Einige Inhalte dieser Anwendung sind momentan nicht verfügbar.
Wenn diese Situation weiterhin besteht, kontaktieren Sie uns bitte unterFeedback&Kontakt
1. (WO2019057426) BREITBANDIGE HALBLEITERBASIERTE UV-LICHTQUELLE FÜR EINE SPEKTRALANALYSEVORRICHTUNG
Aktuellste beim Internationalen Büro vorliegende bibliographische Daten    Einwendung einreichen

Veröff.-Nr.: WO/2019/057426 Internationale Anmeldenummer PCT/EP2018/072602
Veröffentlichungsdatum: 28.03.2019 Internationales Anmeldedatum: 22.08.2018
IPC:
G01J 3/02 (2006.01) ,G01J 3/10 (2006.01) ,H01L 33/50 (2010.01) ,H05B 33/14 (2006.01) ,G01J 1/58 (2006.01) ,C09K 11/00 (2006.01)
G Physik
01
Messen; Prüfen
J
Messen der Intensität, der Geschwindigkeit, der spektralen Zusammensetzung, der Polarisation, der Phase oder der Pulscharakteristik von infrarotem, sichtbarem oder ultraviolettem Licht; Farbmessung; Strahlungspyrometrie
3
Spektrometrie; Spektrofotometrie; Monochromatoren; Farbmessung
02
Einzelheiten
G Physik
01
Messen; Prüfen
J
Messen der Intensität, der Geschwindigkeit, der spektralen Zusammensetzung, der Polarisation, der Phase oder der Pulscharakteristik von infrarotem, sichtbarem oder ultraviolettem Licht; Farbmessung; Strahlungspyrometrie
3
Spektrometrie; Spektrofotometrie; Monochromatoren; Farbmessung
02
Einzelheiten
10
Anordnungen von Lichtquellen besonders für Spektrometrie oder Farbmessung
H Elektrotechnik
01
Grundlegende elektrische Bauteile
L
Halbleiterbauelemente; elektrische Festkörperbauelemente, soweit nicht anderweitig vorgesehen
33
Halbleiterbauelemente mit wenigstens einer Potenzialsprung-Sperrschicht oder Oberflächensperrschicht, besonders ausgebildet zur Lichtemission; Verfahren oder Vorrichtungen, besonders ausgebildet für die Herstellung oder Behandlung dieser Bauelemente oder Teilen davon; Einzelheiten dieser Bauelemente
48
charakterisiert durch das Gehäuse
50
Bestandteile zur Wellenlängenkonversion
H Elektrotechnik
05
Elektrotechnik, soweit nicht anderweitig vorgesehen
B
Elektrische Heizung; elektrische Beleuchtung, soweit nicht anderweitig vorgesehen
33
Elektrolumineszierende Lichtquellen
12
Lichtquellen mit im wesentlichen zweidimensional ausstrahlenden Flächen
14
gekennzeichnet durch die chemische oder physikalische Zusammensetzung oder durch die Anordnung des elektrolumineszierenden Werkstoffes
G Physik
01
Messen; Prüfen
J
Messen der Intensität, der Geschwindigkeit, der spektralen Zusammensetzung, der Polarisation, der Phase oder der Pulscharakteristik von infrarotem, sichtbarem oder ultraviolettem Licht; Farbmessung; Strahlungspyrometrie
1
Fotometrie, z.B. fotografische Belichtungsmessgeräte
58
durch Verwendung von mit Licht erzeugter Lumineszenz
C Chemie; Hüttenwesen
09
Farbstoffe; Anstrichstoffe; Polituren; Naturharze; Klebstoffe; Zusammensetzungen, soweit nicht anderweitig vorgesehen; Anwendungen von Stoffen, soweit nicht anderweitig vorgesehen
K
Materialien für Anwendungen, soweit nicht anderweitig vorgesehen; Verwendung von Materialien, soweit nicht anderweitig vorgesehen
11
Lumineszierende, z.B. elektrolumineszierende, chemilumineszierende Materialien
Anmelder:
HERAEUS NOBLELIGHT GMBH [DE/DE]; Heraeusstrasse 12-14 63450 Hanau, DE
Erfinder:
SÖLLER, Christooph; DE
JENEK, Torsten; DE
Vertreter:
HERAEUS IP; Heraeus Holding GmbH Heraeusstr. 12 - 14 63450 Hanau, DE
Prioritätsdaten:
10 2017 121 889.021.09.2017DE
Titel (EN) BROADBAND SEMICONDUCTOR-BASED UV LIGHT SOURCE FOR A SPECTRAL ANALYSIS DEVICE
(FR) SOURCE LUMINEUSE UV LARGE BANDE À SEMI-CONDUCTEUR POUR DISPOSITIF D’ANALYSE SPECTRALE
(DE) BREITBANDIGE HALBLEITERBASIERTE UV-LICHTQUELLE FÜR EINE SPEKTRALANALYSEVORRICHTUNG
Zusammenfassung:
(EN) A known semiconductor-based UV light source for a spectral analysis device comprises a housing in which at least one semiconductor-based emitter for emitting UV light is received and in which a beam path is formed between the semiconductor-based emitter and a beam outlet point for a working beam. Based thereon, the aim of the invention is to provide a light source which comprises a semiconductor-based emitter and the emission of which is capable of covering at least a majority of the UV spectrum of 200 to 400 nm. This is achieved in that the semiconductor-based emitter is designed to output UV excitation light with an average wavelength ranging from 150 to 270 nm, and a fluorescent material is provided in the beam path, said fluorescent material partially absorbing the UV excitation light and emitting a fluorescent material radiation such that the UV excitation light and the fluorescent material radiation are superimposed in order to form a working beam which has a spectral bandwidth of at least 50 nm in a wavelength range of 200 to 400 nm.
(FR) Une source lumineuse UV à semi-conducteur connue, destinée à un dispositif d’analyse spectrale comprend un boîtier dans lequel est logé au moins un émetteur à semi-conducteur émettant une lumière UV et dans lequel est ménagé un trajet optique entre l’émetteur à semi-conducteur et un point d’entrée de faisceau pour un faisceau de travail. L’invention vise à proposer sur cette base une source lumineuse comportant un émetteur à semi-conducteur dont l’émission permet de couvrir au moins une grande partie du spectre UV allant de 200 à 400 nm. À cet effet, l’émetteur à semi-conducteur est conçu pour émettre de la lumière d’excitation UV présentant une longueur d’onde moyenne de l’ordre de 150 à 270 nm, et sur le trajet optique se trouve une substance luminescente qui absorbe partiellement la lumière d'excitation UV et émet un rayonnement de substance luminescente de telle manière que la lumière d’excitation UV et le rayonnement de substance luminescente sont superposés pour former un faisceau de travail qui présente dans une plage de longueur d’onde de 200 nm à 400 nm une largeur de bande spectrale d’au moins 50 nm.
(DE) Eine bekannte halbleiterbasierte UV-Lichtquelle für eine Spektralanalysevorrichtung umfasst ein Gehäuse, in dem mindestens einhalbleiterbasierter Emitter zur Abgabe von UV-Licht aufgenommen ist, und in dem ein Strahlengang zwischen dem halbleiterbasierten Emitter und einer Strahlaustrittsstelle für einen Arbeitsstrahl ausgebildet ist. Um hiervon ausgehend eine Lichtquelle mit einem halbleiterbasierten Emitter bereitzustellen, welche in der Lage ist, mit ihrer Emission mindestens einen Großteil des UV-Spektrums von 200 bis 400nm abzudecken, wird vorgeschlagen, dass der halbleiterbasierte Emitter zur Abgabe von UV-Anregungslicht mit einer mittleren Wellenlänge im Bereich von 150 bis 270 nm ausgelegt ist, dass im Strahlengang ein Leuchtstoff vorhanden ist, der das UV-Anregungslicht teilweise absorbiert und dabei eine Leuchtstoffstrahlung emittiert, derart dass UV-Anregungslicht und Leuchtstoffstrahlung zu einem Arbeitsstrahl überlagert sind, der im Wellenlängenbereich von 200 bis 400 nm eine spektrale Bandbreite von mindestens 50nm aufweist.
front page image
Designierte Staaten: AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DJ, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IR, IS, JO, JP, KE, KG, KH, KN, KP, KR, KW, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SA, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW
African Regional Intellectual Property Organization (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, ST, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Eurasische Patentorganisation (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
Europäisches Patentamt (EPO) (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
African Intellectual Property Organization (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, KM, ML, MR, NE, SN, TD, TG)
Veröffentlichungssprache: Deutsch (DE)
Anmeldesprache: Deutsch (DE)