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1. (WO2019049718) AVALANCHE PHOTODIODE AND METHOD FOR PREPARING SAME
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Veröff.-Nr.: WO/2019/049718 Internationale Anmeldenummer PCT/JP2018/031674
Veröffentlichungsdatum: 14.03.2019 Internationales Anmeldedatum: 28.08.2018
IPC:
H01L 31/107 (2006.01)
H Elektrotechnik
01
Grundlegende elektrische Bauteile
L
Halbleiterbauelemente; elektrische Festkörperbauelemente, soweit nicht anderweitig vorgesehen
31
Halbleiterbauelemente, die auf Infrarot-Strahlung, Licht, elektromagnetische Strahlung kürzerer Wellenlänge als Licht oder Korpuskularstrahlung ansprechen und besonders ausgebildet sind, entweder für die Umwandlung der Energie einer derartigen Strahlung in elektrische Energie oder für die Steuerung elektrischer Energie durch eine derartige Strahlung eingerichtet sind; Verfahren oder Vorrichtungen, besonders ausgebildet für die Herstellung oder Behandlung dieser Halbleiterbauelemente oder Teilen davon; Einzelheiten dieser Bauelemente
08
in denen die Strahlung den Stromfluss durch das Bauelement steuert, z.B. Fotowiderstände
10
gekennzeichnet durch wenigstens eine Potenzialsprung-Sperrschicht oder Oberflächensperrschicht, z.B. Fototransistoren
101
Bauelemente die auf infrarote, sichtbare oder ultraviolette Strahlung ansprechen
102
gekennzeichnet durch genau eine Potenzialsprung-Sperrschicht oder Oberflächensperrschicht
107
wobei die Sperrschicht mit Lawinenverstärkung arbeitet, z.B. Lawinen-Fotodiode
Anmelder:
日本電信電話株式会社 NIPPON TELEGRAPH AND TELEPHONE CORPORATION [JP/JP]; 東京都千代田区大手町一丁目5番1号 5-1, Otemachi 1-chome, Chiyoda-ku, Tokyo 1008116, JP
Erfinder:
名田 允洋 NADA, Masahiro; JP
松崎 秀昭 MATSUZAKI, Hideaki; JP
Vertreter:
山川 茂樹 YAMAKAWA, Shigeki; JP
小池 勇三 KOIKE, Yuzo; JP
山川 政樹 YAMAKAWA, Masaki; JP
Prioritätsdaten:
2017-17098806.09.2017JP
Titel (EN) AVALANCHE PHOTODIODE AND METHOD FOR PREPARING SAME
(FR) PHOTODIODE À AVALANCHE ET SON PROCÉDÉ DE PRÉPARATION
(JA) アバランシェフォトダイオードおよびその製造方法
Zusammenfassung:
(EN) According to the present invention, an n-type semiconductor layer (102), a multiplication layer (103), an electric field control layer (104), a light absorption layer (105) and a p-type semiconductor layer (106) are formed on a growth substrate (101), and then the p-type semiconductor layer (106) is attached to a transfer substrate (107). Thereafter, the growth substrate (101) is removed, and the n-type semiconductor layer (102) is processed to have an area smaller than the multiplication layer (103).
(FR) Selon la présente invention, une couche semi-conductrice de type n (102), une couche de multiplication (103), une couche de commande de champ électrique (104), une couche d'absorption de lumière (105) et une couche semi-conductrice de type p (106) sont formées sur un substrat de croissance (101), puis la couche semi-conductrice de type p (106) est fixée à un substrat de transfert (107). Ensuite, le substrat de croissance (101) est retiré, et la couche semi-conductrice de type n (102) est traitée pour avoir une zone plus petite que la couche de multiplication (103).
(JA) n型半導体層(102)、増倍層(103)、電界制御層(104)、光吸収層(105)、p型半導体層(106)を成長基板(101)の上に形成した後で、p型半導体層(106)を転写基板(107)に貼り付ける。この後、成長基板(101)を除去し、n型半導体層(102)を、増倍層(103)より小さい面積に加工する。
front page image
Designierte Staaten: AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DJ, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IR, IS, JO, JP, KE, KG, KH, KN, KP, KR, KW, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SA, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW
African Regional Intellectual Property Organization (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, ST, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Eurasische Patentorganisation (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
Europäisches Patentamt (EPO) (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
African Intellectual Property Organization (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, KM, ML, MR, NE, SN, TD, TG)
Veröffentlichungssprache: Japanisch (JA)
Anmeldesprache: Japanisch (JA)