Einige Inhalte dieser Anwendung sind momentan nicht verfügbar.
Wenn diese Situation weiterhin besteht, kontaktieren Sie uns bitte unterFeedback&Kontakt
1. (WO2019057789) LASERDIODE
Aktuellste beim Internationalen Büro vorliegende bibliographische Daten    Einwendung einreichen

Veröff.-Nr.: WO/2019/057789 Internationale Anmeldenummer PCT/EP2018/075384
Veröffentlichungsdatum: 28.03.2019 Internationales Anmeldedatum: 19.09.2018
IPC:
H01S 5/32 (2006.01) ,H01S 5/323 (2006.01)
H Elektrotechnik
01
Grundlegende elektrische Bauteile
S
Vorrichtungen, die stimulierte Emission verwenden
5
Halbleiterlaser
30
Aufbau oder Form des aktiven Gebiets; Materialien für das aktive Gebiet
32
mit PN-Übergängen, z.B. Hetero- oder Doppelheterostrukturen
H Elektrotechnik
01
Grundlegende elektrische Bauteile
S
Vorrichtungen, die stimulierte Emission verwenden
5
Halbleiterlaser
30
Aufbau oder Form des aktiven Gebiets; Materialien für das aktive Gebiet
32
mit PN-Übergängen, z.B. Hetero- oder Doppelheterostrukturen
323
in AIIIBV-Verbindungen, z.B. AlGaAs-Laser
Anmelder:
OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH [DE/DE]; Leibnizstr. 4 93055 Regensburg, DE
Erfinder:
EICHLER, Christoph; DE
PETER, Matthias; DE
WAGNER, Jan; DE
Vertreter:
EPPING HERMANN FISCHER PATENTANWALTSGESELLSCHAFT MBH; Schloßschmidstr. 5 80639 München, DE
Prioritätsdaten:
10 2017 122 032.122.09.2017DE
Titel (EN) LASER DIODE
(FR) DIODE LASER
(DE) LASERDIODE
Zusammenfassung:
(EN) A laser diode (10) is described, having a semiconductor layer sequence (12) based on a nitride compound semiconductor material, comprising an n-type cladding layer (2), a first waveguide layer (3A), a second waveguide layer (3B), and an active layer (4) arranged between the first waveguide layer (3A) and the second waveguide layer (3B) and serving for generating laser radiation, and a p-type cladding layer (6), wherein the p-type cladding layer (6) has a first partial layer (6A) facing the active layer (4) and a second partial layer (6B) facing away from the active layer. The first partial layer (6A) comprises AlxiGai-xiN where 0 ≤ x1 ≤ 1 or Alx1Iny1Ga1-x1_y1N where 0 ≤ x1 ≤ 1, 0 ≤ yl < 1 and xl + yl ≤ 1, wherein the aluminum content x1 decreases in a direction pointing away from the active layer (4), such that the aluminum content has a maximum value x1max at a side facing the active layer (4) and a minimum value x1min < x1max at a side facing away from the active layer (4). The second partial layer (6B) comprises A1x2Ga1_X2N where 0 ≤-S x2 ≤ x1min or Alx2Iny2Ga1 -x2_y2N where 0 < x2 < x1min, 0 ≤ y2 < 1 and x2 + y2 < 1.
(FR) L'invention concerne une diode laser (10), comprenant une succession de couches semi-conductrices (12) à base d'un matériau semi-conducteur à liaison nitrure. La diode laser comprend une couche enveloppante de type n (2), une première couche de guide d'ondes (3A), une deuxième couche de guide d'ondes (3B) et une couche active (4) disposée entre la première couche de guide d'ondes (3A) et la deuxième couche de guide d'ondes (3B), servant à générer un rayonnement laser, et une couche enveloppante de type p (6). La couche enveloppante de type p (6) comporte une première couche partielle (6A) tournée vers la couche active (4) et une deuxième couche partielle (6B) opposée à la couche active. La première couche partielle (6A) comporte du Alx1Ga1-x1N avec 0 ≤ x1 ≤ 1 ou du Alx1Iny1Ga1-x1_y1N avec 0 ≤ x1 ≤ 1, 0 ≤ yl < 1 et xl + yl ≤ 1. La teneur en aluminium x1 diminue dans une direction pointant à l'opposé de la couche active (4) de sorte que la teneur en aluminium présente au niveau d'un côté tourné vers la couche active (4) une valeur maximale x1max et au niveau d'un côté (4) opposé à la couche active une valeur minimale x1min < x1max. La deuxième couche partielle (6B) comporte du A1x2Ga1_X2N avec 0 ≤-S x2 ≤ x1min ou du Alx2Iny2Ga1 -x2_y2N avec 0 < x2 < x1min, 0 ≤ y2 < 1 et x2 + y2 < 1.
(DE) Es wird eine Laserdiode (10) beschrieben, mit einer Halbleiterschichtenfolge (12), die auf einem Nitridverbindungshalbleitermaterial basiert, umfassend eine n-Typ Mantelschicht (2), eine erste Wellenleiterschicht (3A), eine zweite Wellenleiterschicht (3B) und eine zwischen der ersten Wellenleiterschicht (3A) und der zweiten Wellenleiterschicht (3B) angeordnete aktive Schicht (4) zur Erzeugung von Laserstrahlung und eine p-Typ Mantelschicht (6), wobei die p-Typ Mantelschicht (6) eine der aktiven Schicht (4) zugewandte erste Teilschicht (6A) und eine von der aktiven Schicht abgewandte zweite Teilschicht (6B) aufweist. Die erste Teilschicht (6A) weist AlxiGai-xiN mit 0 ≤ x1 ≤ 1 oder Alx1Iny1Ga1-x1_y1N mit 0 ≤ x1 ≤ 1, 0 ≤ yl < 1 und xl + yl ≤ 1 auf, wobei der Aluminiumgehalt x1 in einer von der aktiven Schicht (4) weg zeigenden Richtung abnimmt, so dass der Aluminiumgehalt an einer der aktiven Schicht (4) zugewandten Seite einen Maximalwert x1max und an einer der aktiven Schicht abgewandten Seite (4) einen Minimalwert x1min < x1max aufweist. Die zweite Teilschicht (6B) weist A1x2Ga1_X2N mit 0 ≤-S x2 ≤ x1min oder Alx2Iny2Ga1-x2_y2N mit 0 < x2 < x1min, 0 ≤ y2 < 1 und x2 + y2 < 1 auf.
front page image
Designierte Staaten: AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DJ, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IR, IS, JO, JP, KE, KG, KH, KN, KP, KR, KW, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SA, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW
African Regional Intellectual Property Organization (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, ST, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Eurasische Patentorganisation (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
Europäisches Patentamt (EPO) (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
African Intellectual Property Organization (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, KM, ML, MR, NE, SN, TD, TG)
Veröffentlichungssprache: Deutsch (DE)
Anmeldesprache: Deutsch (DE)