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1. (WO2019049980) RECONFIGURATION CIRCUIT
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Veröff.-Nr.: WO/2019/049980 Internationale Anmeldenummer PCT/JP2018/033178
Veröffentlichungsdatum: 14.03.2019 Internationales Anmeldedatum: 07.09.2018
IPC:
H03K 19/177 (2006.01) ,G06F 11/16 (2006.01) ,G11C 29/00 (2006.01) ,H01L 21/8239 (2006.01) ,H01L 27/105 (2006.01) ,H01L 45/00 (2006.01) ,H01L 49/00 (2006.01)
H Elektrotechnik
03
Grundlegende elektronische Schaltkreise
K
Impulstechnik
19
Verknüpfungsschaltungen, d.h. Schaltungen, bei denen wenigstens zwei Eingangssignale zu einem Ausgangssignal verknüpft werden; Inverterschaltungen
02
gekennzeichnet durch die verwendeten Bauelemente
173
mit logischen Grundschaltungen als Bauelemente
177
in Matrizenform angeordnet
G Physik
06
Datenverarbeitung; Rechnen; Zählen
F
Elektrische digitale Datenverarbeitung
11
Fehlererkennung; Fehlerkorrektur; Überwachung
07
Reaktion auf das Auftreten eines Fehlers, z.B. Fehlertoleranz
16
Fehlererkennung oder Fehlerkorrektur bei Daten durch Redundanz der Bauelemente
G Physik
11
Informationsspeicherung
C
Statische Speicher
29
Prüfen von Speichern auf richtige Arbeitsweise; Testen von Speichern während des Standby- oder Offline-Betriebs
H Elektrotechnik
01
Grundlegende elektrische Bauteile
L
Halbleiterbauelemente; elektrische Festkörperbauelemente, soweit nicht anderweitig vorgesehen
21
Verfahren oder Geräte, besonders ausgebildet für die Herstellung oder Behandlung von Halbleiter- oder Festkörperbauelementen oder Teilen davon
70
Herstellung oder Behandlung von Bauelementanordnungen bestehend aus einer Vielzahl von einzelnen Schaltungselementen oder integrierten Schaltungen, die in oder auf einem gemeinsamen Substrat ausgebildet sind, oder von bestimmten Teilen hiervon; Herstellung von integrierten Schaltungsanordnungen oder von bestimmten Teilen hiervon
77
Herstellung oder Behandlung von Bauelementanordnungen bestehend aus einer Vielzahl von einzelnen Schaltungselementen oder integrierten Schaltungen, die in oder auf einem gemeinsamen Substrat ausgebildet sind
78
mit nachfolgender Unterteilung des Substrats in eine Vielzahl einzelner Bauelemente
82
zur Herstellung von Bauelementen, die jeweils aus einer Vielzahl von Schaltungselementen bestehen, z.B. integrierte Schaltungen
822
wobei das Substrat ein Halbleiter ist und Silicium-Technologie verwendet wird
8232
Feldeffekt-Technologie
8234
MIS-Technologie
8239
Speicher-Strukturen
H Elektrotechnik
01
Grundlegende elektrische Bauteile
L
Halbleiterbauelemente; elektrische Festkörperbauelemente, soweit nicht anderweitig vorgesehen
27
Bauelemente, die aus einer Mehrzahl von in oder auf einem gemeinsamen Substrat ausgebildeten Halbleiter- oder anderen Festkörperschaltungselementen bestehen [integrierte Schaltungen]
02
mit Halbleiterschaltungselementen, besonders ausgebildet zum Gleichrichten, Verstärken, Schalten oder zur Schwingungserzeugung mit wenigstens einer Potenzialsprung-Sperrschicht oder Oberflächensperrschicht; mit integrierten passiven Schaltungselementen mit wenigstens einer Potenzialsprung-Sperrschicht oder Oberflächensperrschicht
04
wobei das Substrat aus einem Halbleiterkörper besteht
10
mit einer Mehrzahl einzelner Schaltungselemente in sich wiederholender Konfiguration
105
mit Feldeffekt- Schaltungselementen
H Elektrotechnik
01
Grundlegende elektrische Bauteile
L
Halbleiterbauelemente; elektrische Festkörperbauelemente, soweit nicht anderweitig vorgesehen
45
Festkörperbauelemente, besonders ausgebildet zum Gleichrichten, Verstärken, Schalten oder zur Schwingungserzeugung ohne Potenzialsprung-Sperrschicht oder Oberflächensperrschicht, z.B. dielektrische Trioden; Ovshinsky-Effekt-Bauelemente; Verfahren oder Vorrichtungen, besonders ausgebildet für die Herstellung oder Behandlung dieser Bauelemente oder Teilen davon
H Elektrotechnik
01
Grundlegende elektrische Bauteile
L
Halbleiterbauelemente; elektrische Festkörperbauelemente, soweit nicht anderweitig vorgesehen
49
Festkörperbauelemente, soweit nicht in H01L27/-H01L47/90; Verfahren und Vorrichtungen, besonders ausgebildet für die Herstellung oder Behandlung dieser Bauelemente oder Teilen davon
Anmelder:
日本電気株式会社 NEC CORPORATION [JP/JP]; 東京都港区芝五丁目7番1号 7-1, Shiba 5-chome, Minato-ku, Tokyo 1088001, JP
Erfinder:
辻 幸秀 TSUJI Yukihide; JP
阪本 利司 SAKAMOTO Toshitsugu; JP
宮村 信 MIYAMURA Makoto; JP
根橋 竜介 NEBASHI Ryusuke; JP
多田 あゆ香 TADA Ayuka; JP
白 旭 BAI Xu; JP
Vertreter:
下坂 直樹 SHIMOSAKA Naoki; JP
Prioritätsdaten:
2017-17418211.09.2017JP
Titel (EN) RECONFIGURATION CIRCUIT
(FR) CIRCUIT DE RECONFIGURATION
(JA) 再構成回路
Zusammenfassung:
(EN) In order to achieve both high-density implementation of applications in the form a reconfiguration circuit without a redundancy bit and the capability to continuously run applications with redundancy, the present invention is a reconfiguration circuit provided with: a first lookup table composed of a crossbar memory formed in a crossbar switching circuit having a plurality of switch cells including a complementary element and a multiplexer for selecting and outputting at least one of a plurality of signals input from the crossbar memory; a second lookup table composed of a crossbar memory and a multiplexer; and a switch that is connected to an output node of the first lookup table and to an output node of the second lookup table and that switches the output node of the first lookup table and the output node of the second lookup table to an electrically conductive state or a non-conductive state.
(FR) La présente invention a pour objet d'atteindre une mise en œuvre à haute densité d'applications sous la forme d'un circuit de reconfiguration sans bit de redondance ainsi que la capacité d'exécuter en continu des applications avec redondance. Plus particulièrement, l'invention concerne un circuit de reconfiguration comprenant : une première table de consultation composée d'une mémoire à barres croisées formée dans un circuit de commutation à barres croisées ayant une pluralité de cellules de commutation comprenant un élément complémentaire et un multiplexeur pour sélectionner et délivrer en sortie au moins l'un d'une pluralité de signaux entrés à partir de la mémoire à barres croisées ; une seconde table de consultation composée d'une mémoire à barres croisées et d'un multiplexeur ; et un commutateur qui est connecté à un nœud de sortie de la première table de consultation et à un nœud de sortie de la seconde table de consultation et qui commute le nœud de sortie de la première table de consultation et le nœud de sortie de la seconde table de consultation vers un état conducteur ou un état non conducteur.
(JA) 冗長ビットを持たない再構成回路としてアプリケーションを高密度に実装することと、冗長性を持たせて継続的なアプリケーション動作を可能とすることを両立するために、相補型素子を含む複数のスイッチセルを有するクロスバースイッチ回路に構成されるクロスバーメモリと、クロスバーメモリから入力される複数の信号のうち少なくとも一つを選択して出力するマルチプレクサとによって構成される第1のルックアップテーブルと、クロスバーメモリとマルチプレクサとによって構成される第2のルックアップテーブルと、第1のルックアップテーブルの出力ノードと、第2のルックアップテーブルの出力ノードとに接続され、第1のルックアップテーブルの出力ノードと第2のルックアップテーブルの出力ノードとを電気的に導通もしくは非導通の状態に切り替えるスイッチとを備える再構成回路とする。
front page image
Designierte Staaten: AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DJ, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IR, IS, JO, JP, KE, KG, KH, KN, KP, KR, KW, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SA, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW
African Regional Intellectual Property Organization (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, ST, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Eurasische Patentorganisation (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
Europäisches Patentamt (EPO) (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
African Intellectual Property Organization (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, KM, ML, MR, NE, SN, TD, TG)
Veröffentlichungssprache: Japanisch (JA)
Anmeldesprache: Japanisch (JA)