (2006.01) ,G06N 3/08 (2006.01) ,G01Q 60/24 (2010.01) ,G01Q 60/04 (2010.01)
B Arbeitsverfahren; Transportieren
82
Nanotechnik
B
Nanostrukturen, gestaltet durch die Manipulation von einzelnen Atomen, Molekülen, oder einer begrenzten Ansammlung von Atomen oder Molekülen als einzelne Einheiten; Herstellung oder Behandlung von Nanostrukturen
3
Herstellung oder Behandlung von Nanostrukturen durch die Manipulation von einzelnen Atomen oder Molekülen oder einer begrenzten Ansammlung von Atomen oder Molekülen als einzelne Einheiten
G Physik
06
Datenverarbeitung; Rechnen; Zählen
N
Rechnersysteme, basierend auf spezifischen Rechenmodellen
3
Rechnersysteme, basierend auf biologischen Modellen
02
unter Verwendung neuronaler Netzwerkmodelle
08
Lernverfahren
G Physik
01
Messen; Prüfen
Q
Rastersondentechniken oder Vorrichtungen hierfür; Anwendung von Rastersondentechniken, z.B. Rastersondenmikroskopie [Scanning-Probe Microscopy = SPM]
60
Besondere Arten der Rastersondenmikroskopie [SPM] oder Vorrichtungen hierfür; wesentliche Bestandteile hiervon
24
Kraftmikroskopie [Atomic Force Microscopy = AFM] und Vorrichtungen hierfür, z.B. AFM-Sonden
G Physik
01
Messen; Prüfen
Q
Rastersondentechniken oder Vorrichtungen hierfür; Anwendung von Rastersondentechniken, z.B. Rastersondenmikroskopie [Scanning-Probe Microscopy = SPM]
60
Besondere Arten der Rastersondenmikroskopie [SPM] oder Vorrichtungen hierfür; wesentliche Bestandteile hiervon
02
Kombinierte SPM-Methoden, die zwei oder mehr SPM-Techniken umfassen
04
Rastertunnel-Mikroskopie [Scanning Tunnelling Microscopy = STM] in Kombination mit Kraftmikroskopie [Atomic Force Microscopy = AFM]
Anmelder:
QUANTUM SILICON INC. [CA/CA]; 11421 Saskatchewan Drive Edmonton, Alberta T6G 2M9, CA
Erfinder:
WOLKOW, Robert; CA
RASHIDI, Mohammad; CA
VINE, Wyatt; CA
DIENEL, Thomas; CA
LIVADARU, Lucian; CA
HUFF, Taleana; CA
RETALLICK, Jacob; CA
WALUS, Konrad; CA
Vertreter:
RIDOUT & MAYBEE LLP; 5500 North Service Road Suite 101 Burlington, Ontario L7L 6W6, CA
LEACH, Steven; CA
Prioritätsdaten:
62/564,73428.09.2017US
Titel (EN) INITIATING AND MONITORING THE EVOLUTION OF SINGLE ELECTRONS WITHIN ATOM-DEFINED STRUCTURES
(FR) INITIATION ET SURVEILLANCE DE L'ÉVOLUTION D'ÉLECTRONS INDIVIDUELS DANS DES STRUCTURES DÉFINIES PAR UN ATOME
Zusammenfassung:
(EN) A method for the patterning and control of single electrons on a surface is provided that includes implementing scanning tunneling microscopy hydrogen lithography with a scanning probe microscope to form charge structures with one or more confined charges; performing a series of field-free atomic force microscopy measurements on the charge structures with different tip heights, where interaction between the tip and the confined charge are elucidated; and adjusting tip heights to controllably position charges within the structures to write a given charge state. The present disclose also provides a Gibb's distribution machine formed with the method for the patterning and control of single electrons on a surface. A multi bit true random number generator and neural network learning hardware formed with the above described method are also provided.
(FR) L'invention concerne un procédé destiné à la formation de motifs et la commande d'électrons individuels sur une surface, qui comprend la mise en œuvre d'une lithographie à l'hydrogène par microscopie à effet tunnel à balayage utilisant un microscope à sonde à balayage pour former des structures de charge comptant au moins une charge confinée ; la réalisation d'une série de mesures de microscopie à force atomique sans champ sur les structures de charge selon différentes hauteurs de pointe, l'interaction entre la pointe et la charge confinée étant élucidée ; et le réglage de hauteurs de pointe pour positionner de manière réglable des charges à l'intérieur des structures, pour écrire un état de charge donné. La présente invention concerne également une machine de distribution de Gibb, formée selon le procédé de formation de motifs et de commande d'électrons individuels sur une surface. L'invention concerne également un générateur de nombres aléatoires vrais multi-bits et un matériel d'apprentissage de réseau neuronal formé selon le procédé décrit ci-dessus.
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Designierte Staaten: AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DJ, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IR, IS, JO, JP, KE, KG, KH, KN, KP, KR, KW, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SA, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW
African Regional Intellectual Property Organization (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, ST, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Eurasische Patentorganisation (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
Europäisches Patentamt (EPO) (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
African Intellectual Property Organization (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, KM, ML, MR, NE, SN, TD, TG)
Veröffentlichungssprache: Englisch (EN)
Anmeldesprache: Englisch (EN)