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1. (WO2019046197) SEMICONDUCTOR DIE WITH DIFFERENT MAGNETIC TUNNEL JUNCTIONS IN DIFFERENT MAGNETO-RESISTIVE RANDOM ACCESS MEMORY ARRAYS
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Veröff.-Nr.: WO/2019/046197 Internationale Anmeldenummer PCT/US2018/048158
Veröffentlichungsdatum: 07.03.2019 Internationales Anmeldedatum: 27.08.2018
IPC:
H01L 27/22 (2006.01) ,H01L 43/08 (2006.01) ,H01L 43/12 (2006.01)
H Elektrotechnik
01
Grundlegende elektrische Bauteile
L
Halbleiterbauelemente; elektrische Festkörperbauelemente, soweit nicht anderweitig vorgesehen
27
Bauelemente, die aus einer Mehrzahl von in oder auf einem gemeinsamen Substrat ausgebildeten Halbleiter- oder anderen Festkörperschaltungselementen bestehen [integrierte Schaltungen]
22
mit Schaltungselementen, die galvanomagnetische Effekte, z.B. den Hall-Effekt, ausnutzen; die ähnliche Magnetfeld-Effekte ausnutzen
H Elektrotechnik
01
Grundlegende elektrische Bauteile
L
Halbleiterbauelemente; elektrische Festkörperbauelemente, soweit nicht anderweitig vorgesehen
43
Bauelemente mit galvanomagnetischen oder ähnlichen magnetischen Effekten; Verfahren oder Vorrichtungen, besonders ausgebildet für die Herstellung oder Behandlung dieser Bauelemente oder Teilen davon
08
durch ein Magnetfeld steuerbare Widerstände
H Elektrotechnik
01
Grundlegende elektrische Bauteile
L
Halbleiterbauelemente; elektrische Festkörperbauelemente, soweit nicht anderweitig vorgesehen
43
Bauelemente mit galvanomagnetischen oder ähnlichen magnetischen Effekten; Verfahren oder Vorrichtungen, besonders ausgebildet für die Herstellung oder Behandlung dieser Bauelemente oder Teilen davon
12
Verfahren oder Vorrichtungen, besonders ausgebildet für die Herstellung oder Behandlung dieser Bauelemente oder Teilen davon
Anmelder:
QUALCOMM INCORPORATED [US/US]; ATTN: International IP Administration 5775 Morehouse Drive San Diego, California 92121-1714, US
Erfinder:
LI, Xia; US
CHEN, Wei-Chuan; US
HSU, Wah Nam; US
KANG, Seung, Hyuk; US
Vertreter:
TERRANOVA, Steven, N.; US
Prioritätsdaten:
15/688,21228.08.2017US
Titel (EN) SEMICONDUCTOR DIE WITH DIFFERENT MAGNETIC TUNNEL JUNCTIONS IN DIFFERENT MAGNETO-RESISTIVE RANDOM ACCESS MEMORY ARRAYS
(FR) PUCE SEMI-CONDUCTRICE AYANT DES JONCTIONS À EFFET TUNNEL MAGNÉTIQUES DIFFÉRENTES DANS DES RÉSEAUX DE MÉMOIRE VIVE MAGNÉTO-RÉSISTIVE DIFFÉRENTS
Zusammenfassung:
(EN) The energy barrier of a magnetic tunnel junction (MTJ) affects its write performance as the amount of current required to switch the magnetic orientation of a free layer of the MTJ is a function of its energy barrier. Thus, by varying the energy barriers of MTJ stacks (204) in different magneto-resistive random access memory (MRAM) arrays (208) in a semiconductor die (200), different MRAM arrays may be used for different types of memory provided in the semiconductor die while still achieving distinct performance specifications. The energy barriers can be varied by varying the materials, heights, widths, and/or other characteristics of the MTJ stacks.
(FR) Dans la présente invention, la barrière énergétique d'une jonction à effet tunnel magnétique (MTJ) a une incidence sur sa performance d'écriture étant donné que la quantité de courant nécessaire à la commutation de l'orientation magnétique d'une couche libre de la MTJ dépend de sa barrière énergétique. Ainsi, par variation des barrières énergétiques d'empilements MTJ (204) dans des réseaux de mémoire vive magnéto-résistive (MRAM) (208) différents dans une puce semi-conductrice (200), des réseaux de MRAM différents peuvent être utilisés pour des types de mémoire différents compris dans la puce semi-conductrice tout en assurant des spécifications de performance distinctes. On peut faire varier les barrières énergétiques par variation des matériaux, des hauteurs, des largeurs et/ou d'autres caractéristiques des empilements MTJ.
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Veröffentlichungssprache: Englisch (EN)
Anmeldesprache: Englisch (EN)