Einige Inhalte dieser Anwendung sind momentan nicht verfügbar.
Wenn diese Situation weiterhin besteht, kontaktieren Sie uns bitte unterFeedback&Kontakt
1. (WO2019049780) SEMICONDUCTOR MODULE BONDING STRUCTURE AND BONDING METHOD
Aktuellste beim Internationalen Büro vorliegende bibliographische Daten    Einwendung einreichen

Veröff.-Nr.: WO/2019/049780 Internationale Anmeldenummer PCT/JP2018/032339
Veröffentlichungsdatum: 14.03.2019 Internationales Anmeldedatum: 31.08.2018
IPC:
H02M 7/48 (2007.01) ,H01L 23/48 (2006.01) ,H01R 4/02 (2006.01) ,H01R 43/02 (2006.01)
H Elektrotechnik
02
Erzeugung, Umwandlung oder Verteilung von elektrischer Energie
M
Anlagen zur Umformung von Wechselstrom in Wechselstrom, von Wechselstrom in Gleichstrom oder umgekehrt, oder von Gleichstrom in Gleichstrom und zur Verwendung in Netzen oder ähnlichen Stromversorgungssystemen; Umformung von Gleichstrom- oder Wechselstromeingangsleistung in Stoß-Ausgangsleistung; Steuern oder Regeln derselben
7
Umformung von Wechselstrom in Gleichstrom; Umformung von Gleichstrom in Wechselstrom
42
Umformung von Gleichstrom in Wechselstrom ohne Umkehrmöglichkeit
44
durch ruhende Umformer
48
unter Verwendung von Entladungsröhren mit Steuerelektrode oder Halbleiterbauelementen
H Elektrotechnik
01
Grundlegende elektrische Bauteile
L
Halbleiterbauelemente; elektrische Festkörperbauelemente, soweit nicht anderweitig vorgesehen
23
Einzelheiten von Halbleiter- oder anderen Festkörperbauelementen
48
Anordnungen zur Stromleitung zu oder von dem im Betrieb befindlichen Festkörper, z.B. Zuleitungen oder Anschlüsse
H Elektrotechnik
01
Grundlegende elektrische Bauteile
R
Elektrisch leitende Verbindungen; Bauliche Vereinigungen einer Vielzahl von gegenseitig isolierten elektrischen Verbindungselementen; Kupplungsvorrichtungen; Stromabnehmer
4
Elektrisch leitende Verbindungen zwischen zwei oder mehreren leitenden Gliedern mit direktem Kontakt, d.h. die sich gegenseitig berühren; Mittel, um einen solchen Kontakt zu bewirken oder aufrechtzuerhalten; elektrisch leitende Verbindungen mit zwei oder mehr getrennten Anschlussstellen für Leiter und unter Verwendung von Kontaktgliedern zum Durchdringen der Isolation
02
Gelötete oder geschweißte Verbindungen
H Elektrotechnik
01
Grundlegende elektrische Bauteile
R
Elektrisch leitende Verbindungen; Bauliche Vereinigungen einer Vielzahl von gegenseitig isolierten elektrischen Verbindungselementen; Kupplungsvorrichtungen; Stromabnehmer
43
Geräte oder Verfahren, die in besonderer Weise zum Herstellen, Zusammenbauen, Instandhalten oder Reparieren von Leitungsverbindern oder Stromabnehmern oder zum Verbinden elektrischer Leiter ausgebildet sind
02
für Löt- oder Schweißverbindungen
Anmelder:
株式会社デンソー DENSO CORPORATION [JP/JP]; 愛知県刈谷市昭和町1丁目1番地 1-1, Showa-cho, Kariya-city, Aichi 4488661, JP
Erfinder:
原田 脩央 HARADA Naohisa; JP
近藤 浩 KONDO Hiroshi; JP
石川 喬介 ISHIKAWA Kyosuke; JP
川出 篤 KAWADE Atsushi; JP
Vertreter:
特許業務法人あいち国際特許事務所 AICHI, TAKAHASHI, IWAKURA & ASSOCIATES; 愛知県名古屋市中村区名駅3丁目26番19号 名駅永田ビル Meieki Nagata Building, 26-19, Meieki 3-chome, Nakamura-ku, Nagoya-shi, Aichi 4500002, JP
Prioritätsdaten:
2017-17040405.09.2017JP
Titel (EN) SEMICONDUCTOR MODULE BONDING STRUCTURE AND BONDING METHOD
(FR) STRUCTURE DE LIAISON DE MODULE À SEMI-CONDUCTEUR ET PROCÉDÉ DE LIAISON
(JA) 半導体モジュールの接合構造及び接合方法
Zusammenfassung:
(EN) A semiconductor module bonding structure (4a) comprises: a semiconductor module (11) including a semiconductor element (12) and a positive electrode terminal (12p) serving as a plate-like power terminal electrically connected to the semiconductor element (12); and a main P-bus bar (6) serving as a bus bar including a plate-like bonding portion (7) bonded to the positive electrode terminal (12p) of the semiconductor module (11). The positive electrode terminal (12p) of the semiconductor module (11) and the bonding portion (7) of the main P-bus bar (6) are configured such that the positive electrode terminal (12p), which has a relatively smaller plate thickness, has a plate width greater than a plate width of the bonding portion (7), which has a relatively greater plate thickness. The positive electrode terminal (12p) and the bonding portion (7) are bonded to each other by performing fusion-welding in an arrangement in which the respective plate thickness directions are orthogonal to each other.
(FR) L'invention concerne une structure de liaison de module à semi-conducteur (4a) comprenant : un module à semi-conducteur (11) comprenant un élément semi-conducteur (12) et une borne d'électrode positive (12p) servant de borne électrique tabulaire connectée électriquement à l'élément semi-conducteur (12) ; et une barre omnibus P principale (6) servant de barre omnibus comprenant une partie de liaison tabulaire (7) liée à la borne d'électrode positive (12p) du module à semi-conducteur (11). La borne d'électrode positive (12p) du module à semi-conducteur (11) et la partie de liaison (7) de la barre omnibus P principale (6) sont conçues de telle sorte que la borne d'électrode positive (12p), dont l'épaisseur de plaque est relativement plus petite, présente une largeur de plaque supérieure à une largeur de plaque de la partie de liaison (7), dont l'épaisseur de plaque est relativement plus grande. La borne d'électrode positive (12p) et la partie de liaison (7) sont liées l'une à l'autre par réalisation d'un soudage par fusion dans un agencement dans lequel les directions d'épaisseur de plaque respectives sont orthogonales l'une à l'autre.
(JA) 半導体モジュールの接合構造(4a)は、半導体素子(12)と、半導体素子(12)に電気的に接続された板状のパワー端子としての正極端子(12p)と、を有する半導体モジュール(11)と、半導体モジュール(11)の正極端子(12p)に接合された板状の接合部(7)を有するバスバーとしての主Pバスバー(6)と、を備え、半導体モジュール(11)の正極端子(12p)と主Pバスバー(6)の接合部(7)は、相対的に板厚の小さい方である正極端子(12p)の板幅が相対的に板厚の大きい方である接合部(7)の板幅を上回るように構成され、且つそれぞれの板厚方向が互いに直交するように配置された状態で溶融溶接によって接合されている。
front page image
Designierte Staaten: AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DJ, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IR, IS, JO, KE, KG, KH, KN, KP, KR, KW, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SA, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW
African Regional Intellectual Property Organization (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, ST, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Eurasische Patentorganisation (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
Europäisches Patentamt (EPO) (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
African Intellectual Property Organization (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, KM, ML, MR, NE, SN, TD, TG)
Veröffentlichungssprache: Japanisch (JA)
Anmeldesprache: Japanisch (JA)