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1. (WO2019048385) VERFAHREN ZUR HERSTELLUNG EINES OPTOELEKTRONISCHEN HALBLEITERCHIPS UND OPTOELEKTRONISCHER HALBLEITERCHIP
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Veröff.-Nr.: WO/2019/048385 Internationale Anmeldenummer PCT/EP2018/073625
Veröffentlichungsdatum: 14.03.2019 Internationales Anmeldedatum: 03.09.2018
IPC:
H01L 33/22 (2010.01) ,H01L 33/20 (2010.01)
H Elektrotechnik
01
Grundlegende elektrische Bauteile
L
Halbleiterbauelemente; elektrische Festkörperbauelemente, soweit nicht anderweitig vorgesehen
33
Halbleiterbauelemente mit wenigstens einer Potenzialsprung-Sperrschicht oder Oberflächensperrschicht, besonders ausgebildet zur Lichtemission; Verfahren oder Vorrichtungen, besonders ausgebildet für die Herstellung oder Behandlung dieser Bauelemente oder Teilen davon; Einzelheiten dieser Bauelemente
02
charakterisiert durch den Halbleiterkörper
20
mit besonderer Form, z.B. gewölbte oder angeschrägte Substrate
22
Aufgeraute Oberflächen, z.B. an der Grenzfläche zwischen epitaktischen Schichten
H Elektrotechnik
01
Grundlegende elektrische Bauteile
L
Halbleiterbauelemente; elektrische Festkörperbauelemente, soweit nicht anderweitig vorgesehen
33
Halbleiterbauelemente mit wenigstens einer Potenzialsprung-Sperrschicht oder Oberflächensperrschicht, besonders ausgebildet zur Lichtemission; Verfahren oder Vorrichtungen, besonders ausgebildet für die Herstellung oder Behandlung dieser Bauelemente oder Teilen davon; Einzelheiten dieser Bauelemente
02
charakterisiert durch den Halbleiterkörper
20
mit besonderer Form, z.B. gewölbte oder angeschrägte Substrate
Anmelder:
OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH [DE/DE]; Leibnizstr. 4 93055 Regensburg, DE
Erfinder:
HUBER, Michael; DE
SOMMERFELD, Jana; DE
HERZ, Martin; DE
HOIBL, Sebastian; DE
RUMBOLZ, Christian; DE
KIESLICH, Albrecht; DE
BÖHM, Bernd; DE
ROSSBACH, Georg; DE
BRÖLL, Markus; DE
Vertreter:
EPPING HERMANN FISCHER PATENTANWALTSGESELLSCHAFT MBH; Schloßschmidstr. 5 80639 München, DE
Prioritätsdaten:
10 2017 120 493.806.09.2017DE
10 2017 121 028.812.09.2017DE
10 2018 107 615.029.03.2018DE
Titel (EN) METHOD FOR PRODUCING AN OPTOELECTRONIC SEMICONDUCTOR CHIP, AND OPTOELECTRONIC SEMICONDUCTOR CHIP
(FR) PROCÉDÉ DE FABRICATION D'UNE PUCE SEMI-CONDUCTRICE OPTOÉLECTRONIQUE ET PUCE SEMI-CONDUCTRICE OPTOÉLECTRONIQUE
(DE) VERFAHREN ZUR HERSTELLUNG EINES OPTOELEKTRONISCHEN HALBLEITERCHIPS UND OPTOELEKTRONISCHER HALBLEITERCHIP
Zusammenfassung:
(EN) The invention relates to a method for producing an opto-electronic semiconductor chip comprising the following steps: providing a semiconductor body (1) having a radiation-permeable surface (1a), and introducing structures (2) into the semiconductor body (1) on the radiation-permeable surface (1a), wherein the structures (2) are quasi-regular.
(FR) L'invention concerne un procédé de fabrication d'une puce semi-conductrice optoélectronique comprenant les étapes suivantes consistant à : prendre un corps semi-conducteur (1) présentant une surface de passage de rayonnement (1a) et ménager des structures (2) dans le corps semi-conducteur (1) sur la surface de passage de rayonnement (1a), ces structures (2) étant disposées quasi régulièrement.
(DE) Es wird ein Verfahren zur Herstellung eines optoelektronischen Halbleiterchips mit den folgenden Schritten angegeben: - Bereitstellen eines Halbleiterkörpers (1) mit einer Strahlungsdurchtrittsflache (1a), und - Einbringen von Strukturen (2) in den Halbleiterkörper (1) an der Strahlungsdurchtrittsfläche (1a), wobei - die Strukturen (2) quasi-regelmäßig angeordnet werden.
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Eurasische Patentorganisation (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
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African Intellectual Property Organization (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, KM, ML, MR, NE, SN, TD, TG)
Veröffentlichungssprache: Deutsch (DE)
Anmeldesprache: Deutsch (DE)