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1. (WO2019053053) LICHTEMITTIERENDES HALBLEITERBAUTEIL
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Veröff.-Nr.: WO/2019/053053 Internationale Anmeldenummer PCT/EP2018/074586
Veröffentlichungsdatum: 21.03.2019 Internationales Anmeldedatum: 12.09.2018
IPC:
H01S 5/024 (2006.01) ,H01S 5/00 (2006.01) ,H01S 5/40 (2006.01)
H Elektrotechnik
01
Grundlegende elektrische Bauteile
S
Vorrichtungen, die stimulierte Emission verwenden
5
Halbleiterlaser
02
Bauliche Einzelheiten oder Bauteile, die nicht für die Laseraktion maßgeblich sind
024
Kühlanordnungen
H Elektrotechnik
01
Grundlegende elektrische Bauteile
S
Vorrichtungen, die stimulierte Emission verwenden
5
Halbleiterlaser
H Elektrotechnik
01
Grundlegende elektrische Bauteile
S
Vorrichtungen, die stimulierte Emission verwenden
5
Halbleiterlaser
40
Anordnungen von zwei oder mehr Halbleiterlasern, soweit nicht von Gruppen H01S5/02-H01S5/30125
Anmelder:
OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH [DE/DE]; Leibnizstr. 4 93055 Regensburg, DE
Erfinder:
LELL, Alfred; DE
ALI, Muhammad; DE
STOJETZ, Bernhard; DE
KÖNIG, Harald; DE
Vertreter:
EPPING HERMANN FISCHER PATENTANWALTSGESELLSCHAFT MBH; Schloßschmidstr. 5 80639 München, DE
Prioritätsdaten:
10 2017 121 480.115.09.2017DE
Titel (DE) LICHTEMITTIERENDES HALBLEITERBAUTEIL
(EN) LIGHT-EMITTING SEMICONDUCTOR COMPONENT
(FR) COMPOSANT SEMI-CONDUCTEUR LUMINESCENT
Zusammenfassung:
(DE) Lichtemittierendes Halbleiterbauteil (99) mit einem Laserbarren (100), welcher zumindest zwei Einzelemitter (2) umfasst, und einem Konversionselement (300), welches dem Laserbarren (100) im Strahlengang nachgeordnet ist, bei dem zumindest manche der Einzelemitter (2) in einer lateralen Querrichtung (X) nebeneinander angeordnet sind, der Laserbarren (100) mit einem Nitrid-Verbindungshalbleitermaterialgebildet ist, die Einzelemitter (2) dazu eingerichtet sind im bestimmungsgemäßen Betrieb Primärstrahlung (L1) zu emittieren und das Konversionselement (300) dazu eingerichtet ist zumindest einen Teil der Primärstrahlung (L1) in Sekundärstrahlung (L2) umzuwandeln, wobei die Sekundärstrahlung (L2) eine längere Wellenlänge aufweist als die Primärstrahlung (L1).
(EN) The invention relates to a light-emitting semiconductor component (99), comprising a laser bar (100), which comprises at least two individual emitters (2), and a conversion element (300), which is arranged after the laser bar (100) in the beam path, wherein at least some of the individual emitters (2) are arranged adjacent to each other in a lateral perpendicular direction (X), the laser bar (100) is formed with a nitride compound semiconductor material, the individual emitters (2) are designed to emit primary radiation (L1) during normal operation, and the conversion element (300) is designed to convert at least some of the primary radiation (L1) into secondary radiation (L2), the secondary radiation (L2) having a longer wavelength than the primary radiation (L1).
(FR) L'invention concerne un composant semi-conducteur luminescent (99) comprenant une barre laser (100) qui comporte au moins deux émetteurs individuels (2), et un élément de conversion (300) qui est monté en aval de la barre laser (100) dans le trajet optique, au moins certains des émetteurs individuels (2) étant disposés l'un à côté de l'autre dans une direction transversale latérale (X), la barre laser (100) étant constituée d'un matériau semi-conducteur à base d’un composé nitrure, les émetteurs individuels (2) étant conçus pour émettre un rayonnement primaire (L1) en fonctionnement conforme et l'élément de conversion (300) étant conçu pour convertir au moins une partie du rayonnement primaire (L1) en un rayonnement secondaire (L2), le rayonnement secondaire (L2) présentant une longueur d'onde supérieure à celle du rayonnement primaire (L1).
front page image
Designierte Staaten: AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DJ, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IR, IS, JO, JP, KE, KG, KH, KN, KP, KR, KW, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SA, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW
Afrikanische regionale Organisation für geistiges Eigentum (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, ST, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Eurasisches Patentamt (EAPO) (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
Europäisches Patentamt (EPA) (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
Afrikanische Organisation für geistiges Eigentum (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, KM, ML, MR, NE, SN, TD, TG)
Veröffentlichungssprache: Deutsch (DE)
Anmeldesprache: Deutsch (DE)