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1. (WO2019059247) MANUFACTURING METHOD OF PIEZOELECTRIC VIBRATION ELEMENT AND MANUFACTURING METHOD OF PIEZOELECTRIC VIBRATOR
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Veröff.-Nr.: WO/2019/059247 Internationale Anmeldenummer PCT/JP2018/034711
Veröffentlichungsdatum: 28.03.2019 Internationales Anmeldedatum: 20.09.2018
IPC:
H03H 3/02 (2006.01) ,H03H 3/04 (2006.01) ,H03H 9/19 (2006.01)
H Elektrotechnik
03
Grundlegende elektronische Schaltkreise
H
Scheinwiderstandsnetzwerke, z.B. Resonanzkreise; Resonatoren
3
Apparate oder Verfahren, die vorzugsweise für die Herstellung von Scheinwiderstandsnetzwerken, Resonanzkreisen oder Resonatoren geeignet sind
007
für die Herstellung elektromechanischer Resonatoren oder Netzwerke
02
für die Herstellung piezoelektrischer oder elektrostriktiver Resonatoren oder Netzwerke
H Elektrotechnik
03
Grundlegende elektronische Schaltkreise
H
Scheinwiderstandsnetzwerke, z.B. Resonanzkreise; Resonatoren
3
Apparate oder Verfahren, die vorzugsweise für die Herstellung von Scheinwiderstandsnetzwerken, Resonanzkreisen oder Resonatoren geeignet sind
007
für die Herstellung elektromechanischer Resonatoren oder Netzwerke
02
für die Herstellung piezoelektrischer oder elektrostriktiver Resonatoren oder Netzwerke
04
um einen gewünschten Frequenz- oder Temperaturkoeffizienten zu erhalten
H Elektrotechnik
03
Grundlegende elektronische Schaltkreise
H
Scheinwiderstandsnetzwerke, z.B. Resonanzkreise; Resonatoren
9
Netzwerke mit elektromechanischen oder elektroakustischen Bauelementen; elektromechanische Resonatoren
15
Bauliche Details von Resonatoren aus piezoelektrischem oder elektrostriktivem Werkstoff
17
mit einem einzelnen Resonator
19
aus Quarz
Anmelder:
株式会社村田製作所 MURATA MANUFACTURING CO., LTD. [JP/JP]; 京都府長岡京市東神足1丁目10番1号 10-1, Higashikotari 1-chome, Nagaokakyo-shi, Kyoto 6178555, JP
Erfinder:
山本 裕之 YAMAMOTO, Hiroyuki; JP
Vertreter:
稲葉 良幸 INABA, Yoshiyuki; JP
大貫 敏史 ONUKI, Toshifumi; JP
Prioritätsdaten:
2017-18277322.09.2017JP
Titel (EN) MANUFACTURING METHOD OF PIEZOELECTRIC VIBRATION ELEMENT AND MANUFACTURING METHOD OF PIEZOELECTRIC VIBRATOR
(FR) PROCÉDÉ DE FABRICATION D’ÉLÉMENT DE VIBRATION PIÉZOÉLECTRIQUE ET PROCÉDÉ DE FABRICATION DE VIBRATEUR PIÉZOÉLECTRIQUE
(JA) 圧電振動素子の製造方法及び圧電振動子の製造方法
Zusammenfassung:
(EN) This manufacturing method of a piezoelectric vibration element 10 includes: preparing a piezoelectric substrate 11; providing a first electrode layer 60a on a first main surface 12a of the piezoelectric substrate 11; disposing a mask 70a on the side of the first main surface 12a of the piezoelectric substrate 11; and irradiating a radiation beam 90a through the mask 70a from the side of the first main surface 12a of the piezoelectric substrate 11, wherein a peripheral region 74a of the mask 70a is configured such that the amount of a radiation beam passing therethrough is greater than the amount of a radiation beam passing through a central region 72a, and irradiating the radiation beam 90a from the side of the first main surface 12a includes irradiating the radiation beam 90a to remove a portion of the first electrode layer 60a such that the first excitation electrode 14a having a small thickness from the central region 72a of the mask 70a to the peripheral region 74a is formed on the first main surface 12a of the piezoelectric substrate 11.
(FR) L'invention concerne un procédé de fabrication d'un élément de vibration piézoélectrique (10) comprenant : la préparation d'un substrat piézoélectrique (11) ; l'utilisation d'une première couche d'électrode (60a) sur une première surface principale (12a) du substrat piézoélectrique (11) ; la disposition d'un masque (70a) sur le côté de la première surface principale (12a) du substrat piézoélectrique (11) ; et l'irradiation d'un faisceau de rayonnement (90a) à travers le masque (70a) depuis le côté de la première surface principale (12a) du substrat piézoélectrique (11), une région périphérique (74a) du masque (70a) étant conçue de sorte que la quantité d'un faisceau de rayonnement qui la traverse soit supérieure à la quantité d'un faisceau de rayonnement traversant une région centrale (72a), et l'irradiation du faisceau de rayonnement (90a) depuis le côté de la première surface principale (12a) comprend l'irradiation du faisceau de rayonnement (90a) pour retirer une partie de la première couche d'électrode (60a), de sorte que la première électrode d'excitation (14a) ayant une faible épaisseur, de la région centrale (72a) du masque (70a) à la région périphérique (74a), soit formée sur la première surface principale (12a) du substrat piézoélectrique (11).
(JA) 圧電振動素子10の製造方法は、圧電基板11を準備すること、圧電基板11の第1主面12aに第1電極層60aを設けること、圧電基板11の第1主面12aの側にマスク70aを配置すること、圧電基板11の第1主面12aの側からマスク70aを通して放射ビーム90aを照射することを含み、マスク70aの周辺領域74aは、中央領域72aよりも通過する放射ビーム量が大きくなるように構成され、第1主面12aの側から放射ビーム90aを照射することは、放射ビーム90aを照射して第1電極層60aの一部を除去することによって、圧電基板11の第1主面12aに、マスク70aの中央領域72aから周辺領域74aにかけて厚さが薄い第1励振電極14aを形成することを含む。
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Designierte Staaten: AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DJ, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IR, IS, JO, JP, KE, KG, KH, KN, KP, KR, KW, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SA, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW
Afrikanische regionale Organisation für geistiges Eigentum (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, ST, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Eurasisches Patentamt (EAPO) (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
Europäisches Patentamt (EPA) (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
Afrikanische Organisation für geistiges Eigentum (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, KM, ML, MR, NE, SN, TD, TG)
Veröffentlichungssprache: Japanisch (JA)
Anmeldesprache: Japanisch (JA)