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1. (WO2019048367) VORRICHTUNG ZUM ABSCHEIDEN EINER STRUKTURIERTEN SCHICHT AUF EINEM SUBSTRAT UNTER VERWENDUNG EINER MASKE
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Veröff.-Nr.: WO/2019/048367 Internationale Anmeldenummer PCT/EP2018/073588
Veröffentlichungsdatum: 14.03.2019 Internationales Anmeldedatum: 03.09.2018
IPC:
C23C 14/04 (2006.01) ,C23C 14/12 (2006.01) ,C23C 14/24 (2006.01) ,C23C 14/54 (2006.01) ,C23C 14/56 (2006.01) ,H01L 51/56 (2006.01)
C Chemie; Hüttenwesen
23
Beschichten metallischer Werkstoffe; Beschichten von Werkstoffen mit metallischen Stoffen; Chemische Oberflächenbehandlung; Diffusionsbehandlung von metallischen Werkstoffen; Beschichten allgemein durch Vakuumbedampfen, Aufstäuben, Ionenimplantation oder chemisches Abscheiden aus der Dampfphase; Inhibieren von Korrosion metallischer Werkstoffe oder von Verkrustung allgemein
C
Beschichten metallischer Werkstoffe; Beschichten von Werkstoffen mit metallischen Stoffen; Oberflächenbehandlung metallischer Werkstoffe durch Diffusion in die Oberfläche, durch chemische Umwandlung oder Substitution; Beschichten allgemein durch Vakuumbedampfen, durch Aufstäuben, durch Ionenimplantation oder durch chemisches Abscheiden aus der Dampfphase
14
Beschichten durch Vakuumbedampfen, durch Aufstäuben oder durch Ionenimplantation des Beschichtungsmaterials
04
Beschichten ausgewählter Oberflächenbereiche, z.B. unter Verwendung von Masken
C Chemie; Hüttenwesen
23
Beschichten metallischer Werkstoffe; Beschichten von Werkstoffen mit metallischen Stoffen; Chemische Oberflächenbehandlung; Diffusionsbehandlung von metallischen Werkstoffen; Beschichten allgemein durch Vakuumbedampfen, Aufstäuben, Ionenimplantation oder chemisches Abscheiden aus der Dampfphase; Inhibieren von Korrosion metallischer Werkstoffe oder von Verkrustung allgemein
C
Beschichten metallischer Werkstoffe; Beschichten von Werkstoffen mit metallischen Stoffen; Oberflächenbehandlung metallischer Werkstoffe durch Diffusion in die Oberfläche, durch chemische Umwandlung oder Substitution; Beschichten allgemein durch Vakuumbedampfen, durch Aufstäuben, durch Ionenimplantation oder durch chemisches Abscheiden aus der Dampfphase
14
Beschichten durch Vakuumbedampfen, durch Aufstäuben oder durch Ionenimplantation des Beschichtungsmaterials
06
gekennzeichnet durch das Beschichtungsmaterial
12
Organische Stoffe
C Chemie; Hüttenwesen
23
Beschichten metallischer Werkstoffe; Beschichten von Werkstoffen mit metallischen Stoffen; Chemische Oberflächenbehandlung; Diffusionsbehandlung von metallischen Werkstoffen; Beschichten allgemein durch Vakuumbedampfen, Aufstäuben, Ionenimplantation oder chemisches Abscheiden aus der Dampfphase; Inhibieren von Korrosion metallischer Werkstoffe oder von Verkrustung allgemein
C
Beschichten metallischer Werkstoffe; Beschichten von Werkstoffen mit metallischen Stoffen; Oberflächenbehandlung metallischer Werkstoffe durch Diffusion in die Oberfläche, durch chemische Umwandlung oder Substitution; Beschichten allgemein durch Vakuumbedampfen, durch Aufstäuben, durch Ionenimplantation oder durch chemisches Abscheiden aus der Dampfphase
14
Beschichten durch Vakuumbedampfen, durch Aufstäuben oder durch Ionenimplantation des Beschichtungsmaterials
22
gekennzeichnet durch das Beschichtungsverfahren
24
Vakuumbedampfen
C Chemie; Hüttenwesen
23
Beschichten metallischer Werkstoffe; Beschichten von Werkstoffen mit metallischen Stoffen; Chemische Oberflächenbehandlung; Diffusionsbehandlung von metallischen Werkstoffen; Beschichten allgemein durch Vakuumbedampfen, Aufstäuben, Ionenimplantation oder chemisches Abscheiden aus der Dampfphase; Inhibieren von Korrosion metallischer Werkstoffe oder von Verkrustung allgemein
C
Beschichten metallischer Werkstoffe; Beschichten von Werkstoffen mit metallischen Stoffen; Oberflächenbehandlung metallischer Werkstoffe durch Diffusion in die Oberfläche, durch chemische Umwandlung oder Substitution; Beschichten allgemein durch Vakuumbedampfen, durch Aufstäuben, durch Ionenimplantation oder durch chemisches Abscheiden aus der Dampfphase
14
Beschichten durch Vakuumbedampfen, durch Aufstäuben oder durch Ionenimplantation des Beschichtungsmaterials
22
gekennzeichnet durch das Beschichtungsverfahren
54
Steuern oder Regeln des Beschichtungsvorganges
C Chemie; Hüttenwesen
23
Beschichten metallischer Werkstoffe; Beschichten von Werkstoffen mit metallischen Stoffen; Chemische Oberflächenbehandlung; Diffusionsbehandlung von metallischen Werkstoffen; Beschichten allgemein durch Vakuumbedampfen, Aufstäuben, Ionenimplantation oder chemisches Abscheiden aus der Dampfphase; Inhibieren von Korrosion metallischer Werkstoffe oder von Verkrustung allgemein
C
Beschichten metallischer Werkstoffe; Beschichten von Werkstoffen mit metallischen Stoffen; Oberflächenbehandlung metallischer Werkstoffe durch Diffusion in die Oberfläche, durch chemische Umwandlung oder Substitution; Beschichten allgemein durch Vakuumbedampfen, durch Aufstäuben, durch Ionenimplantation oder durch chemisches Abscheiden aus der Dampfphase
14
Beschichten durch Vakuumbedampfen, durch Aufstäuben oder durch Ionenimplantation des Beschichtungsmaterials
22
gekennzeichnet durch das Beschichtungsverfahren
56
für kontinuierliches Beschichten besonders angepasste Vorrichtungen; Einrichtungen zur Aufrechterhaltung des Vakuums, z.B. Vakuumschleusen
H Elektrotechnik
01
Grundlegende elektrische Bauteile
L
Halbleiterbauelemente; elektrische Festkörperbauelemente, soweit nicht anderweitig vorgesehen
51
Festkörperbauelemente, die organische Materialien oder eine Kombination von organischen mit anderen Materialien als aktives Medium aufweisen; Verfahren oder Geräte, besonders ausgebildet für die Herstellung oder Behandlung von derartigen Bauelementen oder Teilen davon
50
besonders ausgebildet zur Lichtemission, z.B. organische lichtemittierende Dioden (OLED) oder polymere lichtemittierende Bauelemente (PLED)
56
Verfahren oder Geräte, besonders ausgebildet für die Herstellung oder Behandlung von derartigen Bauelementen oder Teilen davon
Anmelder:
AIXTRON SE [DE/DE]; Dornkaulstraße 2 52134 Herzogenrath, DE
Erfinder:
KEIPER, Dietmar; DE
Vertreter:
GRUNDMANN, Dirk; DE
MÜLLER, Enno; DE
RIEDER, Hans-Joachim; DE
BRÖTZ, Helmut; DE
BOURREE, Hendrik; DE
Prioritätsdaten:
10 2017 120 529.206.09.2017DE
Titel (EN) DEVICE FOR DEPOSITING A STRUCTURED LAYER ON A SUBSTRATE WITH USE OF A MASK
(FR) DISPOSITIF POUR DÉPOSER UNE COUCHE STRUCTURÉE SUR UN SUBSTRAT EN UTILISANT UN MASQUE
(DE) VORRICHTUNG ZUM ABSCHEIDEN EINER STRUKTURIERTEN SCHICHT AUF EINEM SUBSTRAT UNTER VERWENDUNG EINER MASKE
Zusammenfassung:
(EN) The invention relates to a device for depositing layers that are laterally structured by the use of masks on at least one substrate (20), in particular by feeding a vapour into a deposition chamber (19) and condensing the vapour on the substrate (20), said device having a substrate holder (21), coolable by means of coolants (22), for holding the substrate (20) and a mask (8) secured to a mask frame (10) for positioning on the substrate (20). Measures are described, by means of which precisely structured layers can be deposited reproducibly on the substrate. The mask frame (10) is surrounded by a heating frame (25) heated by means of heating media (18). Thermal insulating means are provided between the mask frame (10) and heating frame (25). The invention further relates to a method for depositing layers with use of a device of the type in question.
(FR) La présente invention concerne un dispositif pour déposer sur au moins un substrat (20) des couches structurées latéralement en utilisant des masques, en particulier en injectant de la vapeur dans une chambre de dépôt (19) et en condensant la vapeur sur le substrat (20), présentant un support de substrat (21) pouvant être refroidi à l'aide de moyens de refroidissement (22) destiné à maintenir le substrat (20) et un masque (8) fixé sur un cadre de masque (10) à poser sur le substrat (20). L'invention concerne des mesures avec lesquelles des couches structurées peuvent être déposées sur le substrat de manière reproductible. Le cadre de masque (10) est entouré par un cadre chauffant (25) chauffé à l'aide de moyens chauffants (18). Des moyens thermiquement isolants sont prévus entre le cadre de masque (10) et le cadre chauffant (25). Cette invention concerne en outre un procédé permettant de déposer des couches en utilisant un dispositif de ce type.
(DE) Die Erfindung betrifft eine Vorrichtung zum Abscheiden von durch die Verwendung von Masken lateral strukturierten Schichten auf mindestens einem Substrat (20), insbesondere durch Einspeisen eines Dampfs in eine Depositionskammer (19) und Kondensation des Dampfs auf dem Substrat (20), aufweisend einen mittels Kühlmitteln (22) kühlbaren Substrathalter (21) zur Halterung des Substrates (20) und eine an einem Maskenrahmen (10) befestigte Maske (8) zur Auflage auf das Substrat (20). Es werden Maßnahmen angegeben, mit denen in reproduzierbarer Weise exakt strukturierte Schichten auf dem Substrat abgeschieden werden können. Der Maskenrahmen (10) ist von einem mittels Heizmitteln (18) beheizten Heizrahmen (25) umgeben. Zwischen Maskenrahmen (10) und Heizrahmen (25) sind thermische Isoliermittel vorgesehen. Des Weiteren betrifft die Erfindung ein Verfahren zum Abscheiden von Schichten unter Verwendung der gattungsgemäßen Vorrichtung.
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Designierte Staaten: AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DJ, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IR, IS, JO, JP, KE, KG, KH, KN, KP, KR, KW, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SA, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW
African Regional Intellectual Property Organization (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, ST, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Eurasische Patentorganisation (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
Europäisches Patentamt (EPO) (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
African Intellectual Property Organization (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, KM, ML, MR, NE, SN, TD, TG)
Veröffentlichungssprache: Deutsch (DE)
Anmeldesprache: Deutsch (DE)