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1. (WO2019050625) CIRCUITRY FOR WRITING TO AND READING FROM AN ARRAY OF RESISTIVE RANDOM ACCESS MEMORY CELLS
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Veröff.-Nr.: WO/2019/050625 Internationale Anmeldenummer PCT/US2018/042342
Veröffentlichungsdatum: 14.03.2019 Internationales Anmeldedatum: 16.07.2018
IPC:
G11C 13/02 (2006.01) ,G11C 5/02 (2006.01) ,G11C 5/04 (2006.01)
G Physik
11
Informationsspeicherung
C
Statische Speicher
13
Digitale Speicher, gekennzeichnet durch die Verwendung von Speicherelementen, soweit sie nicht von den Gruppen G11C11/ , G11C23/ oder G11C25/215
02
mit Elementen, deren Wirkungsweise auf chemischen Änderungen beruht
G Physik
11
Informationsspeicherung
C
Statische Speicher
5
Einzelheiten von Speichern, soweit sie von G11C11/70
02
Räumliche Anordnungen von Speicherelementen, z.B. in der Form einer Matrix
G Physik
11
Informationsspeicherung
C
Statische Speicher
5
Einzelheiten von Speichern, soweit sie von G11C11/70
02
Räumliche Anordnungen von Speicherelementen, z.B. in der Form einer Matrix
04
Halterungen für Speicherelemente; Anbringen oder Befestigen von Speicherelementen an diesen Halterungen
Anmelder:
SILICON STORAGE TECHNOLOGY, INC. [US/US]; 450 Holger Way San Jose, CA 95134, US
Erfinder:
TRAN, Hieu, Van; US
LY, Anh; US
VU, Thuan; US
HONG, Stanley; US
ZHOU, Feng; US
LIU, Xian; US
DO, Nhan; US
Vertreter:
YAMASHITA, Brent; US
Prioritätsdaten:
15/701,07111.09.2017US
Titel (EN) CIRCUITRY FOR WRITING TO AND READING FROM AN ARRAY OF RESISTIVE RANDOM ACCESS MEMORY CELLS
(FR) CIRCUIT D'ÉCRITURE SUR ET DE LECTURE À PARTIR D'UN RÉSEAU DE CELLULES DE MÉMOIRE RÉSISTIVE À ACCÈS ALÉATOIRE
Zusammenfassung:
(EN) Numerous embodiments of circuitry for writing to and reading from resistive random access memory cells are disclosed. Various architectures and layouts for an array of resistive access memory cells also are disclosed.
(FR) Selon de nombreux modes de réalisation, l'invention concerne des circuits d'écriture sur et de lecture à partir de cellules de mémoire résistive à accès aléatoire. L'invention concerne également diverses architectures et agencements pour un réseau de cellules de mémoire à accès résistif.
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Designierte Staaten: AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DJ, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IR, IS, JO, JP, KE, KG, KH, KN, KP, KR, KW, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SA, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW
African Regional Intellectual Property Organization (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, ST, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Eurasische Patentorganisation (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
Europäisches Patentamt (EPO) (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
African Intellectual Property Organization (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, KM, ML, MR, NE, SN, TD, TG)
Veröffentlichungssprache: Englisch (EN)
Anmeldesprache: Englisch (EN)