Einige Inhalte dieser Anwendung sind momentan nicht verfügbar.
Wenn diese Situation weiterhin besteht, kontaktieren Sie uns bitte unterFeedback&Kontakt
1. (WO2019046030) THREE DIMENSIONAL MEMORY ARRAYS
Aktuellste beim Internationalen Büro vorliegende bibliographische Daten    Einwendung einreichen

Veröff.-Nr.: WO/2019/046030 Internationale Anmeldenummer PCT/US2018/047143
Veröffentlichungsdatum: 07.03.2019 Internationales Anmeldedatum: 21.08.2018
IPC:
H01L 27/06 (2006.01) ,H01L 25/065 (2006.01) ,H01L 45/00 (2006.01)
H Elektrotechnik
01
Grundlegende elektrische Bauteile
L
Halbleiterbauelemente; elektrische Festkörperbauelemente, soweit nicht anderweitig vorgesehen
27
Bauelemente, die aus einer Mehrzahl von in oder auf einem gemeinsamen Substrat ausgebildeten Halbleiter- oder anderen Festkörperschaltungselementen bestehen [integrierte Schaltungen]
02
mit Halbleiterschaltungselementen, besonders ausgebildet zum Gleichrichten, Verstärken, Schalten oder zur Schwingungserzeugung mit wenigstens einer Potenzialsprung-Sperrschicht oder Oberflächensperrschicht; mit integrierten passiven Schaltungselementen mit wenigstens einer Potenzialsprung-Sperrschicht oder Oberflächensperrschicht
04
wobei das Substrat aus einem Halbleiterkörper besteht
06
mit einer Mehrzahl einzelner Schaltungselemente in sich nicht wiederholender Konfiguration
H Elektrotechnik
01
Grundlegende elektrische Bauteile
L
Halbleiterbauelemente; elektrische Festkörperbauelemente, soweit nicht anderweitig vorgesehen
25
Baugruppen, die aus einer Mehrzahl von einzelnen Halbleiter- oder anderen Festkörperbauelementen bestehen
03
wobei alle Bauelemente von einer Art sind, wie sie in der gleichen Untergruppe einer der Gruppen H01L27/-H01L51/148
04
wobei die Bauelemente keine gesonderten Gehäuse besitzen
065
wobei die Bauelemente von einer Art sind, wie sie in Gruppe H01L27/87
H Elektrotechnik
01
Grundlegende elektrische Bauteile
L
Halbleiterbauelemente; elektrische Festkörperbauelemente, soweit nicht anderweitig vorgesehen
45
Festkörperbauelemente, besonders ausgebildet zum Gleichrichten, Verstärken, Schalten oder zur Schwingungserzeugung ohne Potenzialsprung-Sperrschicht oder Oberflächensperrschicht, z.B. dielektrische Trioden; Ovshinsky-Effekt-Bauelemente; Verfahren oder Vorrichtungen, besonders ausgebildet für die Herstellung oder Behandlung dieser Bauelemente oder Teilen davon
Anmelder:
MICRON TECHNOLOGY, INC. [US/US]; MAIL STOP 525 8000 SOUTH FEDERAL WAY P.O. BOX 6 BOISE, Idaho 83707-0006, US
Erfinder:
PIROVANO, Agostino; IT
REDAELLI, Andrea; IT
PELLIZZER, Fabio; US
TORTORELLI, Innocenzo; IT
Vertreter:
KERN, Jacob T.; US
Prioritätsdaten:
15/689,15529.08.2017US
Titel (EN) THREE DIMENSIONAL MEMORY ARRAYS
(FR) RÉSEAUX DE MÉMOIRE TRIDIMENSIONNELS
Zusammenfassung:
(EN) In an example, a memory array may include a plurality of first dielectric materials and a plurality of stacks, where each respective first dielectric material and each respective stack alternate, and where each respective stack comprises a first conductive material and a storage material. A second conductive material may pass through the plurality of first dielectric materials and the plurality of stacks. Each respective stack may further include a second dielectric material between the first conductive material and the second conductive material.
(FR) Un exemple de l'invention concerne un réseau de mémoire qui peut comprendre une pluralité de premiers matériaux diélectriques et une pluralité d'empilements, chaque premier matériau diélectrique respectif et chaque empilement respectif étant alternés, et chaque empilement respectif comprenant un premier matériau conducteur et un matériau de stockage. Un deuxième matériau conducteur peut passer à travers la pluralité de premiers matériaux diélectriques et la pluralité d'empilements. Chaque empilement respectif peut en outre comprendre un deuxième matériau diélectrique entre le premier matériau conducteur et le deuxième matériau conducteur.
front page image
Designierte Staaten: AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DJ, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IR, IS, JO, JP, KE, KG, KH, KN, KP, KR, KW, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SA, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW
African Regional Intellectual Property Organization (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, ST, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Eurasische Patentorganisation (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
Europäisches Patentamt (EPO) (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
African Intellectual Property Organization (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, KM, ML, MR, NE, SN, TD, TG)
Veröffentlichungssprache: Englisch (EN)
Anmeldesprache: Englisch (EN)