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1. (WO2019045943) OPTIMIZED SCAN INTERVAL
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Veröff.-Nr.: WO/2019/045943 Internationale Anmeldenummer PCT/US2018/044794
Veröffentlichungsdatum: 07.03.2019 Internationales Anmeldedatum: 01.08.2018
IPC:
G11C 16/26 (2006.01) ,G11C 16/34 (2006.01) ,G06F 11/07 (2006.01)
G Physik
11
Informationsspeicherung
C
Statische Speicher
16
Löschbare, programmierbare Festwertspeicher
02
elektrisch programmierbar
06
Hilfsschaltungen, z.B. für Schreiben in den Speicher
26
Abtast- oder Leseschaltungen; Datenausgabeschaltungen
G Physik
11
Informationsspeicherung
C
Statische Speicher
16
Löschbare, programmierbare Festwertspeicher
02
elektrisch programmierbar
06
Hilfsschaltungen, z.B. für Schreiben in den Speicher
34
Ermitteln des Programmierzustands, z.B. Schwellenspannung, Über- oder Unterprogrammierung, Datenhaltung
G Physik
06
Datenverarbeitung; Rechnen; Zählen
F
Elektrische digitale Datenverarbeitung
11
Fehlererkennung; Fehlerkorrektur; Überwachung
07
Reaktion auf das Auftreten eines Fehlers, z.B. Fehlertoleranz
Anmelder:
MICRON TECHNOLOGY, INC. [US/US]; 8000 So. Federal Way Boise, Idaho 83716-9632, US
Erfinder:
MUCHHERLA, Kishore Kumar; US
MALSHE, Ashutosh; US
SINGIDI, Harish Reddy; US
ALSASUA, Gianni Stephen; US
BESINGA, Gary F.; US
RATNAM, Sampath; US
FEELEY, Peter Sean; US
Vertreter:
PERDOK, Monique M.; US
ARORA, Suneel; US
BEEKMAN, Marvin L.; US
BLACK, David W.; US
SCHEER, Bradley W.; US
Prioritätsdaten:
15/692,40731.08.2017US
Titel (EN) OPTIMIZED SCAN INTERVAL
(FR) INTERVALLE DE BALAYAGE OPTIMISÉ
Zusammenfassung:
(EN) A variety of applications can include apparatus and/or methods of operating the apparatus that include a memory device having read levels that can be calibrated. A calibration controller implemented with the memory device can trigger a read level calibration based on inputs from one or more trackers monitoring parameters associated with the memory device and a determination of an occurrence of at least one event from a set of events related to the monitored parameters. The monitored parameters can include parameters related to a selected time interval and measurements of read, erase, or write operations of the memory device. Additional apparatus, systems, and methods are disclosed.
(FR) L'invention concerne diverses applications qui peuvent comprendre un appareil et/ou des procédés de fonctionnement de l'appareil qui comprennent un dispositif de mémoire présentant des niveaux de lecture qui peuvent être étalonnés. Un dispositif de commande d'étalonnage mis en oeuvre avec le dispositif de mémoire peut déclencher un étalonnage de niveau de lecture sur la base d'entrées provenant d'un ou plusieurs dispositifs de suivi surveillant des paramètres associés au dispositif de mémoire et une détermination d'une occurrence d'au moins un événement à partir d'un ensemble d'événements liés aux paramètres surveillés. Les paramètres surveillés peuvent comprendre des paramètres associés à un intervalle de temps sélectionné et des mesures d'opérations de lecture, d'effacement ou d'écriture du dispositif de mémoire. L'invention concerne en outre un appareil, des systèmes et des procédés supplémentaires.
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Designierte Staaten: AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DJ, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IR, IS, JO, JP, KE, KG, KH, KN, KP, KR, KW, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SA, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW
African Regional Intellectual Property Organization (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, ST, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Eurasische Patentorganisation (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
Europäisches Patentamt (EPO) (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
African Intellectual Property Organization (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, KM, ML, MR, NE, SN, TD, TG)
Veröffentlichungssprache: Englisch (EN)
Anmeldesprache: Englisch (EN)