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1. (WO2019050848) BI-STABLE STATIC RANDOM ACCESS MEMORY (SRAM) BIT CELLS FORMED FROM III-V COMPOUNDS AND CONFIGURED TO ACHIEVE HIGHER OPERATING SPEEDS
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Veröff.-Nr.: WO/2019/050848 Internationale Anmeldenummer PCT/US2018/049371
Veröffentlichungsdatum: 14.03.2019 Internationales Anmeldedatum: 04.09.2018
IPC:
H01L 27/108 (2006.01) ,H01L 27/102 (2006.01) ,G11C 11/411 (2006.01) ,H01L 27/11 (2006.01) ,H01L 29/78 (2006.01)
H Elektrotechnik
01
Grundlegende elektrische Bauteile
L
Halbleiterbauelemente; elektrische Festkörperbauelemente, soweit nicht anderweitig vorgesehen
27
Bauelemente, die aus einer Mehrzahl von in oder auf einem gemeinsamen Substrat ausgebildeten Halbleiter- oder anderen Festkörperschaltungselementen bestehen [integrierte Schaltungen]
02
mit Halbleiterschaltungselementen, besonders ausgebildet zum Gleichrichten, Verstärken, Schalten oder zur Schwingungserzeugung mit wenigstens einer Potenzialsprung-Sperrschicht oder Oberflächensperrschicht; mit integrierten passiven Schaltungselementen mit wenigstens einer Potenzialsprung-Sperrschicht oder Oberflächensperrschicht
04
wobei das Substrat aus einem Halbleiterkörper besteht
10
mit einer Mehrzahl einzelner Schaltungselemente in sich wiederholender Konfiguration
105
mit Feldeffekt- Schaltungselementen
108
Strukturen für dynamische RAM-Speicher
H Elektrotechnik
01
Grundlegende elektrische Bauteile
L
Halbleiterbauelemente; elektrische Festkörperbauelemente, soweit nicht anderweitig vorgesehen
27
Bauelemente, die aus einer Mehrzahl von in oder auf einem gemeinsamen Substrat ausgebildeten Halbleiter- oder anderen Festkörperschaltungselementen bestehen [integrierte Schaltungen]
02
mit Halbleiterschaltungselementen, besonders ausgebildet zum Gleichrichten, Verstärken, Schalten oder zur Schwingungserzeugung mit wenigstens einer Potenzialsprung-Sperrschicht oder Oberflächensperrschicht; mit integrierten passiven Schaltungselementen mit wenigstens einer Potenzialsprung-Sperrschicht oder Oberflächensperrschicht
04
wobei das Substrat aus einem Halbleiterkörper besteht
10
mit einer Mehrzahl einzelner Schaltungselemente in sich wiederholender Konfiguration
102
mit bipolaren Schaltungselementen
G Physik
11
Informationsspeicherung
C
Statische Speicher
11
Digitale Speicher, gekennzeichnet durch die Verwendung besonderer elektrischer oder magnetischer Speicherelemente; Speicherelemente hierfür
21
mit elektrischen Elementen
34
mit Halbleitern
40
mit Transistoren
41
bestehend aus Zellen mit positiver Rückkopplung, d.h. Zellen, die keine Auffrischung oder Ladungsregeneration benötigen, z.B. bistabiler Multivibrator oder Schmitt-Trigger
411
nur mit Bipolartransistoren
H Elektrotechnik
01
Grundlegende elektrische Bauteile
L
Halbleiterbauelemente; elektrische Festkörperbauelemente, soweit nicht anderweitig vorgesehen
27
Bauelemente, die aus einer Mehrzahl von in oder auf einem gemeinsamen Substrat ausgebildeten Halbleiter- oder anderen Festkörperschaltungselementen bestehen [integrierte Schaltungen]
02
mit Halbleiterschaltungselementen, besonders ausgebildet zum Gleichrichten, Verstärken, Schalten oder zur Schwingungserzeugung mit wenigstens einer Potenzialsprung-Sperrschicht oder Oberflächensperrschicht; mit integrierten passiven Schaltungselementen mit wenigstens einer Potenzialsprung-Sperrschicht oder Oberflächensperrschicht
04
wobei das Substrat aus einem Halbleiterkörper besteht
10
mit einer Mehrzahl einzelner Schaltungselemente in sich wiederholender Konfiguration
105
mit Feldeffekt- Schaltungselementen
11
Strukturen für statische RAM-Speicher
H Elektrotechnik
01
Grundlegende elektrische Bauteile
L
Halbleiterbauelemente; elektrische Festkörperbauelemente, soweit nicht anderweitig vorgesehen
29
Halbleiterbauelemente, besonders ausgebildet zum Gleichrichten, Verstärken, Schalten oder zur Schwingungserzeugung mit wenigstens einer Potenzialsprung-Sperrschicht oder Oberflächensperrschicht; Kondensatoren oder Widerstände mit wenigstens einer Potenzialsprung-Sperrschicht oder Oberflächensperrschicht, z.B. PN-Übergang mit Verarmungs- oder Anreicherungsschicht; Einzelheiten von Halbleiterkörpern oder von Elektroden auf diesen Halbleiterkörpern
66
Typen von Halbleiterbauelementen
68
steuerbar allein durch den einer Elektrode, die nicht den gleichzurichtenden, zu verstärkenden oder zu schaltenden Strom führt, zugeführten elektrischen Strom oder durch das an eine solche Elektrode angelegte elektrische Potenzial
76
Unipolar-Bauelemente
772
Feldeffekt-Transistoren
78
mit Feldeffekt, der durch ein isoliertes Gate hervorgerufen ist
Anmelder:
QUALCOMM INCORPORATED [US/US]; ATTN: International IP Administration 5775 Morehouse Drive San Diego, California 92121-1714, US
Erfinder:
TAO, Gengming; US
LI, Xia; US
YANG, Bin; US
Vertreter:
TERRANOVA, Steven, N.; US
Prioritätsdaten:
15/696,63006.09.2017US
Titel (EN) BI-STABLE STATIC RANDOM ACCESS MEMORY (SRAM) BIT CELLS FORMED FROM III-V COMPOUNDS AND CONFIGURED TO ACHIEVE HIGHER OPERATING SPEEDS
(FR) CELLULES BINAIRES DE MÉMOIRE VIVE STATIQUE (SRAM) BISTABLES FORMÉES À PARTIR DE COMPOSÉS III-V ET CONFIGURÉES POUR OBTENIR DES VITESSES DE FONCTIONNEMENT PLUS ÉLEVÉES
Zusammenfassung:
(EN) Bi-stable static random access memory (SRAM) bit cells formed from III- V compounds and configured to achieve higher operating speeds are disclosed. In one aspect, a bi-stable SRAM bit cell includes substrate (202), a first well layer (204) formed over substrate from a III- V compound doped with a first type material, and a second well layer (206) formed over the first well layer (204) from a lll-V compound doped with a second type material. A channel layer (208) is formed over the second well layer (206) from a lll-V compound doped with the first type material. Source and drain regions (210, 214) are formed over the channel layer (208) from a lll-V compound doped with the first type material, and a gate region (224) is formed over the channel layer (208). Bipolar junction transistors (BJTs, 228(1) and 228(2)) are formed such that a data value can be stored in second well layer (206). A collector tap electrode (CL) is configured to provide access to collector of each BJT for reading or writing data.
(FR) La présente invention concerne des cellules binaires de mémoire vive statique (SRAM) bistables formées à partir de composés III-V et configurées pour obtenir des vitesses de fonctionnement plus élevées. Selon un aspect, une cellule binaire SRAM bistable comprend un substrat (202), une première couche de puits (204) formée sur un substrat à partir d'un composé III-V dopé avec matériau de premier type, et une seconde couche de puits (206) formée sur la première couche de puits (204) à partir d'un composé III-V dopé avec un matériau de second type. Une couche de canal (208) est formée sur la seconde couche de puits (206) à partir d'un composé III-V dopé avec le matériau de premier type. Des régions de source et de drain (210, 214) sont formées sur la couche de canal (208) à partir d'un composé III-V dopé avec le matériau de premier type, et une région de grille (224) est formée sur la couche de canal (208). Des transistors à jonction bipolaire (BJT, 228 (1) et 228 (2)) sont formés de telle sorte qu'une valeur de données peut être stockée dans la seconde couche de puits (206). Une électrode de prise de collecteur (CL) est configurée pour fournir un accès au collecteur de chaque BJT afin de lire ou écrire des données.
front page image
Designierte Staaten: AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DJ, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IR, IS, JO, JP, KE, KG, KH, KN, KP, KR, KW, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SA, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW
African Regional Intellectual Property Organization (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, ST, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Eurasische Patentorganisation (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
Europäisches Patentamt (EPO) (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
African Intellectual Property Organization (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, KM, ML, MR, NE, SN, TD, TG)
Veröffentlichungssprache: Englisch (EN)
Anmeldesprache: Englisch (EN)