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1. (WO2019046630) SEMICONDUCTOR DEVICES, TRANSISTORS, AND RELATED METHODS FOR CONTACTING METAL OXIDE SEMICONDUCTOR DEVICES
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Veröff.-Nr.: WO/2019/046630 Internationale Anmeldenummer PCT/US2018/048936
Veröffentlichungsdatum: 07.03.2019 Internationales Anmeldedatum: 30.08.2018
IPC:
H01L 29/786 (2006.01) ,H01L 29/66 (2006.01) ,H01L 27/105 (2006.01)
H Elektrotechnik
01
Grundlegende elektrische Bauteile
L
Halbleiterbauelemente; elektrische Festkörperbauelemente, soweit nicht anderweitig vorgesehen
29
Halbleiterbauelemente, besonders ausgebildet zum Gleichrichten, Verstärken, Schalten oder zur Schwingungserzeugung mit wenigstens einer Potenzialsprung-Sperrschicht oder Oberflächensperrschicht; Kondensatoren oder Widerstände mit wenigstens einer Potenzialsprung-Sperrschicht oder Oberflächensperrschicht, z.B. PN-Übergang mit Verarmungs- oder Anreicherungsschicht; Einzelheiten von Halbleiterkörpern oder von Elektroden auf diesen Halbleiterkörpern
66
Typen von Halbleiterbauelementen
68
steuerbar allein durch den einer Elektrode, die nicht den gleichzurichtenden, zu verstärkenden oder zu schaltenden Strom führt, zugeführten elektrischen Strom oder durch das an eine solche Elektrode angelegte elektrische Potenzial
76
Unipolar-Bauelemente
772
Feldeffekt-Transistoren
78
mit Feldeffekt, der durch ein isoliertes Gate hervorgerufen ist
786
Dünnfilm-Transistoren
H Elektrotechnik
01
Grundlegende elektrische Bauteile
L
Halbleiterbauelemente; elektrische Festkörperbauelemente, soweit nicht anderweitig vorgesehen
29
Halbleiterbauelemente, besonders ausgebildet zum Gleichrichten, Verstärken, Schalten oder zur Schwingungserzeugung mit wenigstens einer Potenzialsprung-Sperrschicht oder Oberflächensperrschicht; Kondensatoren oder Widerstände mit wenigstens einer Potenzialsprung-Sperrschicht oder Oberflächensperrschicht, z.B. PN-Übergang mit Verarmungs- oder Anreicherungsschicht; Einzelheiten von Halbleiterkörpern oder von Elektroden auf diesen Halbleiterkörpern
66
Typen von Halbleiterbauelementen
H Elektrotechnik
01
Grundlegende elektrische Bauteile
L
Halbleiterbauelemente; elektrische Festkörperbauelemente, soweit nicht anderweitig vorgesehen
27
Bauelemente, die aus einer Mehrzahl von in oder auf einem gemeinsamen Substrat ausgebildeten Halbleiter- oder anderen Festkörperschaltungselementen bestehen [integrierte Schaltungen]
02
mit Halbleiterschaltungselementen, besonders ausgebildet zum Gleichrichten, Verstärken, Schalten oder zur Schwingungserzeugung mit wenigstens einer Potenzialsprung-Sperrschicht oder Oberflächensperrschicht; mit integrierten passiven Schaltungselementen mit wenigstens einer Potenzialsprung-Sperrschicht oder Oberflächensperrschicht
04
wobei das Substrat aus einem Halbleiterkörper besteht
10
mit einer Mehrzahl einzelner Schaltungselemente in sich wiederholender Konfiguration
105
mit Feldeffekt- Schaltungselementen
Anmelder:
MICRON TECHNOLOGY, INC. [US/US]; 8000 South Federal Way Mailstop 1-507 Boise, Idaho 83707, US
Erfinder:
RAMASWAMY, Durai Vishak Nirmal; US
GANDHI, Ramanathan; US
SILLS, Scott E.; US
Vertreter:
GUTKE, Steven W.; US
BACA, Andrew J.; US
ZIEGLER, Bailey M.; US
BEZDJIAN, Daniel J.; US
BAKER, Gregory C.; US
FLORES, Jesse M.; US
GUNN, J. Jeffrey; US
HAMER, Katherine A.; US
SCHIERMAN, Elizabeth Herbst; US
WALKOWSKI, Joseph A.; US
WHITLOCK, Nathan E.; US
WATSON, James C.; US
WOODHOUSE, Kyle M.; US
Prioritätsdaten:
16/118,06430.08.2018US
62/552,80931.08.2017US
Titel (EN) SEMICONDUCTOR DEVICES, TRANSISTORS, AND RELATED METHODS FOR CONTACTING METAL OXIDE SEMICONDUCTOR DEVICES
(FR) DISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEUR, TRANSISTORS ET PROCÉDÉS ASSOCIÉS POUR METTRE EN CONTACT DES DISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEUR À OXYDE MÉTALLIQUE
Zusammenfassung:
(EN) A semiconductor device is disclosed. The semiconductor device includes a transistor including a source contact, a drain contact, and a channel region including an oxide semiconductor material as the channel material. At least one of the drain contact or the source contact include a conductive material, such as Ruthenium, to reduce the Schottky effects at the interface with the channel material.
(FR) La présente invention concerne un dispositif à semi-conducteur. Le dispositif à semi-conducteur comprend un transistor comprenant un contact de source, un contact de drain et une région de canal comprenant un matériau semi-conducteur à oxyde en tant que matériau de canal. Au moins l'un parmi le contact de drain ou le contact de source comprend un matériau conducteur, tel que le ruthénium, pour réduire les effets de Schottky à l'interface avec le matériau de canal.
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Designierte Staaten: AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DJ, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IR, IS, JO, JP, KE, KG, KH, KN, KP, KR, KW, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SA, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW
African Regional Intellectual Property Organization (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, ST, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Eurasische Patentorganisation (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
Europäisches Patentamt (EPO) (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
African Intellectual Property Organization (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, KM, ML, MR, NE, SN, TD, TG)
Veröffentlichungssprache: Englisch (EN)
Anmeldesprache: Englisch (EN)